半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  1-14,47
    摘要: 固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究...
  • 作者: 付振 刘芳 唐晓柯 张海峰 李建强 袁远东 陈燕宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  15-23
    摘要: 随着金属氧化物半导体(MOS)集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变.介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯...
  • 作者: 刘家瑞 李浩明 王志宇 王晓锋 田荣倩 虞小鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  24-30,74
    摘要: 提出并实现了一款采用相位噪声优化技术的特高频(UHF)频段小数分频频率综合器,其工作频率为0.8~1.6 GHz.采用死区消除技术减少了鉴频鉴相器和电荷泵的噪声对系统的影响.采用分布式变容管...
  • 作者: 刘海涛 吴俊杰 张理振 徐宏林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  31-35
    摘要: 串行接口常用于高速数据传输,实现多路低速并行数据合成一路高速串行数据.设计了一种高速并串转换控制电路,实现在低频时钟控制下,通过内部锁相环(PLL)实现时钟倍频和数据选通信号,最终形成高速串...
  • 作者: 李元景 胡海帆 赵自然 马旭明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  36-41
    摘要: 以获得高量子效率的pin硅光电探测器阵列为目标,对影响pin硅光电探测器阵列量子效率和暗电流的重要因素展开了分析,此外针对探测器入射面的抗反射层结构进行了理论分析与模拟的仿真研究.流片测试结...
  • 作者: 刘军 朱袁科 李文钧 陆海燕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  42-47
    摘要: 提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法.在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应.提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-...
  • 作者: 孙玉华 张宝顺 张璇 曾春红 杨涛涛 林文魁 鞠涛 韩军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  48-52
    摘要: 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层...
  • 作者: 刘宜霖 张礼 檀柏梅 路一泽 高宝红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  53-58
    摘要: 基体温度是影响金刚石薄膜生长质量的重要因素之一.基于有限元分析法,通过AN-SYS CFX软件对基体温度场进行模拟仿真,得到基体表面温度场的分布,并分别讨论了热丝-基体距离、热丝间距、水冷系...
  • 作者: 刘峰松 陆金 陶有飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  59-62
    摘要: 针对由金属-绝缘体-金属(MIM)电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10%的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施.采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征...
  • 作者: 杨霏 赵志斌 邓二平 郭楠伟 陈杰 黄永章
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  63-69
    摘要: 基于密度泛函理论和第一性原理,对4H-SiC晶格中5种点缺陷(VC,VC-C,填隙B,替位B和替位P)的晶格常数、电荷布居、能带等微观电子结构进行了计算,并从缺陷形成能、杂质电离能和载流子浓...
  • 作者: 姚兴军 方俊杰 杨家辉 章文俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  70-74
    摘要: 为了预测倒装芯片封装中的下填充过程,通常要首先通过繁复的方法来求解平均毛细压.为了避免此问题,从能量的角度分析了倒装芯片封装工艺中的下填充流动过程.认为下填充是较低表面能的界面代替较高表面能...
  • 作者: 杨连营 樊欣欣 陈秀国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年1期
    页码:  75-80
    摘要: 针对变电所中通信电源的核心器件电力金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET,P-MOSFET)在大功率、强电流下易损坏、故障率高,直接影响电力通信业务的安全稳定运行的问题,提出...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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