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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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  • 91. 半导体微腔中单量子点的真空拉比分裂的温度效应
    作者： 朱卡的 李惠生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  489-493
    摘要： 采用量子光学和极化子正则变换的方法研究了有限温度下半导体微腔中单量子点的激子动力学行为,并解析得到了激子真空拉比分裂随温度变化的函数关系.
  • 92. 1.55μm SiGe 2×3光开关
    作者： Chaudhari B S Chua S J 李宝军 陈志文
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  494-498
    摘要： 利用多模干涉效应和自由载流子等离子体色散效应设计和模拟了基于1.55μm波长的2×3 SiGe光开关.该光开关由两个单模输入端口、一个多模干涉区和三个单模输出端口构成.在多模干涉区,设有两个...
  • 93. 脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响
    作者： 叶晓军 张书明 朱建军 李德尧 杨辉 梁骏吾 种明 赵德刚 陈良惠 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  499-505
    摘要： 利用含时二维热传导模型分析了蓝宝石衬底上生长、制作的脊形InGaN激光器内波导层的温度分布和时间演化规律.由于较大的阈值电流和电压以及较差的衬底导热性能,脊形下波导层内会产生较高温升并在脊形...
  • 94. 一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法
    作者： 康仁科 赵福令 郭东明 金洙吉 霍凤伟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  506-510
    摘要： 提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤.其原理是:经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准;角度...
  • 95. 铁氧体磁膜RF集成微电感等效电路分析
    作者： 任天令 刘理天 刘锋 张筱 杨晨 王自惠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  511-515
    摘要： 针对已制作并发表的一种新型铁氧体磁膜结构射频集成微电感进行了等效电路分析.阐述了磁性铁氧体薄膜对电感的感值(L)和品质因数(Q)的增强作用.对射频测试结果进行了电路元件参数提取.结果表明,与...
  • 96. 超大规模集成电路互连系统的布线构造对散热的影响
    作者： 姚素英 肖夏 阮刚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  516-523
    摘要： 应用一个三层互连布线结构研究了诸多因素尤其是布线的几何构造对互连系统散热问题的影响,并对多种不同金属与介质相结合的互连布线的散热情况进行了详细模拟.研究表明互连线上焦耳热的主要散热途径为金属...
  • 97. 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
    作者： 孙文荣 李成基 段满龙 董志远 赵有文
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  524-529
    摘要： 综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给...
  • 98. 掺氮6H-SiC单晶的电阻率、迁移率及自由载流子浓度
    作者： 何秀坤 施亚申 曹全喜 杨晶晶
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  530-535
    摘要： 测试了国产和美国Cree公司生产的n型6H-SiC低温下的电学参数,包括电阻率、迁移率和自由载流子浓度,并用FCCS软件数据拟合分析得到两种SiC的杂质浓度和能级.实验结果表明:杂质浓度和补...
  • 99. In2O3纳米线制备及其特性
    作者： 修向前 刘斌 张荣 施毅 朱顺明 李亮 江若琏 谢自力 郑有炓 韩平 顾书林 高超
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  536-540
    摘要： 使用管式加热炉成功地制备出In2O3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In2O3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In2O3;X射线光电子谱分析发现该In2O3中存在大量氧缺...
  • 100. 用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜
    作者： 冯良桓 姚菲菲 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 陈卫东 雷智 黎兵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  541-544
    摘要： 采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb...
  • 101. 一种有机/金属肖特基二极管的实验研究
    作者： 任驹 张延曹 郑建邦 郭文阁
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  545-550
    摘要： 提出了一种简单有效的有机/金属肖特基二极管的制备方法:通过简单的真空气相沉积工艺,依次将有机材料PTCDA(C24H8O6)薄膜和金属电极Au蒸镀在透明导电玻璃ITO上.通过在室温条件下对该...
  • 102. 新型全CMOS片上温度传感器设计
    作者： 杨华中 林赛华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  551-555
    摘要： 利用阈值电压随温度的线性变化关系,设计并改进了一种基于弛张振荡器的全CMOS片上数字温度传感器,提出了一种新型的基于施密特触发器的全CMOS片上数字温度传感器,用于集成电路的热测试和温度保护...
  • 103. 基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器
    作者： 仇应华 冯军 夏春晓 朱恩 熊明珍 王志功
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  556-559
    摘要： 利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提...
