半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 李立本 杨德仁 林磊 阙端麟 马向阳
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1273-1276
    摘要: 通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温...
  • 作者: Hideki Oka Kunihiro Suzuki 于民 张兴 王阳元 黄如
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1277-1280
    摘要: 在考虑硅原子团簇的尺寸对其俘获半径的影响的基础上提出了一个改进的模型,来描述团簇的退火行为,并给出了点缺陷的表面复合速率的表达式.为了验证此模型,给出了动力学蒙特卡洛方法的模拟结果,模拟结果...
  • 作者: 张进城 王冲 王峰祥 郝跃
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1281-1284
    摘要: 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,室温和77K温度下的电子迁移率分别为946和2578cm2/(V*s),室温和77K温度下2D...
  • 作者: 余志平 王燕 田立林 祃龙
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1285-1290
    摘要: 在考虑AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了AlGaN/GaN HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、...
  • 作者: 姚飞 成步文
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1291-1295
    摘要: 从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0...
  • 作者: 张义门 张玉明 郜锦侠
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1296-1300
    摘要: 在考虑源漏串联电阻的基础上,建立了一组适用于SiC PMOSFET的解析模型.计算结果与实验结果符合得很好.
  • 作者: 何福庆 朱世富 赵北君 金应荣 陈松林
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1301-1305
    摘要: 对MIS(金属-绝缘体-半导体)接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察.结果表明,负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到CdSe晶片中,且晶片表面的电子能级密度越高,电子注入就越快,探测...
  • 作者: 张兴 程行之 许晓燕 谭静荣 黄如
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1306-1310
    摘要: 在分析半经典模型和量子模型的基础上,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型.栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好.
  • 作者: 刘德明 李蔚 黄德修
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1311-1314
    摘要: 利用平面波导结构中的双折射效应并结合模式理论,设计了一种新型SiO2/Si基的保偏波导起偏器,使得两个正交偏振模式中的TM模式被截止,TE模式可以通过.利用三维有限差分光束传输法(3D FD...
  • 作者: 余金中 夏金松 樊中朝 王章涛 陈少武
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1315-1318
    摘要: 设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91%,功耗为0.35W,调制速度约为27μs.减小多...
  • 作者: 刘文楷 安艳伟 张存善 林世鸣
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1319-1323
    摘要: 半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦...
  • 作者: 余金中 刘敬伟 王小龙 陈少武
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1324-1330
    摘要: 利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间...
  • 作者: 冯军 熊明珍 王志功 王骏峰 袁晟
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1331-1334
    摘要: 给出一种利用0.18μm CMOS工艺实现的注入式振荡器辅助锁相环.在1.8V电源电压下,电路工作频率为7.3GHz,功耗为157mW,跟踪范围为150MHz,锁定时在1‰(7.3MHz)频...
  • 作者: 刘洪民 刘训春 张海英 王润梅 罗明雄
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1335-1337
    摘要: 0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器...
  • 作者: 曾璇 王健 童家榕 陶俊
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1338-1344
    摘要: 提出了一种新的自动压扩方法,适用于基于子波配置方法的模拟电路行为级建模.该压扩方法采用的压扩函数根据模块输入-输出函数的奇异性自动生成,因而这一方法具有通用性,可应用于任意输入-输出函数的电...
  • 作者: 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
    发表期刊: 2004年10期
    页码:  1345-1348
    摘要: 在SIMOX和Smart-cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET,虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小,但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件...
  • 作者: 姚宁 张兵临 杨仕娥 樊志琴 马丙现 鲁占灵
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1349-1354
    摘要: 在不同预处理条件的不锈钢衬底上,利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法从甲烷和氢气的混合气体中沉积碳纳米管薄膜,并对其场发射性能进行了研究.实验发现,不锈钢衬底的机械抛光和酸洗,能...
