半导体信息2020年第3期出版文献-钛学术文献服务平台

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半导体信息

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Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。

主办单位：

中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所

ISSN：

CN：

出版周期：

双月刊

邮编：

210016

地址：

南京市1601信箱43分箱（南京市中山东

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热门刊内文献

年度刊次

1. 科技部:组建若干国家实验室同时重组国家重点实验室体系

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 1-2

摘要：央视网消息:基础研究是创新之源,也是科学技术进步的关键。5月9日,国务院新闻办公室举行国务院政策例行吹风会,介绍2019年国务院部门办理人大代表建议和政协委员提案情况。科技部副部长李萌在回答...
2. 5G射频前端发展有这3大趋势射频氮化镓(GaN)正走向主流

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 2-4

摘要：电信通讯技术发展到5G世代,频率升高,频宽增加已经是个趋势,这促使射频重要性不断提升,且单颗射频芯片的价格也持续增加。根据Skyworks资料显示,4G高阶旗舰机型每颗射频价格为28美元,5...
3. 碳化硅材料受到总书记关注——习近平调研山西综合改革示范区

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 2-2

摘要： 5月12日,习近平在山西太原考察调研。上午,总书记来到了山西转型综合改革示范区,了解示范区改革创新发展情况。在示范区政务服务中心的大厅内,总书记参观了信息技术创造区,半导体区,生物产业区的科...
4. 台湾长庚大学发表氮化镓5G通讯技术

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 4-5

摘要：长庚大学邱显钦教授团队,近期在研发5G通讯元件及节能氮化镓功率元件方面,成果丰硕;此外,电子系金国生教授接受台湾中山科学研究院电子所委托,执行经济部科专计划"具备自测功能的毫米波基地台天线技...
5. 助力新基建安世半导体升级GaN产品线

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 5-7

摘要：近日,安世半导体宣布推出新一代H2技术的全新650V GaN(氮化镓)FET。重点应用场合包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器;1.5~5kW钛金级工业电源,...
6. 碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为5G铺平道路

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 7-11

摘要：电信行业连接着全球数十亿人和数百万家企业。电信行业的增长是以新技术为基础的。这些新技术使互联互通成为可能,为用户提供颇具吸引力的新功能,并证明升级和扩大蜂窝网络基础设施的投资是合理的。伴随着...
7. 碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 11-12

摘要：今年早些时候,思科(Cisco)发布了其更新版的视觉网络指数,预测在2017年至2022年期间,移动数据流量将增长七倍,达到每月77.5艾字节(EB)。这相当于通过移动网络移动了存储在190...
8. 美研发出新型氮化镓器件 5G技术峰值速率超预期

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 12-13

摘要：据报道,美国科研人员研发出了一款名为"谐振隧穿二极管"的新型氮化镓基电子器件,其应用于5G技术峰值速率超越了预期。研究人员表示:"氮化镓基‘谐振隧穿二极管’比传统材料‘谐振隧穿二极管’的频率...
9. 镓特半导体发布GaN-on-GaN垂直器件外延结构

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 13-14

摘要：垂直氮化镓功率器件具有革新功率器件产业的潜力,尤其在对电压有较高要求方面的应用,如600V以上的垂直氮化镓器件。根据材料的物理特性,相较于传统的硅基功率器件和新出现的纯碳化硅功率器件,在特定...
10. 新型GaN/Ga2O3 HEMT以及Ga2O3/GaN异质结构的外延生长

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 14-16

摘要：来自德国和意大利的研究人员一直在探索在蓝宝石衬底上生长ε-多型氧化镓(ε-Ga2O3)和氮化镓(GaN)集合的外延生长方法,以期将其应用在高电子迁移率晶体管(HEMT)中(Stefano L...
11. 加州大学利用碳化硅(SiC)材料提高UVC LED光效强化杀菌成果

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 18-19

摘要：光电协进会(PIDA)指出,UVC LED主动杀菌消毒正获市场青睐。当冠状病毒(COVID-19)大流行时,加州大学圣塔芭芭拉分校固态照明与能源电子中心(SSLEEC)的材料科学家已经在研究...
12. 英飞凌推出采用D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET MOSFET瞄准电池供电应用

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 19-20

摘要：英飞凌科技股份公司进一步壮大StrongIRFET 40-60V MOSFET产品阵容,推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力,可针对...
13. ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 20-21

摘要： ROHM开发出"1200V第4代SiC MOSFET",非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短,两者之间存在...
14. Nexperia发布P沟道MOSFET 采用节省空间的坚固LFPAK56封装

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 21-22

摘要：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56(Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标...
15. Diodes推出3.3mm单芯片封装双MOSFET

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 22-22

摘要： Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款产品。DMN3012LEG以较小的封装提供更高的效率,从而在各种电源转换和控制应用中提供了可观的成本,功率和空间节省...
16. Alpha Omega推出1.2kV 65mΩ碳化硅MOSFET

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 23-23

摘要： Alpha Omega推出1.2kV 65mΩ碳化硅MOSFET,这是该公司首次推出SiC相关产品。"经过多年的开发,我们很高兴将SiC技术添加到Alpha Omega的产品组合中。"公司董...
17. 金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 23-26

