半导体技术期刊
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38

半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
文章浏览
目录
  • 作者: 张九娥 王振禄 董丽梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  481-488
    摘要: 随着微电子机械系统(MEMS)消费市场的不断增长,微器件的可靠性问题将是未来数年MEMS研究面临的新挑战.针对国内外近年来在微机械失效方面的主要研究内容,综述了基于MEMS工艺微机械的主要失...
  • 作者: 武继斌 蔡道民 魏碧华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  489-492,498
    摘要: 基于0.15 μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC).采用栅宽比为1:4.4的...
  • 作者: 李丽 李宏军 贾英茜 高彦彦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  493-498
    摘要: 研制了一种以SiO2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器(FBAR)窄带滤波器.研究了SiO:层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO:层时的温度补偿特性进行了仿...
  • 作者: 付兴昌 王宗成 赵宇 黄红云
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  499-504
    摘要: 基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相...
  • 作者: 林敏 陈卓俊 韦祚东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  505-510
    摘要: 基于130 nm CMOS工艺设计了一款特高频(UHF)频段的锁相环型小数分频频率综合器.电感电容式压控振荡器(LC VCO)片外调谐电感总值为2 nH时,其输出频率范围为1.06~1.24...
  • 作者: 冯志红 吕元杰 宋旭波 房玉龙 田秀伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  511-515,530
    摘要: 采用二次外延重掺杂n+ GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻.将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场...
  • 作者: 于浩 尹顺政 张宇 李庆伟 赵润 车相辉 郝文嘉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  516-520
    摘要: 基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCMAPD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响.模拟结果表明,吸收层、倍增层厚...
  • 作者: 刘新宇 李培咸 郑英奎 陈诗哲 霍荡荡 魏珂
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  521-525,550
    摘要: 研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响.利用传输线模型(TLM)对样品的电学性能进行测试,使用原子力显微镜(A...
  • 作者: 修向前 王琦楠 陈丁丁 陈琳 陶志阔
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  526-530
    摘要: GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注.研究了一种利用氢化物气相外廷(HVPE)系统生长高质量的GaN纳米柱的方法.使用镍作为催化剂,在蓝宝石衬底上生长出...
  • 作者: 张志勤 薛宏伟 袁肇耿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  531-535,560
    摘要: 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一.研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层...
  • 作者: 林倩 蒋维 陈民海
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  536-543
    摘要: 鉴于有限元分析耗时耗资源的缺点,为了加速集成电路的互连可靠性分析,提出将传统的有限元建模和人工神经网络(ANN)建模技术结合来实现IC的建模和仿真分析.采用有限元ANSYS参数化设计语言(A...
  • 作者: 刘建松 姚全斌 曹玉生 林鹏荣 练滨浩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  544-550
    摘要: 为了研究凸点材料对器件疲劳特性的影响,采用非线性有限元分析方法、统一型黏塑性本构方程和Coffin-Manson修正方程,对Sn3.0Ag0.5Cu,Sn63Pb37和Pb90Sn10三种凸...
  • 作者: 孟庆超 张伟 张莉沫 张运锋 潘明翠 高文宽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  551-554
    摘要: 研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件.采用光致发光(PL)技术、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(...
  • 作者: 于宗光 周昱 迟归鹏 雷淑岚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年7期
    页码:  555-560
    摘要: 提出了一种基于区域分割技术的硬件木马检测方法,通过电路设计和检测相结合的方式,在电路内植入能生成多种测试向量的自测试模块,且不同测试向量可使目标区域电路内部节点在工作时具有高、低翻转率的差异...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