半导体信息期刊
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半导体信息

Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
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  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  1-1
    摘要: 【正】一、国家将出台扶持半导体产业新政策,并且成立工作小组专门扶持半导体产业:预估前者可能在上半年出台,而后者可能在第二三季度。二、地方政府积极跟进半导体产业发展:多个地方政府将出台半导体产...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  2-2
    摘要: 【正】2014年已然到来,半导体厂商对今年的走势也是各抒己见,Spansion公司总裁兼首席执行官JohnKispert则认为,2014年将呈现五大趋势。一是2014年将是科技突破之年。在S...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  3-4
    摘要: 【正】据中国半导体行业协会的相关人士透露,有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕,目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉,政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面,尤其是本土自主...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  4-5
    摘要: 【正】晶体管想必对电子技术有一定了解的人都不会陌生。人类电子设备发展主要经历了电子管、晶体管、集成电路,再到大规模集成电路等几个阶段,其中晶体管是现代电子设备主要组成。目前,业界为提升电子设...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  5-5
    摘要: 【正】Vishay Intertechnology宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP,扩充其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。Vi...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  5-6
    摘要: 【正】2014年2月13日—许多终端应用,比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关—需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  7-7
    摘要: 【正】2014年1月8日,高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(MicrelInc.)推出一款85V半桥MOSFET驱动器MIC4605,...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  8-9
    摘要: 【正】意法半导体推出两款新的防潮射频(RF,radio-frequency)功率晶体管,以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。这两款50VRFDMOS器件的封装腔内填充凝胶,以防止裸...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  8-8
    摘要: 【正】2014年2月11日——英飞凌科技股份公司推出旨在提高智能手机数据速率的全新系列LTE低噪声放大器(LNA)和四频LNABank。LTE(也称为4G)是无线通信最新标准,支持高达300...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  9-10
    摘要: 【正】随着用于电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用的高压IGBT市场需求不断增长,高压和超高压IGBT栅极驱动器应运而生。日前,英国Amantys公司宣布推出一款针对高功率模块的I...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  10-10
    摘要: 【正】电阻与二极管将朝更微型化推进。随着行动与穿戴式装置配备的功能更趋多元,其搭载的电阻、齐纳(Zener)二极管及萧特基(Schottky)二极管等离散式(Discrete)元件体积亦被要...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  10-11
    摘要: 【正】拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT?公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.;)日前宣布,凭借高性能数字预失真(D...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  12-13
    摘要: 【正】2014年1月22日,凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出同步降压-升压型转换器LTC3111,该器件可在很宽的电源范围内工作,包括单节或多节电池...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  13-14
    摘要: 【正】2014年1月30日,凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出300MHz至6GHz有源下变频混频器LTC5577,该器件具有卓越的+30dBmIIP...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  14-15
    摘要: 【正】穿戴式装置续航力可望再突破。在三种主要的动作感测器--加速度计、磁力计及陀螺仪中,耗电量最高的非陀螺仪莫属,因此并非所有的穿戴式产品开发商都会导入陀螺仪,著眼于此,MEMS元件业者无不...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  15-16
    摘要: 【正】近日,中科院电工所马衍伟课题组通过金属镁热还原二氧化碳气体,成功制备出富含孔道结构、高性能的石墨烯电极材料。相关成果发表在《科学报告》杂志上。超级电容器作为新型储能器件,具有功率密度高...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  16-16
    摘要: 【正】据日本《读卖新闻》1月17日报道,日本政府日前确认了将在2015年开始研发可在宇宙空间内发挥作用的红外线传感器的方针。该传感器将搭载于预警卫星上,以收集导弹发射的信息。有分析认为,若该...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  17-17
    摘要: 【正】在2012年,佛罗里达大学的研究员发布了一篇报道称,他们将一层掺杂有三氟甲磺酰基-酰胺(TFSA)的石墨烯镀在硅晶片上,再使用这块硅晶片制成一个太阳能电池,这块太阳能电池的有效转化率可...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  17-18
    摘要: 【正】几乎所有继续依靠先进半导体工艺来带给自己芯片性能与功耗竞争优势的厂商,纷纷将自己的设计瞄准了即将全面量产的FINFET技术。除去已经量产两年的Intel之外,代工业的台积电(TSMC)...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  18-21
    摘要: 【正】当前业界都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人———除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20nm节点以...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  22-23
    摘要: 【正】中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  22-22
    摘要: 【正】2014年1月18日,由中国科学院科技促进发展局主持召开的"低热阻高光效半导体照明关键技术"科技成果鉴定会在中科院半导体研究所举行。成果鉴定会上,由清华大学周炳琨、北京大学甘子钊、中科...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  23-23
    摘要: 【正】芯片做的越小,理解内部原子结构就越重要。最近物理学家描述了一种纳米成像技术,该技术能够直接揭示载流子怎样在半导体晶体中运动。虽然所得到的第一个结论与标准理论一致,但是这种方法仍然可以证...
  • 作者: 江安庆
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  24-24
    摘要: 【正】2013年全球半导体市场上升4.4个百分点,达到3043亿美元,为历年最高。美洲、亚太和欧洲的销量分别增长10.3%、7.2%和4.3%,而日本销售下滑幅度达14.5%。2014年全球...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  24-27
    摘要: 【正】1.NXPNXP的逻辑器件以及二三极管,整体来说市场占比还是不错。去年10月开始,nxp的逻辑以及一些二三极管,普遍上调价格10%~20%不等,对于这些信息,月用量在以几K或者几十K计...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  27-28
    摘要: 【正】国际半导体设备暨材料协会(SEMI)近日公布最新年终预测,2013年全球半导体制造设备市场营收达320.2亿美元、年减13.3%,惟明(2014)年荣景可期,将出现23.2%的强劲成长...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  28-29
    摘要: 【正】我国半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,受到国家有关部门的大力扶持。近年来,我国半导体分立器件行业不断发展壮大。据海关信息网统计,今年1-11月我国出口二极管及类似半导体器件(以下...
  • 作者: 郑畅
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  29-32
    摘要: 【正】最近几年,在半导体之中,功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力,用于充电装置和马达。如今,这种半导体已配备于家电、汽车、工业机械、铁路...
  • 作者: 季建平
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  32-33
    摘要: 【正】与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  33-34
    摘要: 【正】MEMS智能化时代的核心交互器件。MEMS(微机电系统)是指集微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统。在智能化"感知"时代,MEMS以其体积...

半导体信息基本信息

刊名 半导体信息 主编
曾用名
主办单位 中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所  主管单位
出版周期 双月刊 语种
chi
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