半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  321-329,334
    摘要:
  • 作者: 于洁 吴会丛 吴楠 李斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  330-334
    摘要: 采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并实现了一款单片宽带混频器.该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以...
  • 作者: 周雅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  335-339,399
    摘要: 提出了一种基于负阻退化技术的2.4 GHz高线性亚阈值混频器,该混频器相对于传统结构而言,增加了两个交叉耦合电容.由于该结构的内部负阻退化技术抵消了寄生电容,因而降低了寄生电容对增益和线性度...
  • 作者: 刘亚荣 杨丽燕 王永杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  340-346,357
    摘要: 利用Cadence集成电路设计软件,基于SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺,设计了一款2.488 Gbit/s三阶电荷泵锁相环型时钟数据恢复(CDR)电路.该CDR电路采用双环...
  • 作者: 曹增波 李晓波 杨私私 王静辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  347-351
    摘要: 近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜...
  • 作者: 刘江 潘艳 王耀华 赵哿 金锐 高明超
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  352-357
    摘要: 高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效.对p+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p+深阱平面栅非穿通IGBT (NPT-IGBT).对NPT-IGBT的静态...
  • 作者: 余应森 刘志慧 屠孟龙 张伟珊 柴广跃
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  358-362,386
    摘要: 高压(HX)倒装LED是一种新型的光源器件,在小尺寸、高功率密度发光光源领域有广泛的应用前景.设计了4种不同工作电压的高压倒装LED芯片,进行了流片验证,并对其进行了免封装芯片(PFC)结构...
  • 作者: 凌超 孙湖 游小杰 肖春俊 黄先进
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  363-370
    摘要: 逆导型IGBT (RC-IGBT)是将IGBT功能与续流二极管功能集成在一个芯片上,实现了在相同封装体积下,可获得更大的功率密度,由于IGBT与二极管紧密的移相热耦合,在相同散热条件下,RC...
  • 作者: 唐彬浛 李富银 王颖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  371-375,386
    摘要: 采用直流磁控溅射法分别将Cu (Ti)和Cu (Cr)合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10-3 Pa)中退火1h,退火温度为300 ~ 700℃.对Cu (Ti...
  • 作者: 周浪 周耐根 孙喜莲 岳之浩 王涛 田罡煜 袁吉仁 高超 黄海宾
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  376-381,386
    摘要: 采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜.利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H2体积流量和热丝与衬底之间的距离对...
  • 作者: 修向前 张士英 张荣 李悦文 陈丁丁 陈琳 陈鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  382-386
    摘要: 采用金属Ga升华法在石墨烯/蓝宝石衬底上生长了高质量GaN纳米线,研究了不同的生长条件,如NH3流量、反应时间、催化剂和缓冲层等对GaN纳米线形貌的影响,采用扫描电子显微镜(SEM)对GaN...
  • 作者: 伍征义 刘志敏 张娇 徐婷婷 李毅 蒋蔚 陈培祖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  387-393
    摘要: 相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质.为了制备基于VO2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上...
  • 作者: 买买提热夏提·买买提 亚森江·吾甫尔 阿布都艾则孜·阿布来提 高宝龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  394-399
    摘要: 在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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