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国外电力电子技术期刊
出版文献量(篇)
193
总下载数(次)
2
国外电力电子技术
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投稿
主办单位:
机电部西安电力电子技术研究所
ISSN:
CN:
61-1125/TM
出版周期:
季刊
邮编:
710061
地址:
西安市朱雀大街202号
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193
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2
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1991年
1990年
1989年
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1.
100mm晶闸管中的等离子体扩展损耗
作者:
Somo. IL 张秀澹
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
2.
电力有源滤波器消除交流谐波的一个新的注入法
作者:
Choe. GH 康浩亮
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
3.
互补电路用的低损耗大功率静电感应晶闸管
作者:
Kvshi. T 陈力才
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
4.
交流传动用单片功率达林顿晶体管的计算机辅助设计和瞬态分析
作者:
Jasu. KL 王黛琳
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年3期
摘要:
5.
桥式变流器中双极晶体管的反向导通
作者:
Cathe. F 钟桂清
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年4期
摘要:
6.
晶闸管临界上升率全自动测试台
作者:
Suiuk. M 陈军安
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
7.
绝缘门极双极晶体管在零电流开关变流器中的应用
作者:
Ranga. R 温绍森
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
8.
高频相控DC—AC变流器
作者:
Harad. K 邓明华
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
9.
采用非对称晶闸管的新型McMurray逆变器
作者:
Zach FC 白长生
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
10.
MOS耗尽型晶闸管—一种新型MOS控制的双极功率器件
作者:
Bali. BJ 陈力才
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
11.
新的低损耗GTO晶闸管的设计
作者:
Taylo PD 张昌利
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
12.
晶闸管整流部采用PWM控制的电流型GTO逆变器—感应电机传动系统
作者:
Matsu. K 付蒲生
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
13.
MCI/FET复合开关—小硅片具有高性能
作者:
Ripp. WE 俞苹
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年3期
摘要:
14.
在逆变器应用中IGBT功率模块向双极晶体管MOSFET发起挑战
作者:
Furuh. S 俞苹
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年3期
摘要:
15.
PWM逆变器中GTO晶闸管的开关损耗和工作频率极限
作者:
Heuma. K 郭恒毅
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年3期
摘要:
16.
方波谐振功率变流器
作者:
Imber. P 李卓智
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
17.
互补绝缘门极双极晶体管(CIGBT)—一种新型功率开关器件
作者:
Bois. DM 王鸿麟
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
18.
1800V/300A非破坏性双极型电力晶体管测试仪
作者:
Carpe. G 罗兴宪
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
19.
硅功率器件的边缘钝化与电稳定性的关系
作者:
Salka. S 俞苹
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年3期
摘要:
20.
最小电网电流谐波和最高功率因数的整流器的设计
作者:
Kell. AW 付蒲生
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年4期
摘要:
21.
磁芯的高频测量技术(续)
作者:
李卓智 韩晓东
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年4期
摘要:
22.
具有n缓冲层和新的阳极短路结构的6000V GTO
作者:
Ogura Tsuneo 俞苹
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
研制出用于大功率逆变器和斩波器的6000V GTO,为了获得高的阻断电压,且同时具有低的开通和关断损耗,采用了n缓冲层和圆柱型阳极短路结构相结合的方法。通过n缓冲层结构所实现的550umn...
23.
分立MOS—双极达林顿功率开关设计中的一些问题
作者:
Sujit K Biswas 陈
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
作为大功率开关用途,通常采用分立达林顿结构,在这种结构中,通过电流较小的功率MOSFET驱动主双极功率晶体管,这种结构兼有两种开关的优点,并产生一种大功率高频开关,降低了对驱动的要求,但是,...
24.
VVVF逆变装置的技术动向
作者:
田方进 许文侠
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
25.
效率达90%的MOSFET同步整流器第一部分
作者:
Bijan Mohades 王
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年1期
摘要:
26.
MOS控制晶闸管的电路应用特性
作者:
Jahn. TM 蔚红旗
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
27.
横向MOS栅极功率器件—一种统一的观点
作者:
Darw. MN 计宏
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
28.
智能功率技术综述
作者:
Bali. BJ 刘欣荣
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年2期
摘要:
29.
伪谐振全桥DC/DC变流器
作者:
Oliver D 钟桂清
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年4期
摘要:
30.
高频汞弧灯用高功因数电力变换装置的开发
作者:
小松崎一
刊名:
国外电力电子技术
被引次数:
0
发表期刊:
年3期
摘要:
国外电力电子技术基本信息
刊名
国外电力电子技术
主编
曾用名
主办单位
机电部西安电力电子技术研究所
主管单位
出版周期
季刊
语种
ISSN
CN
61-1125/TM
邮编
710061
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电话
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西安市朱雀大街202号
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