摘要：氮化镓(GaN)现在很火。而更火的是,为了进一步提高GaN的性能,不同厂商竞相将GaN与其他材料集成在一起。"无论是在器件级还是系统级,金刚石基氮化镓都可以提供高导热率、高电阻率和小尺寸。因...
18. Yole对宽禁带半导体的应用与展望

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 26-27

摘要： Power Electronics公司在采用宽禁带(WBG)器件(如GaN和SiC)方面取得了良好的进展。虽然硅仍然主导着市场,但氮化镓和碳化硅设备的出现将很快引导技术转向更有效的解决方案。...
19. 5nm工艺起飞ASML宣布全新半导体技术:产能大涨600%

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 27-28

摘要：提到荷兰ASML公司,大家都知道他们是全球唯一的EUV光刻机供应商,7nm及以下的工艺生产都要靠他们的设备。不过ASML不只是光刻机厉害,今天他们宣布了另外一个新产品——第一代HMI多光束检...
20. Semico研究报告预测2020年半导体销售“略有下滑”

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 28-28

摘要：美国半导体研究公司(semio Research)的一份最新报告预测,2020财年全球半导体销量只会下降0.22%,该公司的研究显示,尽管全球经济因COVID-19大流行而陷入低迷,但202...
21. SiC开启百亿市场更有望取代硅功率器件千亿市场

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 29-30

摘要：碳化硅(SiC)功率器件前景亮丽,市场驱动力主要基于四大应用领域:1)太阳能的PV(光伏)逆变器,主要提高电源的转换效率。2)新能源汽车(EV/HEV)中的电力驱动系统。3)开关电源,用于服...
22. 市场分析Strategy Analytics:射频氮化镓在5G市场的应用仍待明朗国防应用可能先起飞

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 30-32

摘要：美国市场研究机构策略分析(Strategy Analytics)公司在《2018-2023年射频(RF)氮化镓(GaN)市场预测》报告中预测,2018年RF GaN器件的营收增长了近22%,...
23. GaN功率元件可望作为5G替代材料

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 34-35

摘要：据SBWIRE预测,GaN功率元件市场将从2017年的四千万美元成长至2023年的1.9亿美元,2017年至2023年的复合年成长率为29%。光电协进会产业分析师林政贤认为,推动GaN功率元...
24. 新冠疫情带动GaN、SiC快速进入市场这两家厂商正在积极扩大布局

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 35-36

摘要：新冠肺炎疫情全球蔓延,在家远距工作及远距教学成为新常态,并带动资料中心服务器、5G高速网络等需求爆发,其中,5G基地台及服务器电源系统开始大量采用SiC(碳化硅)元件,GaN(氮化镓)元件亦...
25. 成本桎梏亟待解决碳化硅6英寸衬底有望价格砍半

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 36-37

摘要：目前碳化硅在充电桩市场中渗透率不高,主要原因归根到底还是在于成本。业内资深专家袁工向《华强电子》记者表示:"在功率器件领域,电压等级不同器件价格有所差异。在同电压等级下,碳化硅功率器件的价格...
26. 晶圆代工大厂积极投入GaN制程开发

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 36-36

摘要：近来,晶圆代工厂积极布局第三代半导体材料氮化镓(GaN),除龙头厂台积电已提供6吋GaN-on-Si(硅基氮化镓)晶圆代工服务外,世界先进GaN制程也预计年底送样,联电同样积极投入GaN制程...
27. 供应收缩MOSFET迎来涨价潮

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 38-39

摘要：从2018年至2019年,MOSFET行业经历了长达一年的去库存调整周期,到2019年下半年,库存已经基本消化完毕。但2020年初的一场新冠疫情,使得市场的节奏被打乱。不过,随着国内疫情逐步...
28. 实现碳化硅完全自主供应中电科4英寸晶片量产

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 39-40

摘要：据中央纪委国家监委网站指出,目前中国电科(山西)碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产,6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证,为客户提供小批量的产品试用,预计年底达到产...
29. 三安光电拟160亿元在长沙投建碳化硅等化合物第三代半导体产业园

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 39-39

摘要：三安光电6月16日晚间公告,公司拟160亿元在长沙投资半导体产业化项目。近年来,三安光电在化合物半导体领域持续发力,长沙项目也是三安光电在泉州三安之后又一个聚焦化合物半导体的项目。三安光电称...
30. 台积电宣布在美建半导体工厂:采用5纳米工艺,支出百亿美元

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年3期

页码: 40-40

摘要： 5月15日,半导体代工巨头台积电宣布,计划在美国亚利桑那州建设和运营一家半导体工厂。该工厂将采用5纳米的先进制程工艺,计划在2021年开工建设,2024年投产。台积电表示,这座新工厂每月将生...

半导体信息基本信息

刊名	半导体信息	主编
曾用名
主办单位	中国半导体行业协会分立器件分会中国电子科技集团公司第五十五研究所	主管单位
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN		CN
邮编	210016	电子邮箱	bdxx@chinajournal.net.cn
电话	025-868581	网址
地址	南京市1601信箱43分箱（南京市中山东