  • 104. 加速试验中失效机理一致性的判别方法
    作者： 李志国 程尧海 谢雪松 郭春生 马卫东
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  560-563
    摘要： 通过对电子器件加速试验失效模型--Arrhenius模型的研究,发现加速试验过程中,失效机理不发生改变时,电子器件失效敏感参数的退化速率与施加应力的负倒数遵从指数关系,从而提出了一种加速试验...
  • 105. 国家自然科学基金2005年半导体科学学科申请概况分析
    作者： 何杰 刘宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  564-568
    摘要： 2005年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数继续大幅度上升,本文简介2005年半导体学科基金申请与资助概况,分析半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附20...
  • 106. 投稿须知
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年3期
    页码:  571-572
    摘要：
  • 107. Status and Trends in Advanced SOI Devices and Materials
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  573-582
    摘要：
  • 108. 两个介电函数模型的用法
    作者： 沈文忠 陈红
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  583-590
    摘要： 回顾了两个著名的广泛用于提取或参数化半导体和电介质材料光学常数的介电函数模型,即Forouhi-Bloomer和Tauc-Lorentz模型的历史、各种改进、各自特点和应用.在揭示它们内在特...
  • 109. 一种用于制备安德鲁反射样品的新方法
    作者： Bari M A Clifford E Coey J M D Langford R M 任聪 王天兴 韩秀峰 魏红祥
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  591-597
    摘要： 提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法.该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测.所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出...
  • 110. 光学泵作用下两个耦合量子点的输运性质
    作者： 彭菊 温俊 王伯根 葛传楠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  598-603
    摘要： 运用Keldysh格林函数,理论研究了在光学泵作用下的两个耦合量子点的电子输运性质.发现了电流-电压曲线上的平台结构以及透射系数的共振峰,可以由量子点的局域态密度来解释.讨论了光学泵的频率以...
  • 111. 弛豫时间对双势垒结构电子输运性质的影响
    作者： 倪军 戴振宏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  604-608
    摘要： 利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算,分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响.结果表明,由于电子-声子、电子-杂质和电子-缺陷等相互作用导致的弛豫时间对器件Ⅰ-Ⅴ...
  • 112. 立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光
    作者： 张铁臣 曹昆 窦庆萍 贾刚 陈占国 马海涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  609-612
    摘要： 测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为...
  • 113. ZnO薄膜和量子阱的生长及光学特性
    作者： 余金中 康俊勇 张保平 濑川勇三郎 王启明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  613-622
    摘要： 研究了用MOCVD法在蓝宝石(Al2O3)(0001)和(1120)衬底上制备ZnO薄膜时的生长特性.详细研究了采用Al2O3(0001)衬底时生长温度与压力的影响.由于存在比较大的晶格失配...
  • 114. 单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响
    作者： 吴冬冬 席珍强 杨德仁 钟尧 阙端麟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  623-626
    摘要： 研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工...
  • 115. Terahertz Semiconductor Quantum Well Devices
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  627-634
    摘要：
  • 116. GaAsSb/InAlAs PA DHBTs Grown by Production MBE
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  635-640
    摘要：
  • 117. GaAs基RTD与MSM光电集成
    作者： 张世林 李益欢 梁惠来 毛陆虹 胡艳龙 郭维廉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  641-645
    摘要： 报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明...
  • 118. 一种补偿宽频带小数N频率合成器中Sigma-Delta整形噪声的新方法
    作者： 刘军华 廖怀林 张国艳 王阳元 石浩 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  646-652
    摘要： 提出了一种部分补偿Sigma Delta调制器整形噪声的新方案.通过在鉴频鉴相器中的延迟时段向无源滤波器中注入补偿电流,最大可实现16dB的噪声补偿.与其他补偿方案相比,文中提出的方案相对简...
  • 119. 一种解决无线局域网直下变频接收机直流漂移的方法
    作者： 徐化 石寅 胡雪青 许奇明 陈弘达 颜峻 高鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  653-657
    摘要： 提出了一种符合IEEE802.11a无线局域网的5GHz直下变频接收机解决直流漂移的方法.该方法利用双平衡混频器输出端的模拟反馈环路消除直流漂移.该混频器经过测试,在5.15GHz频率下具有...
  • 120. 基于硅悬臂梁谐振器的新型气体传感器
    作者： 张国炳 徐佳嘉 武国英 郝一龙 闫桂珍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  658-661
    摘要： 研究了一种基于硅悬臂梁谐振器的新型气体传感器.该传感器在敏感环境中,可同时获得敏感膜电导率和质量变化,测量被测气体分子的荷质比,具有高灵敏度和高选择性.根据这一原理,针对气体传感器的需求,设...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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