论文降重
免费查重
出版文献量（篇）
478
总下载数（次）
1
总被引数（次）
1404
半导体杂志
分享
投稿
主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
出版文献量（篇）
478
总下载数（次）
1
总被引数（次）
1404
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 在考虑声子之间相互作用的同时，本文应用线性组合算符法研究了电子自旋对一些半导体弱耦合二维磁极化子基态能量的影响，计算结果表明电子自旋能量与磁极化子总基态能量或与其它能量成分之比随磁场的增加而...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 根据相律探索出相平衡形成母液法生长磅镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单，外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法，成功地生长出ｘ＝０．２１－０．２３，表面光亮，结构完整的碲镉汞液相外延...
-
33. CZSi中Ge增强氧外扩散现象刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 在退火处理时，Ｇｅ易与Ｓｉ中Ｏ形成易挥发的ＧｅＯ复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ增强了氧的外扩散，有利于内吸附工艺的实现。
-
34. 多孔硅表面冷电子发射的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 本文研究了多孔硅二极管表面发射电子的特性。ＰＳ二极管由薄金膜、ＰＳ层、ｎ型Ｓｉ衬底和欧姆接触铝背电极组成。在真空中，当在金属电极和铝背电极间加适当高的正电压且在收集极板和金电极间存在高外电场...
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 综述当前ＧｅＳｉ／Ｓｉ、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ、ＰｔＳｉ和ＧａＮ光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术－分子束外延制备的ＧｅＳｉ／Ｓｉ等人工超...
-
36. 宽禁带半导体材料特性及生长技术刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 叙述了宽带半导体材料ＳｉＣ、ＧａＮ的主要特性和生长方法，并对其发展动态和存在问题进行了简要评述。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 本文分析了压阻型压力传感器的零点温产生的原因，并介绍几种补偿技术。
-
刊名： 半导体杂志发表期刊： 1999年4期页码:摘要： 介绍了ＡＳＩＣ设计过程中电源，地压点个数的选择原则；列出了芯片内部电源、地布线宽度的计算方法；讨论了电源，地线在芯片上的走向；最后给出了设计实例。
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
半导体杂志评价信息
半导体杂志统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