  • 作者: 谢福增 马艳
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1355-1359
    摘要: 介绍了一种用于半导体激光器-单模光纤耦合的圆锥端半球透镜的耦合效率的理论计算.失配不存在时,耦合效率随着锥长的增加而减小.失配存在时耦合效率随轴向和角向失配的增大而减小.
  • 作者: 夏君磊 安俊明 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 郜定山
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1360-1363
    摘要: 以深刻蚀和热氧化工艺为基础,提出了一种新的阵列波导光栅(AWG)制备技术.这一工艺可使AWG中的波导侧向留有一硅层.采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效...
  • 作者: 曹克 杨华中 汪蕙
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1364-1369
    摘要: 研究了一种具有高线性的CMOS低噪声放大器,其工作电压可以低于1V.在这个电路中,加一个工作在线性区的辅助MOS管以提高线性特性.仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点,其代价远小于传统方法...
  • 作者: 张世林 梁惠来 毛陆虹 郭维廉 钟鸣
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1370-1375
    摘要: 讨论了谐振隧穿二极管(RTD)的两种微波等效电路模型:类江崎隧道模型(QETM)和量子阱注入传输模型(QWITM)之间的差异,并用最小二乘法拟合实验数据,提取了两种模型的电路参数.理论分析和...
  • 作者: 任谦 常昕 张国义 方慧智 杨华 杨志坚 章蓓 陆敏 黎子兰
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1376-1380
    摘要: 用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及...
  • 作者: 李思渊 王永顺 胡冬青
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1381-1385
    摘要: 介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延.采用两步外延工艺,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响.硅烷流量大、初始诱生时间短,则单晶硅条宽,多晶硅横向蔓延弱,但外延层质量可能较差...
  • 作者: 吕苗 娄建忠 杨瑞霞 胡小东 赵正平
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1386-1390
    摘要: 采用分布式微机械传输线结构实现了两位移相器,并且为了减小传输线负载电容和驱动电压首次提出了用共面波导传输线来驱动微机械桥的结构(共面波导驱动结构).结果显示驱动电压小于20V,20GHz时两...
  • 作者: 任俊彦 王照钢 许俊 陈诚
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1391-1397
    摘要: 介绍了一个采用折叠内插结构的CMOS模数转换器,适合于嵌入式应用.该电路与标准的数字工艺完全兼容,经过改进的无需电阻就能实现的折叠模块有助于减小芯片面积.在输入级,失调平均技术降低了输入电容...
  • 作者: 傅军 刘理天 王军军 齐臣杰
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1398-1402
    摘要: 提出一种二氧化硅/多晶硅/二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压.模拟结果显示,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎100%达到平行平面结的理想值.
  • 作者: 周润德 杨骞
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1403-1408
    摘要: 提出了能量回收阈值逻辑电路(ERTL).该电路把阈值逻辑应用到绝热电路中,降低能耗的同时也降低了电路的门复杂度.并且提出了一种高效率的功率时钟产生电路.该功率时钟电路能够根据逻辑的复杂度和工...
  • 作者: 周强 张轶谦 洪先龙 蔡懿慈
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1409-1415
    摘要: 提出了在精确时延模型下,满足时延约束的缓冲器数目最小化的算法.给出一个两端线网,该算法可以求出满足时延约束的最小缓冲器数目.运用高阶时延模型计算互连线的时延,运用基于查找表的非线性时延模型计...
  • 作者: 吴有亮 杨中 洪先龙 董社勤
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1416-1422
    摘要: 给出了直角多边形模块自由度的定义和公式,扩展了最小自由度优先原则,使算法能够处理任意直角多边形模块以及有相对约束的模块.实验结果说明该方法在布局效果和效率上都有良好的表现.
  • 作者: 党学明 冯叶 刘洪图 左健 徐传明 徐军 杨晓杰 许小亮 黄文浩
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  1423-1427
    摘要: 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与CuGa3Se5 A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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研究主题
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