国外电力电子技术1990年第3期出版文献-钛学术文献服务平台

出版文献量（篇）

193

总下载数（次）

国外电力电子技术

投稿

主办单位：

机电部西安电力电子技术研究所

ISSN：

CN：

61-1125/TM

出版周期：

季刊

邮编：

710061

地址：

西安市朱雀大街202号

出版文献量（篇）

193

总下载数（次）

文章浏览

热门刊内文献

年度刊次

1. 电力电子学—一门勃然兴起的技术

作者： Bose.,BK 李卓智

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 1-7

摘要：
2. MOS控制晶闸管技术的进展

作者： Tem.,VAK 张秀澹

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 8-9

摘要：
3. MOS门发射极开关晶闸管

作者： Bali.,BJ 俞苹

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 10-11

摘要：
4. MCI／FET复合开关—小硅片具有高性能

作者： Ripp.,WE 俞苹

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 12-15

摘要：
5. 采用硅片修补技术的大面积MOS—GTO

作者： Stois.,M 俞苹

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 16-17

摘要：
6. 在逆变器应用中IGBT功率模块向双极晶体管MOSFET发起挑战

作者： Furuh.,S 俞苹

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 18-20

摘要：
7. 场控晶闸管—一种具有改进电路的功率半导体新器件

作者： Gruen.,H 王黛琳

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 21-24

摘要：
8. 4.5KV3000A大功率逆导GTO晶闸管

作者： Hashi.,O 季凌云

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 25-27

摘要：
9. 具有N过渡层和新的阳极短路结构的低开关损耗...

作者： Ogura.,T 陈力才

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 28-30

摘要：
10. 大电流GTO的设计依据

作者： Yatsu.,T 李佑特

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 31-34

摘要：
11. PWM逆变器中GTO晶闸管的开关损耗和工作频率极限

作者： Heuma.,K 郭恒毅

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 34-39

摘要：
12. 高压直流输电和静止无功补偿用高压晶闸管

作者： Hitle.,H 郭彩霞

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 39-42

摘要：
13. 击穿电压高于20KV的超高压硅PN结

作者： Astr.,EV 陈力才

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 42-43

摘要：
14. 功率MOSFET栅极驱动提供过电流保护

作者： Buon.,RN 蔚红旗

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 44-45

摘要：
15. 谐振自流环节逆变器驱动交流电机的控制

作者： Raja.,KS 李明

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 46-48

摘要：
16. 正向变流器中无损耗关断吸收电路的设计

作者： Tanak.,T 白继彬

刊名：国外电力电子技术

发表期刊： 1990年3期

页码: 48-52

摘要：

国外电力电子技术基本信息

刊名	国外电力电子技术	主编
曾用名
主办单位	机电部西安电力电子技术研究所	主管单位
出版周期	季刊	语种
ISSN		CN	61-1125/TM
邮编	710061	电子邮箱
电话		网址
地址	西安市朱雀大街202号

国外电力电子技术评价信息

国外电力电子技术统计分析

被引趋势

(/次)

(/年)

学科分布

研究主题