电子注入式迁移管测量低E/N值下SF6主要分解产物迁移特性

• 作者: 辛忠良 李胜利 杨耀杰 李健 苗堃
• 来源期刊: 高压电器
• 关键词: 脉冲电子注入 离子迁移 迁移时间 离子迁移率
• 年，卷（期）: 2023,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 129-135
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13296/j.1001⁃1609.hva.2021.01.019

摘要

采用脉冲电子注入式迁移管，对GIS中常见气体成分在低E/N值下的负离子迁移特性进行了研究，研究对象包括：O2、SO2、SOF2、SO2F2和SF6。在所研究E/N值范围内（0.264~1.168 Td），结果表明：由于避免了传统离子门迁移管技术的电荷损失问题，离子电流信号强度大为提高；所研究气体对应的负离子迁移时间与迁移场强呈线性关系，迁移距离越长，迁移时间变化率越大。采用迁移距离和迁移时间差值法计算出的离子迁移速度，能有效消除离子起始加速阶段速度不稳定对稳定迁移速度的影响。所测成分的负离子迁移率在较低迁移场强下，随着迁移场强的增加而降低，当迁移场强增大到一定值后，迁移率稳定在一与迁移场强无关的确定值；迁移场强较小时，离子热运动对迁移率结果有较大影响。