第2页_半导体学报(英文版)2005年第12期出版文献-钛学术文献服务平台

文献导航

检索期刊

出版文献量（篇）

6983

总下载数（次）

总被引数（次）

35317

半导体学报(英文版)

投稿

Journal of Semiconductors

曾用名：半导体学报

CA CSCD JST AJ SA CSTPCD

影响因子 0.2430

本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

主办单位：

中国电子学会和中国科学院半导体研究所

期刊荣誉：

中科院优秀期刊二等奖（90） 全国优秀期刊三等奖（92） 全国优秀期刊三等奖（97）

ISSN：

1674-4926

CN：

11-5781/TN

出版周期：

月刊

邮编：

100083

地址：

北京912信箱

出版文献量（篇）

6983

总下载数（次）

总被引数（次）

35317

文章浏览

热门刊内文献

年度刊次

2022年
2021年
2020年
2019年
2018年
2017年
2016年
2015年
2014年
2013年
2012年
2011年
2010年
2009年
2008年
2007年
2006年
2005年

12期

11期

10期

9期

8期

7期

6期

5期

4期

3期

2期

1期

z1期
2004年
2003年
2002年
2001年
2000年

31. 漂移区纵向线性掺杂的SOI高压器件研究

作者：孙伟锋孙智林时龙兴陆生礼

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2005年12期

页码: 2286-2289

摘要：随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOI LDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最大值,而...
32. 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

作者：李瑞贞韩郑生

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2005年12期

页码: 2303-2308

摘要：提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通...
33. MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用

作者：张晓丹徐步衡耿新华薛俊明赵颖陈新亮

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2005年12期

页码: 2363-2368

摘要：研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为...
34. 接触效应对小型半导体温差发电器性能的影响

作者：屈健李伟江李玉东李茂德

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2005年12期

页码: 2440-2444

摘要：针对小型半导体温差(TEG)发电器中接触热阻和接触电阻的影响进行了分析研究.结果表明,接触热阻和接触电阻只在2mm以内的电偶臂长度内有明显影响;在电偶臂长度小于1mm时,输出功率和热电效率均...
35. 大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计

作者：冯小明林涛王俊郑凯马骁宇

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2005年12期

页码: 2449-2454

摘要：本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名	半导体学报(英文版)	主编	王守武
曾用名	半导体学报
主办单位	中国电子学会和中国科学院半导体研究所	主管单位	中国科学院
出版周期	月刊	语种	eng
ISSN	1674-4926	CN	11-5781/TN
邮编	100083	电子邮箱	jos@semi.ac.cn
电话	010-82304277	网址	www.jos.ac.cn
地址	北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录

1.	化学文摘(美)
2.	中国科学引文数据库
3.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
4.	文摘杂志(俄)
5.	科学文摘(英)
6.	中国科技论文统计与引文分析数据库