基于硅纳米线的PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池 结构优化及实验研究

• 作者: 高中亮 耿奇 王哲 高婷 李英峰 陈雷 李美成
• 来源期刊: 发电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线(SiNWs) PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池 结构优化
• 年，卷（期）: 2024,（5）
• 页码范围: 109-119
• 页数: 11页
• 语种: 中文

摘要

硅纳米线(silicon nanowires,SiNWs)越长，光学性能越好，但这会使太阳电池的电学性能损失越来越大。采用模拟和实验的方法，对PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池的SiNWs进行优化，重点研究了SiNWs长度造成的表面复合速率和串联电阻对太阳电池性能的影响。结果表明，随着SiNWs长度的增加，表面复合主要影响开路电压，对太阳电池的性能影响较大；串联电阻主要影响填充因子，对太阳电池的性能影响较小。实验证明，当SiNWs长度为246 nm左右时，PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池的转换效率最高，为12.88%。研究结果可为含SiNWs的硅基太阳电池的设计提供指导。