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摘要:
利用磁控溅射技术沉积了Ta/BaTiO3/Al2O3/ITO多层薄膜,观察到该结构中的电阻开关现象受到限制电流的调控.在限制电流大小为10–2 A时,器件中的电阻开关现象达到最优.Ta/BaTiO3/Al2O3/ITO多层薄膜的电阻开关具有良好的可重复性和稳定性.本文使用空间限制电流的传导模型对Ta/BaTiO3/Al2O3/ITO器件中受限制电流调控的电阻开关传导机理进行了解释.
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文献信息
篇名 限制电流对Ta/BaTiO3/Al2O3/ITO忆阻器的开关比和稳定性调控
来源期刊 物理学报 学科
关键词 电阻开关 氧空位迁移 限制电流 焦耳热
年,卷(期) 2022,(8) 所属期刊栏目 凝聚物质:结构、力学和热学性质|CONDENSED MATTER: STRUCTURAL, MECHANICAL, AND THERMAL PROPERTIES
研究方向 页码范围 245-250
页数 6页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.71.20211999
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研究主题发展历程
节点文献
电阻开关
氧空位迁移
限制电流
焦耳热
研究起点
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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