半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  81-103
    摘要: 3功率晶体管与逻辑电路 金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展.在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展.金刚石晶体管以...
  • 作者: 郑晴平 王如 吴彤熙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  104-110
    摘要: 硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术.抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素...
  • 作者: 白丽霞 祝运嵘 王晴雯 杨骏 陈铖颖 祁楠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  111-116,123
    摘要: 面向高速串行接口应用,设计了一款25 Gibit/s的大摆幅电压模逻辑发送器.输出驱动器由3个相同的子驱动器并联而成,且每个子驱动器都包含依据二进制权重递增的5个驱动单元,从而实现32种不同...
  • 作者: 刘锡锋 王津飞 林婵 居水荣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  117-123
    摘要: 工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片.所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿...
  • 作者: 乔明昌 张志国 王衡
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  124-128
    摘要: 基于SiC衬底0.25 pm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器.通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件...
  • 作者: 丁有源 王青松 牛伟东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  129-133,157
    摘要: 基于0.25 μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片.该芯片的移相器采用磁耦...
  • 作者: 李鹏飞 魏淑华 康玄武 张静 吴昊 孙跃 郑英奎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  134-138,168
    摘要: 采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响.利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后...
  • 作者: 孟锡俊 王晓东 闫建昌 曾一平 李晋闽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  139-143,157
    摘要: 着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题.结果表明,高Al组分的A...
  • 作者: 闫音蓓 赵志斌 杨艺烜 彭程
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  144-151
    摘要: IGBT模块一般采用多芯片并联的方式进行封装,但由于模块参数、驱动控制等差异,模块内部存在电流分布不均衡的问题.相比于稳态电流分布,瞬态电流分布的影响因素众多,是研究的热点.针对IGBT的芯...
  • 作者: 潘大力 杨瑞霞 张嵩 董增印
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  152-157
    摘要: 氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法.为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比...
  • 作者: 杨振涛 彭博 刘林杰 高岭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  158-163,168
    摘要: 以AlN材料为陶瓷基材,采用陶瓷绝缘子的射频传输端口结构及陶瓷焊球阵列封装形式,结合多层陶瓷加工工艺,设计并制备了一款可封装多个芯片的X波段AlN陶瓷外壳.采用应力仿真软件对外壳进行结构设计...
  • 作者: 王娟娟 曾传滨 李江江 倪涛 李晓静 李多力 罗家俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  164-168
    摘要: 为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80 μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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