论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体学报(英文版)期刊 >
半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
分享
投稿
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s 40V高场应力后,蓝宝石衬底 AlGaN/GaN HEMT饱和漏电流下降5.2%,跨导下降7.6%.从器...
-
273. 射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加...
-
275. 隧道结TiOx线宽度对隧穿现象的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基...
-
276. GaN基激光器电子阻挡层的优化分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al...
-
277. 用注入锁模法改善DFB激光器的频率响应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 验证了通过注入锁模方法,分布反馈(DFB)半导体激光器的频率响应可以得到明显的改善.实验中通过一个环形器,将主激光器的输出光注入到从激光器.测量了从激光器在有注入光和没有注入光时的光谱和频率...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pn...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 对半导体光放大器(SOA)放大的自发发射(ASE)谱进行了实验和理论研究,并且分析了SOA端面反射率对ASE谱的谱宽以及平坦度的影响.结果表明,不恰当的抗反膜会严重减小输出光谱的带宽;而在采...
-
280. 硅基波导共振增强型光电探测器的设计与模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用FRESNEL光学软件和MATLAB编程,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差对耦合效率的影响.发现在芯片横向偏移、芯片倾斜和管帽倾斜这三种操作误差中,管帽倾斜对封装组件的...
-
282. 减小DC-DC中斜坡补偿对带载能力的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 电流模PWM集成DC-DC变换器设计中,为了防止亚谐波振荡而普遍采用的斜坡补偿,会在占空比较大时严重影响芯片的带载能力.文中提出的方法减小了斜坡补偿对最大电感电流的影响,从而在大占空比时电感...
-
283. 单片集成低功耗神经信号检测CMOS放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了可用于植入式神经信号检测的放大器芯片.电路适用于卡肤电极系统,包括低噪声前置放大级、由电流模仪表放大器构成的主放大级、输出缓冲级和恒跨导偏置级.电...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 开发了一种在空气中具有几十飞克质量分辨率的谐振式微机械悬臂梁生化质量检测传感器.在悬臂梁上面实现了使用惠斯通压阻电桥检测和洛伦兹力线圈驱动集成结构.与通常的一阶模态谐振传感器不同,为了显著提...
-
285. 新型的视频自适应均衡芯片设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 设计了一款新型的视频自适应均衡芯片.采用自适应算法与内置576抽头数字滤波器完成重影消除的所有功能.芯片高度集成,内嵌DSP控制器、存储器、同步检测器、D/A、A/D及用户编程.该芯片采用3...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 在SMIC 0.18μm CMOS工艺下实现了一种工作在0.6～1.5V下的基准源.分别采用环路增益法和返回比法对其中的自偏置放大器和核心电路的环路特性进行了分析.芯片输出的基准电压为0.4...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和1...
-
289. SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DT...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出了实现在一个2.4GHz零中频接收机中的一种正交相位自校准方法.这种方法基于一个采用提出的正交相位检测器的延迟锁定环路来大大减小正交相位误差.该接收机采用0.18μm CMOS工艺实现....
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 计算了Sb掺杂SrTi1-xSbxO3(x=0,0.125,0.25,0.33)体系电子结构,分析了掺杂对SrTiO3晶体的结构、能带、态密度、分波态密度的影响.所有计算都是基于密度泛函理论...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计了工作在2GHz,差分控制的单片LC压控振荡器,并利用0.18μm CMOS工艺实现.利用模拟和数字(4位二进制开关电容阵列)调频技术,压控振荡器的调频范围达到16.15%(1.8998...
-
293. CMOS有源像素传感器特性分析与优化设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计了一个三管有源像素和其用开关电容放大器实现的双采样读出电路.该电路被嵌入一64×64像素阵列CMOS图像传感器,在Chartered公司0.35μm工艺线上成功流片.在8μm×8μm像素...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出了一种新型的系统矫正结构CMOS音频功率放大器.该放大器是由4个单端运放组成的伪差分结构.相对于传统的CMOS功率放大器,它具有低功耗、超低THD、易于补偿、驱动能力强等优点.采用1st...
-
295. 微波功率器件的扇形线测试电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了两种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模...
-
296. 一种新的有源OLED交流驱动电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 在电流编程像素电路的基础上提出了一种新的交流驱动电路结构.该电路结构不仅能实现OLED的交流驱动,而且能避免由于制作过程的变化和长时间的工作引起的驱动管阈值电压漂移的现象,这种现象将导致OL...
-
297. 三值双传输管电路的通用综合方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出采用双传管逻辑设计三值电路的方法,对每个MOS管的逻辑功能均采用传输运算予以表示以实现有效综合.建立了三值双传输管电路的反演法则和对偶法则.新提出的三值双传输管逻辑电路具有完全基于标准C...
-
298. 低损耗衬底上实现无源低通滤波器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬...
-
299. 用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接...
-
300. 掺锰硅材料的电流振荡特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 用高温扩散方法制备出补偿Si∶(B,Mn)材料,并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系.结果表明:在一定光照和电场范围内(276～305V/cm),电阻率为104Ω·cm的材料...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
