半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 刘斌 刘莹 宋颖娉 沈光地 艾伟伟 郭霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  161-165
    摘要: 高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证.本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退...
  • 作者: 盛金龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  166-169
    摘要: 概述了半导体制造中清洗技术所面临的挑战及生产中存在的问题,分析了解决问题的途径,讨论了当前IC制造中关键清洗技术的发展方向.对于国产清洗设备制造业的发展提出了自己的看法.
  • 作者: 王慜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  170-172
    摘要: 六西格玛(6σ)管理是建立在世界众多管理大师的理论以及世界成功企业的最优实践基础上的一种质量管理新理念.这一管理理念对传统质量成本理论提出了挑战,文章指出改进传统质量成本核算模式的必要性.
  • 作者: 夏建新 杜江锋 杨谟华 罗谦 龙飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  173-175,179
    摘要: 采用应力测试方法,获得了AlGaN/GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系.实验结果表明,应力导致漏极电流崩塌56.2%;不同电压应力条件下,只要所加时间足够长和电压足够大,相同栅压的电流...
  • 作者: 常美茹
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  176-179
    摘要: 根据线切割机的工作原理,切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产生包括机械应力和热应力在内的应力,进而产生滑移位错.当机械应力和热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时,会...
  • 作者: 赵英伟 路孟喜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  180-182,193
    摘要: 提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系.应用GeNIe决策系统软件,以PECVD淀积台的真...
  • 作者: 刘志军 王绍东 谢媛媛 高学邦 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  183-185
    摘要: 论述了GaAs PHEMT开关器件的建模,介绍了利用微波电路设计软件ADS建立GaAs PHEMT开关模型的方法,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数.提取开关模型是研制控制电路的关键,...
  • 作者: 刘玉岭 周建伟 李薇薇 檀柏梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  186-188
    摘要: CMP后大量颗粒吸附在芯片表面,根据颗粒在芯片表面的吸附状态,确立优先吸附模型.利用特选的表面活性剂优先吸附在芯片表面可以有效控制杂质的吸附状态,使之处于易于清洗的物理吸附.实验表明,特选的...
  • 作者: 何怡刚 彭浴辉 李必安
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  189-193
    摘要: 提出了一种新型的连续小波变换处理电路.电路中采用复解调技术实现小波变换,对变换系数进行了模数转换,可以与数字处理芯片接口,实现了信号的实时处理.电路完全采用对数域电流模式实现.对电路的主要模...
  • 作者: 刘晨晖 张穆义 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  194-198
    摘要: 介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解...
  • 作者: 胡平生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  199-200,206
    摘要:
  • 作者: 陈亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  201-202,216
    摘要:
  • 作者: 古文刚 张增照 李志国 聂国健 莫郁薇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  203-206
    摘要: 通过对多芯片组件(MCM)的结构、失效模式和机理的分析,提出了适合我国生产实际的MCM失效率预计模型.采用加速寿命试验和点估计法获得了膜电阻的基本失效率λRT和布线与工艺基本失效率λC;并采...
  • 作者: 科利登系统有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  207-208
    摘要:
  • 作者: 俞跃辉 邹世昌 郑智宏 陶凯
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  209-211
    摘要: 利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜.卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在.X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有...
  • 作者: 孙万峰 徐茵 秦福文 顾彪 马世猛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  212-216
    摘要: 在改进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学汽相沉积(ECR-PEMOCVD)装置(ESPD-U)中,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底...
  • 作者: 成立 李加元 李华乐 王振宇 瞿烨 贺星
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  217-221,226
    摘要: 简要论述了半导体纳米材料的发展历史及其特点,着重讨论了当前国内外主要的几种半导体纳米材料的制备工艺技术,包括溶胶-凝胶法、微乳液法、模板法、基于MBE和MOCVD的纳米材料制备法、激光烧蚀法...
  • 作者: 崔占忠 徐立新 李彦旭 林蔚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  222-226
    摘要: 在静电探测输出信号特性分析的基础上,引入了静电探测信号检测电路,根据滤波性能指标,设计了适用于静电探测的低通滤波器,并对所设计的模拟低通滤波器进行了仿真验证.该滤波器在400Hz以内基本上没...
  • 作者: 何怡刚 彭良玉 黄满池
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  227-230
    摘要: 用电流传送器实现的E型频变负阻、接地电感和浮地电感作为单元电路,提出了实现高阶椭圆高通滤波器的设计方法.用该方法设计的有源滤波电路具有无源梯形网络原型的低灵敏度特性,给出了五阶椭圆高通滤波器...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  231-233
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  234-242
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  前插1-4
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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