阵元尺寸对平面型HIFU相控阵轴线声压聚焦增益影响

• 作者: 高发伟 郭甲 王祥达 张晓红
• 来源期刊: 湖南理工学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: HIFU 平面型相控阵 阵元尺寸 轴线声压聚焦增益
• 年，卷（期）: 2023,（3）
• 所属期刊栏目: 工程技术
• 页码范围: 29-34
• 页数: 5页
• 分类号: O426.2
• 语种: 中文

摘要

基于Rayleigh积分推导平面型相控阵远场轴线声压聚焦增益公式,并分析阵元尺寸对轴线声压聚焦增益影响.仿真结果表明,在距离相控阵较远时,不论发射频率如何变化,所有轴线声压聚焦增益均单调递减,且阵元尺寸增大对于轴线声压聚焦增益有增强效果.在距离相控阵较近时,轴线声压聚焦增益会出现极大值,且阵元尺寸越大以及发射频率越高,极大值越容易出现,极大值左侧的轴线声压聚焦增益会随着阵元尺寸增大而出现先增大后减小现象.较小阵元尺寸会导致平面型相控阵的轴线声压聚焦增益均不会很高,实际中难以满足HIFU治疗需求.