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半导体学报(英文版)2007年第11期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及器件参数范围,随...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-H...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高对该结构进行了理论分析并计算得...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 针对超外差接收机的自动增益控制网络,设计了一种结构简单的低压、低功耗全差分可变增益放大器.它由6级子电路级联而成,提供范围为81dB的数字控制增益,每一档为3dB,增益误差小于0.5dB.该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID电子标签验证开发平台,其工作在915MHz ISM频带下.该平台有效减少了设计开发时间及成本,并实现了电子标签的快速原...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 建立了双栅MOS器件反型层积分电荷Qi的集约模型.该模型考虑了反型层载流子的量子限制效应,使其适用于纳米尺度的器件应用.基于以前关于Ge的研究,通过建立关于Qi的表面势表达式,可得到一个隐含...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 研究了纳米通孔的分布对于表面波方法测量多孔低介电常数薄膜机械特性的影响,提出了用横观各向同性表征周期性多孔介质材料结构特性的表面波传播理论模型,给出了表面波在low-k薄膜/Si基底分层结构...
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11. 准静态单相能量回收逻辑刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种新的准静态单相能量回收逻辑,其不同于以往的能量回收逻辑,真正实现了单相功率时钟,且不需要任何额外的辅助控制时钟,不但降低了能耗,更大大简化了时钟树的设计.该逻辑还可以达到两相能量回...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种用于20bit ∑-△数模转换器中的内插滤波器的有效实现方法,内插滤波器的过采样率为128.该方法使用多级结构以降低滤波器系数的复杂度和有限字长效应.同时提出了基于系数混合基分解的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 利用Tersoff势函数,对300K时初始入射动能为0.03eV的单个Si原子从6个不同位置轰击Si(001)2×1重构表面的动力学过程进行了模拟.分析了入射Si原子的动能变化、势能变化以及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×101...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用微波反射光电导衰减法测量了P+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω·cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电...
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20. PZT铁电场效应晶体管电学性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffused MOSFET)大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了八种节点电容典型结构用以建立电容模型库,并阐明了这八种结构可以提取大多数VLSI互连线的电容参数,给出了这些结构的拟合公式.采用该库查找法计算的互连线电容结果与FastCap所得结果非...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性,设计了一种精度较高的温度传感器.动态元件匹配的应用很好地解决了由于集成电路工艺误差引起的不匹配对温度传感器性能的影响.采用CSMC 0.5μm混...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 给出了一种基于MEMS工艺的二维热风速传感器的设计、制造以及测试结果.该传感器采用恒功率工作方式,利用热温差的方法测量风速和风向.本传感器采用MEMS剥离工艺在玻璃衬底上同时加工出加热电阻和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 针对PHS通信系统,综合采用了反型数控MOS变容管、数控MOS变容管单元矩阵、动态元素匹配、流水线MASHΣ△调制器等多项旨在提高新型全数控LC振荡器(DCO)性能的电路技术,在SMIC 0...
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30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
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期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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