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半导体学报(英文版)2008年第9期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率品体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T形栅头部尺寸与栅长的比值)并优化T形栅的形状.所得的0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 研究了应用于目盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,会属制作后...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm.源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 采用三维TCAD模拟的手段,针对0.18μm工艺下的真实p-n结,研究了偏雎、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响.研究结果表明,在1.62～1.98V的范围内,偏压对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 提出了一种新的用于低功耗,节省面积的三级放大器频率补偿技术.该技术将有源电容进行嵌套连接从而克服了传统的嵌套式密勒补偿与反嵌套式密勒补偿的缺点.当将这一技术用标准的0.35μm工艺设计成电路...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 制作了一种低驱动电压、位移达100μm的梳齿驱动器.为了增加驱动器的驱动位移,对驱动器的侧向稳定性进行了分析.根据分析结论,提出了一种采用小梳齿间隙,高纵/横向弹性常数比预弯曲支撑梁,无初始...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 实现了一个单片集成、直接转换结构的2.4GHz CMOS接收机.这个正交接收机作为低成本方案应用于802.11b无线局域网系统,所处理的数据传输率为该系统的最大速率--11Mbps.基于系统...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 为了解决压阻式加速度计的动态特性欠佳的共性,避免微加速度计在工作过程中因为共振导致结构损坏,在结构设计过程中选择合理固有频率是至关重要的.文中针对一种四边八梁结构的高g值压阻式加速度计,通过...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 研发了高精度铷频标芯片SoC实现中应用的一种紧凑型直接数字频率合成器(DDFS).为了减小芯片面积和降低功耗,采用正弦对称技术、modified Sunderland技术、正弦相位差技术、四...
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11. 运放和光耦的单粒子瞬态脉冲效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究了通用运算放大器LM124J和光电耦合器HCPL5231的单粒子瞬态脉冲(SET)效应,获得了LM124J工作在电压跟随器模式下的瞬态脉冲波形参数与等效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 设计了针对解决900MHz RFID读写器收发机芯片中本地载波干扰问题而优化的直接变频接收机,并在0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺上实现验证.设计中使用了一种串联反馈结构的基带放大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 设计实现了一种改进的高扇入多米诺电路结构.该电路的nMOS下拉网络分为多个块,有效降低了动态节点的电容,同时每一块只需要一个小尺寸的保持管.由于省去了标准多米诺逻辑中的尾管,有效地提升了该电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个应用于IEEE 802.11b收发系统的全集成低功耗发送机.直接转换发送机包括两个Chebyshev Ⅰ型低通滤波器,两个可编程增益放大器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区,器件面积为80μm×80μm,工艺上简化为18次光刻...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 针对使用拼接单元块设计方法的岛式FPGA,介绍了一种交叉连接的方法,可以为其全局信号网络的缓冲器插入提供可变性.对于采用此方法设计的全局信号网络,文中的穷举算法定量分析了其面积和性能之间相互...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进.得到不同导流系统下的氩气流场和伞局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 采用磁控溅射法制备的La0.85Sr0.15 MnO3(100nm;50nm;17nm)/TiO2(70nm)异质pn结表现出明显的整流特性,其中La0.85Sr0.5MnO3(100nm)...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 选用氟化聚芳醚FPE聚合物材料,设计并制备出了17×17信道光谱响应平坦化阵列波导光栅(AWG)波分复用器.实验测试结果表明,器件的中心波长为1550.83nm,波长间隔为0.8nm,3dB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 根据伞芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新犁结构保护电路,采用0.6μm标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证.通过对同一MPW中的新型结构ESD...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 提出了一种高效率绿色模式降压型开关电源控制器芯片的设计,特点是采用PWM/Burst多模式控制策略提高全负载条件下的电源转换效率.由于降低了低负载和待机条件下的电源功耗,可减小由电池供电的现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 利用GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAsE/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC～10GHz S...
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26. SET传播过程中的脉冲展宽效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 利用SPICE电路模拟研究了SET在传播过程中的脉冲展宽效应.结果表明,负载的不均衡、电路上/下拉网络驱动能力的不对称以及浮体效应是造成脉冲展宽/压缩的主要原因.本文从基本的上升/下降延迟计...
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27. 一种新型运放相位反转保护电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 在高噪声环境下,如何抑制相位反转现象的发生,是双极型和JFET型运放在电力电子、工业控制和汽车电子等领域应用中的一个重要问题.基于运算放大器电路相位反转现象的发生机理,针对现有抑制方法的不足...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 基于等效Elmore延时模型和分段分布参数思想提出了一种RLC互连延时解析模型,该模型同时考虑了瓦连线温度分布效应和电感效应对延时的影响,更加贴近实际情况,在实际应用中具有重要意义.仿真结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 基于分布式RLC传输线,提出在互连延迟满足日标延迟的条件下,利用托格朗日函数改变插入缓冲器数目与尺寸来减小互连功耗和面积的优化模型.在65nm CMOS工艺下,对两组不同类型的互连线进行计算...
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30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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