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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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31. 功率GaN HEMT开发成功刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据日本《电子材料》报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN-HEMT功率器件。随着无线通信系统通信容量的增加以及多信道化的发展,在系统内要求收发信机的低功耗和高密度化。...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 安森美半导体公司日前推出一个具业界最高电压的音频双极晶体管新产品系列。MJL4281A(NPN)和MJL4302A音频输出晶体管提供目前单个晶体管输入信号的最高放大比。这些器件是为配...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据日本朝日新闻报道,日本电子产品大厂NEC已研发出世界上体积最小的晶体管,可以使未来超级计算机的体积仅相当于目前的台式电脑。这种晶体管的体积仅相当于目前最常见量产产品的十八分之一。报...
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34. 日本出售SiC肖特基势垒二极管刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 日本供货商Rohm于2004年春季出售SiC肖特基势垒二极管。同时,它还将扩大产品范围,生产包括晶体管在内的多种器件以满足世界市场对SiC器件的强大需求。 Rohm肖特基势垒二极管尺...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 Rockwell Scientific公司推出可用于L波段和S波段功率应用的第一批大功率SiC RF晶体管和50Ω匹配功率放大器模块。 T4200 MESFET RF晶体管从基带至s...
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36. 全新功率MOSFET刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 国际整流器公司（IR）日前推出全新额定100V IRF7495和额定80V IRF7493,N沟道HEXFET功率MOSFET,这些产品均经过特别优化,适用于电信系统中采用隔离式全桥...
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37. 新型3D半导体芯片技术刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据新加坡Tachyon Semiconductor公司报道,该公司开发了新型的3D半导体芯片技术。高密度匹配型3D芯片堆叠技术是利用铜对铜的热扩散来键合芯片,而不用附着或是介电层。
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据中国电子材料网报导,日本松下电器产业公司在全世界首次通过集成GaN(氮化镓)系晶体管,试制成功了开关IC。将可处理信号功率提高到40w。而过去的GaAs(砷化镓)开关IC最大则为4...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 飞利浦公司日前宣布,在LDMOS技术上取得重大突破,可降低3G蜂窝基站的复杂性和运营成本,同时大大增强性能和可靠性。采用飞利浦新型第4代LDMOS技术生产的射频功率晶体管与现有LDM...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 日本电讯公司NTT与德国U1m大学合作开发出一种工作频率为81GHz的金刚石半导体器件。该器件工作如同一个功率放大器。由于金刚石本身的特性,该器件散热快,且能在很高的电压下工作。 N...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 外延片开发制造商EpiWorks成功完成了一项开发生长掺C GaAsSb的合作研究项目,其合作伙伴Epichem提供该项目用的生长先驱物,InP衬底则由InPact公司提供。该项目旨...
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42. 北京半导体材料业蓬勃发展刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 北京是中国最大、水平最高的半导体硅材料科研开发、生产基地,拥有有研半导体材料股份有限公司、国泰半导体材料有限公司、北京中科镓英有限公司及北京圣科佳电子有限责任公司等半导体材料开发、生...
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43. IBM开发了两项半导体制造新技术刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 IBM近日开发了两项可提高半导体元件性能,降低耗电量的半导体制造技术。一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(SOD)相结合的SSDOl技术,另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(C...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 ATF—501P8为高线性度单电压E—phemt(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管,专为发射功放器和接收低噪声放大器应用而设计,广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地...
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45. 3栅极晶体管工艺标准刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 英特尔公司在日本京都举行的"2003 symposia of VLsI Technology"会议上宣布,已成功地将非平面3栅极晶体管的栅极长度由原来的60纳米减少至30纳米。
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46. 导电性能极强的金刚石半导体刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《世界发明》2003年第8期报导,法国科学家将氢元素加入含有硼的P型金刚石半导体中,结果被研究材料转化成了一种N型金刚石半导体,其导电性比过去用传统方法制造的金刚石半导体高出近1万...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《科技开发动态》2003年第1期报导,该制备工艺包括前处理一形成等离子体球调整压力—生长金刚石膜—后处理等过程。该工艺先将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研;之后在H<sub>2</...
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48. 计算用的量子点刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 最初作为量子计算机支撑技术的量子点被认为是代替被俘原子的候选物。但是这必须能够操纵和测量其量子态。德国幕尼黑技术大学的研究人员发现一种方法,能够在GaAs发光二极管的工作区域对InG...
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49. 准绝缘体上的硅场效应晶体管刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是一种准绝缘体上的硅(SDI)金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新结构及实现方法。源漏区下方埋氧是连续的;而沟...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 SemiSouth实验室与Ⅱ—Ⅵ公司正协力为SiC外延晶片提供SiC衬底及外延。该项合作将Ⅱ—Ⅵ的4H—SiC衬底生产能力与SemiSouth公司运用SiC外延反应堆开发出的SiC外...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 英特尔已设计出新款的晶体管(电晶体);该种晶体管将使微处理器的耗电更省,速度更快。英特尔表示,该技术解决了当前微处理器的发展和制造中所面对的两个棘手问题。因越来越多的晶体管被封装在晶...
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52. 日本启动新的半导体技术开发计划刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 新华网2003年12月6日专电,日本一项旨在开发多品种、小批量系统集成电路制造技术的计划不久前在筑波科学城启动。这一技术完成后,将极大地提高半导体元器件的生产效率,缩减制造厂的规模和...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 具有划时代意义的多媒体芯片"星光五号"在"2003北京国际微电子论坛"上正式发布,并成功实现产业化,被罗技、惠普、创新科技、三星、富士通、联想等应用,随着国际知名公司大规模应用"星光...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《科技开发动态》2003年第8期报导,该单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备技术,采用位向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底,通过磁控溅射沉积25～150...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是利用注氧隔离(SIMDX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。其特征是:将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 东芝是全球生产NAND闪存的主要供应商,最近该公司推出一种改进的NAND闪存,称为"芯片处于不关心模式(Chip Enable Don’t Care)"的NAND闪存,它允许微处理与...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 由香港高科技企业文化传信集团有限公司研发的"飞龙CPU"是中国人开发的全球第一个在CPU芯片中具有汉字产生器的单晶片系统,并具有全部自主知识产权。日前,"飞龙CPU"在香港面世。该芯...
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58. 最小的无线传输芯片刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《世界发明》2003年第6期报导,美国发明了一种超微型无线传输芯片,它能以移动通讯系统频率工怍。它属于美国"聪明灰尘"计划的一部分,在该计划范围内,科学家正在抓紧研制超微型电子装置...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《科技开发动态》2003年第11期报导.离子注入法制备AIN基稀释磁性半导体薄膜材料是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AIN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据美国《电子新闻》报道,IBM宣布,它将率先采用薄型SOI(硅绝缘体)大圆片芯片设计技术制造SiGe双极晶体管。这是IBM在同一个薄型SOI大圆片上制造SiGe双极晶体管和CMOS电...
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