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半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN-DSO...
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212. 高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 针对MEMS(micro-electro-mechanical system)和NEMS(nano-electro-mechanical system)对薄膜应力测试的要求,开发了一种新型高...
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214. SnAgCu凸点互连的电迁移刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 研究了无铅Sn96Ag3 sCuo s凸点与镀Ni焊盘互连界面的电迁移现象.在180℃条件下,凸点及互连界面在电迁移过程中出现了金属间化合物沿电子流运动方向的迁移,其演化过程呈现出显著的极性...
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215. 微加工工艺应力的喇曼在线测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 针对微加工工艺过程造成的残余应力,文中提出了喇曼在线测量方法,并对最常用的三种微加工工艺:淀积、腐蚀或刻蚀及键合进行了喇曼在线测量.测量结果与理论分析相符,淀积工艺中,氮化硅对硅片造成的残余...
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216. 电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图...
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217. MOSFET表面势解析近似方法的改进刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能达到0.03mV.改进后的方法在所有情况下精度都达到1pV量级....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1～1.8GHz,测得的1dB压缩点达到+14.23dBm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 提出了一种插值滤波器的设计与实现的新方法,并最终将其实现.该方法适合于过采样数模转换器.为减小芯片面积及设计复杂度,采用一种等同子滤波器级联设计方法,并对其改进.同时,提出了一种新型的等同子...
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220. 高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET.运用该方法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.借助此模型,研究了p-top区的结...
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222. 一种16位音频∑△ A/D转换器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 提出了一种16位立体声音频新型稳定的5阶∑△A/D转换器.该转换器由开关电容∑△调制器、抽取滤波器和带隙基准电路构成.提出了一种新的稳定高阶调制器的方法和一种新的梳状滤波器.采用0.5μm ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 为集成调谐器接收机芯片系统设计了一个带自动幅度控制回路的差分结构电容电感压控振荡器.通过采用pMOS管作为有源负阻使振荡器谐振回路可以直接接地电平,减小了寄生效应,扩大了频率调谐的线性及其范...
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224. 准确的FPGA互连长度和通道宽度估计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 提出了一种新的FPGA互连预测算法,包括互连长度估计算法和通道宽度估计算法.实验结果表明,与现有算法相比,该估计算法能获得更准确的估计结果.
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225. 考虑拥挤度和性能的全芯片可控布线系统框架刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 提出一个全新的全芯片可控布线系统框架,同时考虑布线拥挤度和芯片性能.为了在总体布线和详细布线之间架起桥梁,该框架把总体布线和详细布线集成起来,交互进行,每完成一个线网的布线,都及时对布线资源...
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226. N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的...
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227. InP胶体量子点的合成及光谱性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 以三辛基氧化膦(TOPO)作为溶剂,利用无水InCl3和P(Si(CH3)3)3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为量子点的包覆剂和稳定剂,在反应后...
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228. ZnO/PS异质结的光学和电学性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构及光学和电学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但...
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229. 生长温度对ZnO薄膜性能的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结...
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230. ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启...
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231. 掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 采用热壁真空沉积的方法,在清洁的玻璃衬底上生长了不同膜厚的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测试显示薄膜为多晶,具有标准的立方结构,沿(111)方向有明...
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233. 升华法生长AlN体单晶初探刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达...
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234. 底栅微晶硅薄膜晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年7期页码:摘要： 提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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