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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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  • 31. 芯片粘接工艺对MEMS性能影响的单元库法模型
    作者： 唐洁影 宋竞 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  156-161
    摘要： 芯片粘接工艺引起的器件-封装热失配会对MEMS器件的可靠性和性能产生显著影响.常用FEM模拟在分析此类问题时比较费时且缺乏明确的理论意义.文中基于单元库法思路提出了该类问题的理论建模方法,并...
  • 32. 负载刚度对电热微执行器输出性能的影响分析
    作者： 杨静 蒋庄德 赵玉龙 高建忠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  162-167
    摘要： 针对微机电系统中电热微执行器和位移放大机构都具有柔性的事实,从理论上分析了作为负载系统的柔性位移放大机构对微执行器输出位移的影响,并用有限元方法对二者的工作性能进行了仿真.结果表明,电热微执...
  • 33. 基于硅氧化层的嵌入式传输线制造
    作者： 孙龙杰 杨波 郭理辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  168-173
    摘要： 在有损耗的硅衬底上试制了传输线(微带以及共面波导),并嵌入在CMOS Cu/SiO2互连层中.对传输线的几何尺寸与其特征阻抗、损耗以及衰减因子进行了研究.结果表明嵌入在硅氧化层中的微带和共面...
  • 34. SiC肖特基接触的直接隧穿效应
    作者： 张义门 张林 张玉明 汤晓燕 郭辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  174-177
    摘要： 通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应.结果显示该方法比WKB近似更精确,同时也更适合工作在高场条件下的SiC材料,并且能够连续...
  • 35. ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤
    作者： 刘成 劳燕锋 吴惠桢 张军 曹萌 江山 黄占超
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  178-182
    摘要： 为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后...
  • 36. Bubble结构牺牲层腐蚀的一种改进模型
    作者： 吴昌聚 王跃林 金仲和 马慧莲
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年1期
    页码:  183-187
    摘要： 以往的牺牲层腐蚀模型把扩散系数看作是常数,然而,实验结果和以往模型的计算结果在腐蚀开始一段较短的时间内吻合较好,但随着腐蚀时间的变长两者的差异越来越明显.为了解释这一现象并使模型能够较好地预...
  • 37. Electronic Structure of Semiconductor Nanocrystals
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  191-196
    摘要：
  • 38. InP(001)衬底上的InAs量子线
    作者： 吴巨 王占国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  197-203
    摘要： 在分子束外延生长的InAs/In0.52Al0.48As/InP异质结体系中,形成InAs量子线.这些InAs量子线在生长和结构方面有一些独到的特性,并介绍了本实验室在研究InAs量子线的生...
  • 39. Quantum and Transport Mobilities of a Two-Dimensional Electron Gas in the Presence of the Rashba Spin-Orbit Interaction
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  204-217
    摘要：
  • 40. 介观测量仪器对单电子态的量子测量
    作者： 李新奇 胡学宁 骆钧炎
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  218-222
    摘要： 对于一个实际的测量装置,即被介观测量仪器所测量的两态(量子比特)或多态量子系统做了理论研究.为了正确描述测量引起的反作用,发展了一个保持细致平衡条件的量子主方程的方法,建立的这套方案适用于任...
  • 41. NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究
    作者： 屈新萍 李炳宗 茹国平 蒋玉龙
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  223-228
    摘要： 采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜,经快速热处理过程(RTP...
  • 42. PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析
    作者： 宋珍 张福甲 桂文明 欧谷平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  229-234
    摘要： 利用X射线光电子能谱(XPS)对苝四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研...
  • 43. Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
    作者： 唐宁 张国义 徐科 朱博 杨志坚 桂永胜 沈波 王茂俊 褚君浩 郭少令
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  235-238
    摘要： 在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率...
  • 44. 应力对ZnO/Si异质结构的光致发光的影响
    作者： 傅竹西 孙贤开 朱俊杰 林碧霞
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  239-244
    摘要： 研究了ZnO薄膜中应力对发光的影响.实验样品为ZnO体单晶、在Si基片上直接生长的ZnO薄膜以及通过SiC过渡层在Si基片上生长的ZnO薄膜.测量了这三种样品的X射线衍射图形、喇曼光谱和光致...
