半导体信息期刊
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半导体信息

Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
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  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  1-2
    摘要: 【正】 一项新的不低于原18号文件扶植力度的产业政策将在几个月内出台,而这次政策的制定将回避WTO规则中对增值税等条件的限制,改在所得税、银行贴息等方面鼓励企业发展半导体产业。中美关于中国集...
  • 作者: 章从福
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  1-1
    摘要: 【正】 据《中国电子报》报道,2004年9月23日,国际微电子研讨会在北京召开。为期两天的会议探讨了2008年北京奥运商机与中国微电子产业发展。信息产业部副部长苟仲文、科技部副部长马颂德等领...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  4-4
    摘要: 【正】 《中国电子报》消息:目前,马来西亚第二大芯片封装测试商友尼森公司投资2.1亿美元,在成都高新西区建设芯片封装与测试工厂。这是仅次于英特尔的投资金额,成为成都第二大芯片封装与测试工厂。...
  • 作者: 章从福
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  5-6
    摘要: 【正】 据Gartner公司统计,今年全球半导体生产设备开销额将达到448亿美元,与去年相比增长50.9%。2005年的市场规模预计为508亿美元,涨幅仅为13.4%。而2006年和2007...
  • 作者: 刘广荣
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  6-6
    摘要: 【正】 据市场研究公司Gartner称,在中国市场强劲需求的推动下,亚太地区半导体行业今年将以全球最快的速度增长,销售收入将达到908亿美元,比2003年增长27.4%。在今后四年里,亚太地...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  7-7
    摘要: 【正】 英特尔公司日前宣布今年第二季度收入80.5亿美元,与上一季度大致持平,比去年同期增长18%。第二季度净收入达到18亿美元,与上一季度持平,比去年同期增长96%。每股收益为27美分,比...
  • 作者: 刘广荣
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  7-7
    摘要: 【正】 据iSuppli预计,闪存等多芯片封装产品(MCP)将在未来四年翻倍增长,其主要驱动力量是快速增长的手机等手持设备。今年的多芯片封装(MCP)产品的出货量为3.28亿片,到2008年...
  • 作者: 千里
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  11-12
    摘要: 【正】 2004年中国电子元件百强峰会论坛于5月21日在北京举行,同时并公布了2004年(第17届)电子元件百强名单。据了解,从1988年开始,我国每年都进行电子元件百强的排序评选工作,至今...
  • 作者: 程文芳
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  12-13
    摘要: 【正】 根据市场分析公司iSuppli预测,全球汽车电子芯片需求量2008年将达到245亿美元,比2003年增长一倍,远远超出同期半导体市场的平均增长速度。另有市场分析人士认为,汽车电子市场...
  • 作者: 刘广荣
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  14-15
    摘要: 【正】 美国半导体工业协会(SIA)日前预测,由于经济改善以及个人电脑和移动电话的需求量继续攀升,今年全球的半导体芯片销售量将大幅增长。根据美国半导体工业协会日前发表的年中报告,今年半导体的...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  19-19
    摘要: 【正】 近日,我国最大的单晶硅炉制造厂商之一,北京京运通真空设备厂最新研制的八英寸硅单晶炉JRDL800成功地生长出直径207毫米,等径长度501毫米,总长为721毫米的太阳能级硅单晶。经检...
  • 作者: 章从福
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  19-19
    摘要: 【正】 据报导,发明专利技术碳纳米管逻辑"或"门器件,包括衬底,在衬底上设绝缘层、碳纳米管、栅极、电极及电阻;在绝缘层上的沟槽内设两栅极,在两栅极两侧的绝缘层上的沟槽内设两电极;一碳纳米管与...
  • 作者: 羽冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  22-22
    摘要: 【正】 东芝美国公司推出一种多芯片封装(MCP)NAND闪存解决方案,这种1.8V MCP解决方案可在一个芯片级封装(CSP)内支持NAND闪存、SRAM以及SDRAM器件的组合。新MCP采...
  • 作者: 千里
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  23-24
    摘要: 【正】 据《科技报》日前报导,我国第一颗拥有自主知识产权的第三代手机(3G)芯片在上海研制成功,并在今年内可实现产业化。据悉,这一项目前已列入信息产业部和科技部3G产业基金项目。该芯片是由落...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  24-24
    摘要: 【正】 皇家飞利浦电子公司日前推出业内首个大功率、全数字D类放大器解决方案半导体参考设计。飞利浦整合了脉宽调制(PWM)技术,为用户带来高性能、即插即用的基于TDA8939TH的参考设计,单...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  25-25
