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摘要:
As a novel two-dimensional (2D) semiconductor material with biocompatibility and ferromagnetic properties,Nb3Cl8 exhibits a great prospect in the field of implantable elec-trical equipment.In this work,the effects of the light illumination and the gate voltage on the desorption of O2 molecules from Nb3Cl8 were systemically investigated via the in situ electrical transport characterization in the vac-uum environment.The experimental results showed that the light illumination and the negative gate voltage could enhance the desorption of oxygen molecules while the positive gate voltage could promote the re-adsorption of O2.The multi-bit storage function was demonstrated via adjusting the p-doping effect caused by oxygen adsorption.
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文献信息
篇名 Two-dimensional Nb3Cl8 memristor based on desorption and adsorption of O2 molecules
来源期刊 稀有金属(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2022,(1) 所属期刊栏目 SPECIAL TOPIC:2D MATERIALS
研究方向 页码范围 325-332
页数 8页 分类号
字数 语种 英文
DOI
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期刊影响力
稀有金属(英文版)
月刊
1001-0521
11-2112/TF
16开
北京学院路2号
1989
eng
出版文献量(篇)
2804
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