半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 刘利 刘英坤 陈欣华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  401-409
    摘要: 半导体产业是信息技术革命的基础,半导体产业发展规划引领半导体产业发展,在国家科技战略中具有举足轻重的作用.在借鉴发达国家半导体产业规划促进经济发展成功经验的基础上,利用内容分析软件着重研究中...
  • 作者: 刘会东 刘永强 张力江 蔡树军 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  410-413,418
    摘要: 基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器.通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能.测试1~40 GHz器件的S参数...
  • 作者: 吴飞鸟 李玉玲 罗艳红 高山城 高飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  414-418
    摘要: 介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能.通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能.如果集成BOD转折电压太高,不能有效保...
  • 作者: 冯志红 吕元杰 敦少博 沈群力 韩婷婷 顾国栋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  419-422
    摘要: 研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的A1GaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8 μm....
  • 作者: 任永学 宁吉丰 张宇 赵润 车相辉 陈宏泰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  423-427
    摘要: 研制了一款大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器.针对高功率900 nm隧道级联激光器存在的光学灾变损伤(COD)和工作电压高等问题,通过Lastip软件和波导模拟软件,设计并优化了...
  • 作者: 吴东平 潘建峰 许鹏 陈玫瑰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  428-433
    摘要: 研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用.在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si (100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试.通过在频...
  • 作者: 童宇峰 肖胜安 雷海波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  434-437,451
    摘要: 激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤.基于一种国产激光退火设备,对激光退火工艺的关键参数如激活率、激活深度与工艺条件之间的关系进行了研究.结果表明:双激光具有比单激光更...
  • 作者: 付兴昌 刘相伍 崔玉兴 王川宝
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  438-441
    摘要: 针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原...
  • 作者: 唐晓琦 淮璞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  442-446
    摘要: 随着器件小型化技术的发展,硅芯片厚度成为了发展超薄封装的关键问题.为了实现大尺寸硅片减薄到100 μm的批量生产,研究了减薄工艺原理和大尺寸(以直径为200 mm为例)Si片超薄工艺的控制点...
  • 作者: 回双双 季静佳 李果华 陆红艳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  447-451
    摘要: 提高背反射率、降低背表面复合速率是提高太阳电池转换效率的重要研究方向之一.SiNx薄膜因其良好的钝化特性不仅应用在传统太阳电池发射极钝化,也同时应用在局部背接触太阳电池(PERC)背表面,起...
  • 作者: 徐进良 杨卧龙 纪献兵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  452-458
    摘要: 针对现有热特性测试及评价标准尚不完善的问题,以功率型发光二极管(LED)的精确热特性测试及评价为目标,采用光热一体化测试技术对不同的LED灯珠进行了热特性测试,研究了测试电流对K值标定及结温...
  • 作者: 崔琦 张培凤
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  459-463
    摘要: 非接触迁移率测试是一种测试载流子浓度以及迁移率的新型方法,与传统的范德堡霍尔测试相比,具有无损测量和分层测试等诸多优点.分别采用传统的范德堡霍尔测试法和新型的非接触迁移率测试法对不同帽层厚度...
  • 作者: 刘宁希 姜钰 林殷茵 董庆 陈浩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  464-468
    摘要: 提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路.该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本.采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器...
  • 作者: 张瑞霞 彭浩 沈育蓉 迟雷 黄杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  469-473
    摘要: 功率监测是检验微波系统是否正常工作最常用又比较有效的技术手段.对于复杂的微波系统需要对多个微波信号端口同时进行监测的情况来说,传统的功率监测方法成本太高,很难满足使用的要求.为了满足多系统长...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年6期
    页码:  474,476
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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