    摘要: 【正】 《今日电子》报导,用拥有中国自己专利技术的开关电源芯片生产的手机充电器在天津手机国际采购配套会上成功展出。南京通华电信有限公司去年七月在国内率先研制出两款投入商用的开关电源芯片,包括...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  25-25
    摘要: 【正】 《中国电子报》消息:6月2日,中芯国际首台12英寸晶圆生产设备进厂。此设备将用于中芯国际位于北京的12英寸晶圆制造厂,该厂是在我国建设的首座12英寸晶圆厂,该设备的进厂标志着我国IC...
  • 作者: 程文芳
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  26-26
    摘要: 【正】 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出RMPA2453型号RF功率放大器模块(PAM),适合频带为2.4~2.5GHz的高性能无线局域网(WLA...
  • 作者: 刘广荣
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  27-27
    摘要: 【正】 中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)日前宣布,已经成功开发出基于0.35μm可擦写存储器的非接触性智能卡技术,据称可有效缩小非接触性智能卡的芯片面积最多达50%。中芯国际存储器技...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  27-28
    摘要: 【正】 美国《自然》杂志报导:日本科学家开发出一种纯度极高的碳化硅晶体,以该晶体制成的半导体将大大提高电子设备的效率。在碳化硅多种结晶类型中,立方体单晶的电性能最佳。与硅相比,碳化硅的导电率...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  28-28
    摘要: 【正】 近日,德国英飞凌公司发表新纳米科技技术,在不需高温的条件下用CVD催化法来制备平行排列的单壁式碳纳米管(SWCNT)以作成场效应晶体管,并用蚀刻法刻出源—漏区以与门级的触点。研究人员...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  30-30
    摘要: 【正】 《今日电子》2004年第8期报导:针对目前多由气体激光器来满足应用需要,日本NTT公司开发出一种能够制作可生成指定波长的固态激光器技术,这是以往用半导体器件所无法实现的。这项技术将半...
  • 作者: 章从福
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  31-31
    摘要: 【正】 日本科研人员日前研发出一种新工艺的半导体生产技术,用这种半导体技术生产出来的半导体产品质量比普通半导体高很多,能够抵御更加恶劣的气象条件,预计它将能够广泛用于电力系统、喷气发动机、火...
  • 作者: 刘广荣
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  32-33
    摘要: 【正】 经国家知识产权局唯一授权,上海硅知识产权交易中心现已建成全国第一个国家级集成电路行业专利数据库,日前已投入使用。该数据库覆盖集成电路技术相关的IC、IT等主要高新技术领域,全库涵盖从...
  • 作者: 陈裕权
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  33-34
    摘要: 【正】 Hittite微波公司宣布开发出用于点对点、点对多点、甚小孔径终端、军用和太空用途的三款新的GaAs pHEMT中功率放大器芯片。每款放大器为全匹配(50Ω)RF端口,使用一个+5V...
  • 作者: 陈裕权
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  34-34
    摘要: 【正】 Aethercomm公司推出了一种高功率C波段功率放大器,工作频率5.0~6.2GHz,25℃下1dB增益压缩(P1dB)功率最大值为20W,25℃下的饱和输出功率典型值为25W,输...
  • 作者: 陈裕权
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  36-37
    摘要: 【正】 AVX公司推出一种新系列800MHz—3GHz的高方向性、高隔离表面安装耦合器。所设计的集成薄膜(ITF)系列器件的方向性在20dB范围内。上述耦合器可用于全球定位系统(GPS)、无...
  • 作者: 陈裕权
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  37-37
    摘要: 【正】 RLC电子公司宣布开发出设计工作频率为DC~18GHz的PA系列二进制程控步进衰减器。两种基础型号为PA124和PA125的衰减器的衰减范围分别为0—15dB。步进1dB和0—70d...
  • 作者: 陈裕权
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  37-37
    摘要: 【正】 Mimix Broadband公司开发出GaAs单片微波集成电路(MMIC)接收机。该接收机包括一个三级低噪声放大器,后接一个镜相抑制电阻性PHEMT混频器、本振(LO)二倍频器和L...
  • 作者: 章从福
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2004年5期
    页码:  38-38
    摘要: 【正】 近日,日本大阪大学激光能源研究中心一个研究小组宣布,他们成功地用长度仅为1cm的微型玻璃管使电子加速,得到能量为1×10~8eV的高能电子束。研究人员认为,新成果不仅可用于开发对半导...

半导体信息基本信息

刊名 半导体信息 主编
曾用名
主办单位 中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所  主管单位
出版周期 双月刊 语种
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