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半导体技术2017年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年6期页码:摘要： 碳化硅(SiC)作为新型材料,在高温、高频和大功率等领域中具有很大的潜力.SiC功率半导体器件在电力电子电路中应用广泛,提取精确的物理模型参数对电力电子电路设计尤为重要.在对SiC肖特基二极...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年6期页码:摘要： 设计并制作了一种新型分布反馈(DFB)光栅激光二极管结构.采用传输矩阵法模拟得到了不同光栅耦合因子、不同结构下随机相位对归一化阈值增益差和性能参数分布的影响;对高于阈值增益情况下激光二极管的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年6期页码:摘要： 设计了一款基于生物应用的截止频率为38.49 Hz的5阶跨导电容(Gm-C)低通滤波器.首先利用电流互抵技术设计实现了一款低Gm的运算跨导放大器(OTA),并基于此OTA,采用无源电感电容(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年6期页码:摘要： 采用Ag离子辅助化学刻蚀法制备了多晶黑硅薄片,使用NaOH溶液处理多晶黑硅表面,增大其表面纳米孔直径,使SiNx薄膜能够均匀覆盖整个黑硅表面,提高黑硅的钝化效果,进而提高多晶黑硅电池光电转化...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年6期页码:摘要： 下填充流动是确保倒装芯片可靠性的重要封装工艺,其流场和流动过程具有明显的二维特征,通过降维得到的二维化数值分析新方法能高效地模拟下填充流动过程.针对一种焊球非均匀、非满布的典型倒装芯片,用该...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年6期页码:摘要： 基于上海微系统与信息技术研究所0.13 μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年6期页码:摘要： 提出了一种基于频谱响应特性的集成电路故障预测技术,该技术成功实现了数字芯片SP3232E在故障诊断与故障预测中的应用,并验证了其在电子元器件的故障诊断与故障预测上的可行性与有效性.实验结果表...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 随着微电子机械系统(MEMS)消费市场的不断增长,微器件的可靠性问题将是未来数年MEMS研究面临的新挑战.针对国内外近年来在微机械失效方面的主要研究内容,综述了基于MEMS工艺微机械的主要失...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 基于0.15 μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC).采用栅宽比为1:4.4的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 研制了一种以SiO2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器(FBAR)窄带滤波器.研究了SiO:层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO:层时的温度补偿特性进行了仿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 基于130 nm CMOS工艺设计了一款特高频(UHF)频段的锁相环型小数分频频率综合器.电感电容式压控振荡器(LC VCO)片外调谐电感总值为2 nH时,其输出频率范围为1.06～1.24...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 采用二次外延重掺杂n+ GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻.将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCMAPD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响.模拟结果表明,吸收层、倍增层厚...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响.利用传输线模型(TLM)对样品的电学性能进行测试,使用原子力显微镜(A...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注.研究了一种利用氢化物气相外廷(HVPE)系统生长高质量的GaN纳米柱的方法.使用镍作为催化剂,在蓝宝石衬底上生长出...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一.研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3％的前提下,外延层...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 鉴于有限元分析耗时耗资源的缺点,为了加速集成电路的互连可靠性分析,提出将传统的有限元建模和人工神经网络(ANN)建模技术结合来实现IC的建模和仿真分析.采用有限元ANSYS参数化设计语言(A...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 为了研究凸点材料对器件疲劳特性的影响,采用非线性有限元分析方法、统一型黏塑性本构方程和Coffin-Manson修正方程,对Sn3.0Ag0.5Cu,Sn63Pb37和Pb90Sn10三种凸...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件.采用光致发光(PL)技术、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 提出了一种基于区域分割技术的硬件木马检测方法,通过电路设计和检测相结合的方式,在电路内植入能生成多种测试向量的自测试模块,且不同测试向量可使目标区域电路内部节点在工作时具有高、低翻转率的差异...
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82. 晶圆激光切割技术的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 采用稳懋公司150 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款5 ～ 10 GHz单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).该LNA采用三级级联结构,且每一...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 为了满足脑电信号(EEG)记录阵列的应用需求,设计了一种全差分的低噪声、低功耗放大器电路.该电路利用亚阈值区晶体管作为伪电阻,与输入电容和反馈电容形成高通通路,有效抑制了输入信号的直流失调电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对脉冲频率调制(PFM)开关电源(SMPS)集成电路,提出了抗电磁干扰(EMI)设计的两种方法.通过采用零电流检测电路,控制开关电源集成电路中的开关金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统.该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： Ni/Ag/Ti/Au金属系反射镜电极广泛用于GaN基垂直结构发光二极管(LED)的传统制造工艺.这种电极需要进行高温长时间整体退火才能获得高质量的欧姆接触,但对电极的反射率和器件性能影响较...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响.对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压(J-V)和电容-...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8 μm LDMOS工艺成...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si) pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔“凹槽”状结构.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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