  • 45. 温梯法生长大尺寸蓝宝石晶体的脱碳去色退火研究
    作者： 司继良 周国清 周圣明 周永宗 徐军 朱人元 王银珍 邓佩珍 钱小波
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  245-248
    摘要： 温度梯度法(temperature gradient technique,TGT)生长的Al2O3晶体因石墨发热体在高温时的挥发和原料中过渡性金属离子的存在,在不同部位呈现不同颜色,一般上部...
  • 46. n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备与特性
    作者： 刘伟 刘松民 叶建东 周昕 张荣 施毅 朱顺明 胡立群 郑有炓 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  249-253
    摘要： 报道了n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性.采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂p型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-n结.实验发现在一定配比的HF酸和NH4Cl溶...
  • 47. SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真
    作者： 任萍 蒲红斌 陈治明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  254-257
    摘要： 针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相...
  • 48. 降低泄漏电流的细粒度休眠晶体管插入法
    作者： 杨华中 林海 汪玉 汪蕙 罗嵘
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  258-265
    摘要： 首先给出一种泄漏电流和延时的简化模型,并且在此基础上提出了一种降低泄漏电流的细粒度休眠晶体管插入法.该方法的核心是利用混合整数线性规划方法同时确定插入细粒度休眠晶体管的位置和尺寸.从实验结果...
  • 49. 在半绝缘SiC衬底上制备的S波段2W碳化硅MESFET
    作者： 李亮 潘宏菽 蔡树军 赵正平 陈昊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  266-269
    摘要： 介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱...
  • 50. High Power SiGe X-Band (8～10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  270-275
    摘要：
  • 51. AlGaN/GaN HEMT中慢瞬态的数值解释
    作者： 张金风 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  276-282
    摘要： 观察了AlGaN/GaN HEMT器件在短期应力后不同栅偏置下的一组漏极电流瞬态,发现瞬态的时间常数随栅偏压变化很小,据此判断这组瞬态由电子陷阱的释放引起.为了验证这个判断,采用数值仿真手段...
  • 52. 4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究
    作者： 张义门 张玉明 郜锦侠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  283-289
    摘要： 研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响.提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响.串联电阻不仅会使迁移率降低,还会使峰值场效应迁移率所对应的栅压减小....
  • 53. 用不同方法评价0.18μm CMOS 工艺栅氧击穿电压和击穿电量
    作者： 万星拱 卜皎 徐向明 曹刚 赵毅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  290-293
    摘要： 利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电量进行了对比...
  • 54. 高压二极管中局域铂掺杂的寿命控制新技术
    作者： 亢宝位 孙月辰 张斌 贾云鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  294-297
    摘要： 提出一种寿命控制新技术--氢离子辐照缺陷汲取铂局域寿命控制技术.所有样管首先进行能量为550keV,剂量为1×1013～5×1017cm-2的氢离子辐照;接着分别进行700～750℃,15～...
  • 55. AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟
    作者： 余志平 刘明 夏洋 王燕 薛丽君 谢常青 邵雪 马杰 鲁净
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  298-303
    摘要： 考虑AlGaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了...
  • 56. 共振声子辅助的太赫兹量子级联激光器中杂质散射的蒙特卡洛模拟
    作者： 吕京涛 曹俊诚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  304-308
    摘要： 通过蒙特卡洛方法研究了基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中杂质散射对激光器性能的影响.使用单子带静态屏蔽模型来处理电子与杂质的散射过程.发现电子与杂质的散射为电子在有源区中的注入和抽取过...
  • 57. 接触式悬臂梁RF-MEMS开关的研制与数值模拟分析
    作者： 孙建海 崔大付 肖疆
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  309-312
    摘要： 研究了一种直接接触悬臂梁式RF-MEMS开关,悬臂梁采用Al金属材料.开关通过静电控制,且与信号通道分离.为了优化材料结构和获得好的性能,进行了有限元ANSYS模拟.采用表面微加工工艺来制作...
  • 58. 一种具有高填充因数和动态数字双采样技术的CMOS图像传感器
    作者： 刘宇 王国裕
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  313-317
    摘要： 介绍了基于0.35μm工艺设计的单片CMOS图像传感器芯片.该芯片采用有源像素结构,像素单元填充因数可达到43%,高于通常APS结构像素单元30%的指标.此外还设计了一种数字动态双采样技术,...
  • 59. 一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计
    作者： 于洋 赵骞 邵志标
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  318-322
    摘要： 提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替...
  • 60. 基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计
    作者： 毛陆虹 陈弘达 高鹏 黄家乐
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  323-327
    摘要： 设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)C...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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