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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 中芯国际规划在北京建立三座晶园厂,将于2004年第二季度开始陆续投入生产。中芯国际总裁张汝京说,该公司将与英飞菱(Infineon)合作,以0.11微米工艺生产DRAM。他表示,双方...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 近日,珠海南科宣布,将投资1.86亿美元,在广州科学城建华南首条微电子生产线。南科集团在科学城将主要设立单晶硅及8英寸集成电路生产项目,首期产量每月3万片,计划2004年底前投产。2...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《Semiconductor FPD World》(日)2003年第9期报道,台湾地区Chip MOS Teehnology在上海成立了Chip MOS上海公司,该公司计划成立两个...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据中国半导体信息网报导,上海作为长三角"硅谷"中的龙头老大,正以雄厚的实力领跑中国集成电路行业。2003年9月16日,在上海创新创业周的集成电路发展论坛上,上海市集成电路行业协会理事...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 权威市场调查研究机构Gartner公司日前公布,2002年亚太地区领先全球半导体制造业,其占全球市场总额的78.1%,总收入达82亿美元,比上一年的68亿美元增长了19.4%。200...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 日前,中国电子信息产业发展研究院研究部表示,我国集成电路产业已形成三大亮点。专家预计,到2005年中国集成电路销售额可达600～800亿元,并带动6000～8000亿元的相关信息产业...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 2003年中国IC卡市场与应用论坛在北京举行。本次论坛对我国IC卡市场的发展趋势及发展热点进行分析和探讨。赛迪顾问公司(CCID)在该论坛上公布了我国IC卡市场的现状及预测。赛迪顾问...
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8. 世界半导体市场加速反弹刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 世界半导体贸易统计协会(WSTS)发表报告说,2003年世界半导体市场规模达1607亿美元,比2002年增长14.2%。2002～2006年的中期预测,年均增长率为11.1%。 20...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 最近市场分析公司IC Insight发布的Mcclean Report显示,今年半导体市场的发展态势与1999年非常相似。 1999年第一季度有1%的负增长,第二季度基本持平,但第三...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据Display Search公司统计,2003年一季度全球LCD控制IC的发货量达1120万块,其中台湾占31.5%。台湾LCD控制IC厂商主要有10家,他们是晶捷(MRT)、晨星...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 世界半导体贸易统计机构的数据显示,2005年中国IC市场规模将达到287亿美元,复合年均增长率将达到25.5%。另外,iSuppli市场调研公司预测,到2006年,超过半数的全球半导...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据新华网报导,中国台湾地区4年内将建19家12英寸晶片厂,计划成为全球12英寸晶片厂最多的地区。这些晶片厂总投资为1.85万亿元新台币(约35元新台币合1美元),可创造3万个就业机会...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 Nitronex公司与航空电子产品制造商Rockwell Collins合作演示了一个120W破记录输出功率的GaN晶体管。该公司制作的这个GaN HEMT器件采用了其基线工艺,器件...
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14. 功率GaN HEMT开发成功刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据日本《电子材料》报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN-HEMT功率器件。随着无线通信系统通信容量的增加以及多信道化的发展,在系统内要求收发信机的低功耗和高密度化。...
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15. 日本出售SiC肖特基势垒二极管刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 日本供货商Rohm于2004年春季出售SiC肖特基势垒二极管。同时,它还将扩大产品范围,生产包括晶体管在内的多种器件以满足世界市场对SiC器件的强大需求。 Rohm肖特基势垒二极管尺...
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16. 新型3D半导体芯片技术刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据新加坡Tachyon Semiconductor公司报道,该公司开发了新型的3D半导体芯片技术。高密度匹配型3D芯片堆叠技术是利用铜对铜的热扩散来键合芯片,而不用附着或是介电层。
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 外延片开发制造商EpiWorks成功完成了一项开发生长掺C GaAsSb的合作研究项目,其合作伙伴Epichem提供该项目用的生长先驱物,InP衬底则由InPact公司提供。该项目旨...
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18. IBM开发了两项半导体制造新技术刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 IBM近日开发了两项可提高半导体元件性能,降低耗电量的半导体制造技术。一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(SOD)相结合的SSDOl技术,另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(C...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 ATF—501P8为高线性度单电压E—phemt(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管,专为发射功放器和接收低噪声放大器应用而设计,广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地...
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20. 导电性能极强的金刚石半导体刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《世界发明》2003年第8期报导,法国科学家将氢元素加入含有硼的P型金刚石半导体中,结果被研究材料转化成了一种N型金刚石半导体,其导电性比过去用传统方法制造的金刚石半导体高出近1万...
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21. 计算用的量子点刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 最初作为量子计算机支撑技术的量子点被认为是代替被俘原子的候选物。但是这必须能够操纵和测量其量子态。德国幕尼黑技术大学的研究人员发现一种方法,能够在GaAs发光二极管的工作区域对InG...
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22. 最小的无线传输芯片刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据《世界发明》2003年第6期报导,美国发明了一种超微型无线传输芯片,它能以移动通讯系统频率工怍。它属于美国"聪明灰尘"计划的一部分,在该计划范围内,科学家正在抓紧研制超微型电子装置...
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23. 集成电路制造业异军突起刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 我国第一个当代制造技术最高水平(12英寸、0.13微米)的超大规模集成电路生产线中芯国际北京项目于2002年9月29日正式启动。该项目总投资12.5亿美元,目前正在进行主体厂房和水、...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 据报道,IBM.Infineon和Chartered三家公司达成一项联合协议,共同加快65nm芯片制造技术的开发进程。目前最先进的芯片生产工艺是90nm。该项合作的基础是各家公司的优...
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25. 德开始新一轮纳米生物技术研究刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 德国决定启动新一轮纳米生物技术研究计划,以对介于纳米和生物技术之间的物理、生物、化学、材料和工程科学进行研究。第一批21个项目的参与资金为4000万马克,将在今后的6年内陆续投入1亿...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 华为公司宣布研制成功新一代WCDMA ASIC套片,包括调制、解调、编解码、数字中频通道等一系列芯片。华为技术部人士表示,这一套片集成了30多个系统专利和ASIC
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 Hittite Microwave公司宣布可提供8种新的MMIC VCO,用于2GHz～6.8GHz的测试设备、微波无线电设备和军事用途。这些MMIC VCO的制作采用了一种适当的生...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 日前,SynQor公司推出大电流、高效率的半砖DC/DC转换器。PowerQor Peta系列在单板上输出电流高达100A,采用开放框架封装。Peta系列转换器采用同步整流及SynQ...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 美国Cree公司扩大了其SiC肖特基整流器产品系列,现已拥有1200V器件,目前这种器件与正在生产中的600V器件一起进行试验。1200V器件包括To—220管壳封装的5A肖特基二极...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 【正】 安森美半导体日前推出NBSG72A——一种高带宽、完全差动交叉硅锗(SiGe)为基的开关、带输出电平选择功能。 NBSG72A能在高于7千兆赫以上的速度下工作,是业界最快的PECL交...
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