基于硅光电倍增管的Cs2LiYCl6(CLYC)探测器快中子辐照效应研究

• 作者: 陈昭熙 孙世峰 张翔铭 张翱 华北电力大学核科学与工程学院
• 来源期刊: 辐射防护
• 关键词: 中子辐照 SiPM CLYC探测器 辐照损伤 退火
• 年，卷（期）: 2024,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射防护评价
• 页码范围: 62-70
• 页数: 9页
• 语种: 中文

摘要

实验通过将硅光电倍增管(silicon photomultiplier, SiPM)器件和Cs2LiYCl6(CLYC)闪烁体探测器暴露于14 MeV的快中子场中，最高累积注量达到1.53×1011 cm-2,分析了中子辐照对SiPM器件参数和CLYC探测器性能的影响。重点研究了不同注量辐照前后，SiPM的增益、暗计数率、暗电流、击穿电压和淬灭电阻等参数，以及CLYC探测器探测性能的变化情况和原因，其中暗计数率最高上升了3个数量级，暗电流最高上升了2个数量级，CLYC探测器的能量分辨率去除本底后下降了1.4%。辐照实验后，在室温条件下对SiPM和CLYC探测器进行退火，研究SiPM器件参数和探测器性能恢复情况。SiPM和CLYC探测器的性能会随着中子注量的增加而逐渐变差。对于SiPM,主要表现为暗计数率和暗电流的提高。对于CLYC探测器，主要表现为能量分辨率的降低。退火过程有助于减轻中子辐照的影响，恢复SiPM和CLYC探测器的部分性能。