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半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射...
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302. 钛酸锶钡薄膜微细图形的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用化学修饰的溶胶凝胶工艺,制备了具有紫外光感应特性的钛酸锶钡(Ba0.8Sr0.2TiO3)溶胶及其凝胶薄膜.提出了钛酸锶钡薄膜微细加工的新方法,即以苯酰丙酮(BzAcH)为化学修饰剂,乙...
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303. Pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现:结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Co γ射线100Gy(Si)～10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAs HBT功率管.其击穿电压B...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用速率方程与Volterra变换方法,分析了垂直腔面发射激光器在微波模拟调制情况下,频率、自发辐射因子以及自发辐射寿命对三阶谐波和三阶互调失真的影响.结果表明垂直腔面发射激光器的非线性失真...
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311. 高速光探测器频率响应的精确表征刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出一种新的基于分布布拉格反射可调激光器的光外差频率响应测试系统,并给出了准确有效的校准方法来消除输出光功率和拍频线宽的波动等引起的误差,从而可以精确表征高速光探测器的频率响应特性.通过对标...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 通过运用Si3N4和SiO2作掩膜,采用各向同性和各向异性腐蚀液,利用硅的腐蚀自停止特性,实现了硅梁的纳米宽度控制,同时利用多次氧化在SOI材料上实现了纳米厚度控制,最终成功批量制作了硅纳米...
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315. MEMS薄膜材料参数在线测试方法与技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 给出了一种MEMS薄膜材料参数的在线测试技术与方法.这种技术包括微测试结构图形、测试硬件设备和测试分析软件.它能够快速测试MEMS薄膜的主要性能参数,并且测试设备和测试方法都与集成电路测试方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行...
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317. Sagnac滤波器的自动补偿刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出了对双折射光纤Sagnac滤波器的自动补偿方案,将其粘贴在大热膨胀系数的基底材料上,使双折射光纤Sagnac滤波器自动补偿其光谱波长对温度产生的漂移.经过封装后双折射光纤Sagnac滤波...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果...
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319. 两种热驱动结构在微型电场传感器中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计并制备出两种新型电热驱动微型静电场传感器.一种利用了V型梁阵列作为驱动结构,另一种引入了位移放大机构.针对传感器的弱电流输出信号,建立了基于锁相放大器的测试系统对两种传感器的输出信号进行...
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320. 基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 针对片上系统测温及其过温保护问题,提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器.CSMC 0.6μm数模混合工艺仿真表明,其在-50～150℃的温度范围内,都能良好工作,且因为运放...
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321. 2.5Gb/s混合集成光发射机刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CM...
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322. 超深亚微米CMOS工艺参数波动的测量电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用"放大"的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电...
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323. 多电流路径抑制片上电感电流拥挤效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 对芯片尺寸封装(CSP)中Sn-3.5Ag无铅焊点在热循环加速载荷下的热疲劳寿命进行了预测.首先利用ANSYS软件建立CSP封装的三维有限元对称模型,运用Anand本构模型描述Sn-3.5A...
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325. 适用于神经接口的硅基微电极制作刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 采用表面MEMS工艺制作了二维多通道的硅基微电极阵列,用于提取脑神经电信号.在整个工艺制作过程中需要三步光刻,制作的硅针长1.2mm,宽100μm,厚30μm,同时各个记录点的间距为200μ...
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326. 一种低功耗高频CMOS峰值检测电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 给出了一个低功耗、高频CMOS峰值检测电路,可以用于检测射频信号和基带信号的峰值.该电路的设计基于中芯国际0.35μm标准CMOS工艺.理论分析和后仿真结果都表明,在工艺偏差以及温度变化条件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统.使用带宽50GHz的数字采样示波器,首次直观地展现了门模式(即盖革模式)工作状态下,单光子探测的模式和过程.并且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 基于介电连续模型与Loudon的单轴晶体模型,推导分析了纤锌矿准一维量子阱线中的准受限(QC)光学声子模及相应的电子-QC光学声子之间的相互作用函数.对一个AlN/GaN/AlN纤锌矿量子阱...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布.根据这个电势分布,得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型,模型中考虑短沟道效应和高k栅介质的边缘场效应.模型模拟结果和实验结果能够...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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