论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体学报(英文版)期刊 >
半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
分享
投稿
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
分享
文章浏览
目录
-
181. VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方...
-
182. 渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对Ⅲ-Ⅴ族的AlxGa1-xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟...
-
183. P型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法--圆点...
-
184. 微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p-型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 推导出描述铁电电容电气特性的新模型.铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容)和非开关电容(普通线性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成.根据实验测试的...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC～9GHz频率范围内,简化后的模型可对...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS...
-
191. 双极晶体管△Vbe瞬态热阻测试法精度修正刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 对三沟道BCCD(bulk charge-coupled device)在近红外光区的光电特性进行了研究.结果表明,锗制的三沟道BCCD不能在近红外光区实现多光谱成像.通过理论分析,找到了一...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 以Si基SiO2平面光波导为基础,设计并制备了50/100GHz AWG型光学梳状滤波器.制备得到的AWG型光学梳状滤波器可以覆盖1520～1585nm的波长范围,共有160个信道.功率输出...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究.实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20～80℃的温度区间内,器件的斜率效率由0.3mW/mA降到0.2mW/mA.根...
-
195. MEMS多层膜残余应力全场光学在线测试刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 提出了一种基于背面腐蚀的多层膜残余应力测试方法.此法可以简化测量过程,仅需要依次腐蚀基片背面的各层薄膜,用激光全场测量法测出相应的曲率半径,而无须腐蚀基片正面有用层,就可以提取各层薄膜的残余...
-
196. 焊料键合实现MEMS真空封装的模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 结合典型的焊料键合MEMS真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了封装腔体的真空度与气体吸附和解吸、气体的渗透、材料的蒸气压、气体通过小孔的流动等的数学模型,确定了其数值模拟的算法.通过...
-
197. 一种改进的旋转式微机械结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 给出了一种改进的旋转式微机械薄膜残余应变测试结构.与已有的普通微旋转结构相比,改进的微旋转结构执行梁的宽度都保持一致.改进的微旋转结构在旋转变形之后,整个执行梁都会发生弯曲变形,所以在变形之...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45G...
-
199. 一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 介绍了一种用于频率综合器的2.4GHz CMOS注入锁频倍频器的设计和实现.从理论上重点分析了模拟倍频器的锁频范围和相位噪声特性.当电源电压为3.3V,输入信号为400mV时,电路输出幅度为...
-
200. 考虑缺陷形状分布的IC成品率模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 实现了基于圆缺陷模型的蒙特矩形度之间的关系,提出了更具有一般性的两种集成电路成品率模型,它们分别对应于矩形度相同和不同的缺陷.仿真结果表明该模型为成品率的精确表征提供了新途径.
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优...
-
202. 厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能量为70keV,第二次注入能量为120keV,获得了硼离子的...
-
204. 用分布电容模型分析和优化差分电感刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 建立了预测片上等效寄生电容的片上电感分布电容模型.预测和解释了差分电感的自激振荡频率的差异.实测数据显示,与单端驱动模式下的相同对称电感相比,差分驱动模式电感提高最大品质因数127%,具有更...
-
205. 采用MEMS技术制作的螺线管电感刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用微机电系统技术制作了螺线管电感.为了获得高电感量和Q值,采用UV-LIGA、干法刻蚀、抛光和电镀技术,研制的电感大小为1500μm×900μm×70μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 成功研制了GaAs基MOEMS可调谐RCE光探测器.该器件采用单悬臂梁结构,在6V的小调谐电压下,获得了31nm的连续调谐范围.在调谐过程中,峰值量子效率最大为36.9%,最小为30.8%;...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 报道了用于10Gbit/s传输的DFB激光器和EA调制器对接集成器件的设计、制作和器件特性.工作主要集中于两个方面:提高激光器和调制器间的光学耦合;通过减小调制器电容提高调制带宽.集成器件显...
-
209. 二氧化硅光波导刻蚀参量及掩膜的优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 硅基二氧化硅光波导是光通信中的关键器件.采用光刻胶以及金属作为掩膜进行了反应离子刻蚀二氧化硅光波导的工艺研究,获得了刻蚀速率及刻蚀选择比相对各工艺参数变化的三维神经网络模型.利用一种新型的用...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 设计并流片制作了基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段微波单片集成压控振荡器(MMIC VCO).该VCO具有紧凑、宽电调谐带宽及高输出功率的特点.提出了缩小芯片面积及增大调谐带宽的方法,同...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
