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半导体学报(英文版)期刊

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半导体学报(英文版)

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Journal of Semiconductors

曾用名：半导体学报

CA CSCD JST AJ SA CSTPCD

影响因子 0.2430

本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

主办单位：

中国电子学会和中国科学院半导体研究所

期刊荣誉：

中科院优秀期刊二等奖（90） 全国优秀期刊三等奖（92） 全国优秀期刊三等奖（97）

ISSN：

1674-4926

CN：

11-5781/TN

出版周期：

月刊

邮编：

100083

地址：

北京912信箱

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目录

121. A small signal coupling model for predicting the coupling between LNAs

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年7期

页码: 97-102

摘要：
122. A 10 bit 200 MS/s pipeline ADC using loading-balanced architecture in 0.18 μm CMOS

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年7期

页码: 103-110

摘要：
123. A high-accuracy DCO with hybrid architecture

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年7期

页码: 111-116

摘要：
124. A low noise interface circuit design of micro-machined gyroscope

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年7期

页码: 117-120

摘要：
125. ZnO1-xTex and ZnO1-xSx semiconductor alloys as competent materials for opto-electronic and solar cell applications: a comparative analysis

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 1-5

摘要：
126. Controllable persistent spin-polarized charge current in a Rashba ring

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 6-10

摘要：
127. First-principles study of p-type ZnO by S-Na co-doping

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 11-15

摘要：
128. Comparative study on the influence of Al component at GaAlAs layer for GaAs/AlGaAs photocathode

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 16-21

摘要：
129. 30 nm T-gate enhancement-mode InAlN/AlN/GaN HEMT on SiC substrates for future high power RF applications

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 22-27

摘要：
130. Statistically modeling Ⅰ-Ⅴ characteristics of CNT-FET with LASSO

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 28-31

摘要：
131. Resistive switching characteristic of electrolyte-oxide-semiconductor structures

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 32-37

摘要：
132. Investigation on interracial and electrical properties of Ge MOS capacitor with different NH3-plasma treatment procedure

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 38-43

摘要：
133. Fabrication and characteristics of excellent current spreading GaN-based LED by using transparent electrode-insulator-semiconductor structure

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 44-48

摘要：
134. Theoretical simulation of performances in CIGS thin-film solar cells with cadmium-free buffer layer

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 49-54

摘要：
135. A 75 GHz regenerative dynamic frequency divider with active transformer using InGaAs/InP HBT technology

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 55-60

摘要：
136. A high-speed power detector MMIC for E-band communication

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 61-64

摘要：
137. A 500-600 MHz GaN power amplifier with RC-LC stability network

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 65-68

摘要：
138. The design of miniaturized broadband power divider utilizing GaAs-based IPD process and equivalent circuit model

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 69-74

摘要：
139. An 8 bit 1 MS/s SAR ADC with 7.72-ENOB

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 75-80

摘要：
140. A high sensitive 66 dB linear dynamic range receiver for 3-D laser radar

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 81-86

摘要：
141. On the design of high-speed energy-efficient successive-approximation logic for asynchronous SAR ADCs

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 87-92

摘要：
142. A 4 Gbps current-mode transmitter for 12-bit 250 MSPS ADC

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 93-99

摘要：
143. Analysis of single event transient pulse-width in 65 nm commercial radiation-hardened logic cell

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年8期

页码: 100-104

摘要：
144. Effect of metal-fingers/doped-ZnO transparent electrode on performance of GaN/InGaN solar cell

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年9期

页码: 1-7

摘要：
145. Effects of incident energy and angle on carbon cluster ions implantation on silicon substrate: a molecular dynamics study

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年9期

页码: 8-13

摘要：
146. ZnSe/ITO thin films: candidate for CdTe solar cell window layer

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年9期

页码: 14-18

摘要：
147. Zinc-doped CdS nanoparticles synthesized by microwave-assisted deposition

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年9期

页码: 19-24

摘要：
148. Attenuation characteristics of monolayer graphene by Pi-and T-networks modeling of multilayer microstrip line

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年9期

页码: 25-30

摘要：
149. Facile synthesis of Cu/tetrapod-like ZnO whisker compounds with enhanced photocatalytic properties

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年9期

页码: 31-36

摘要：
150. A new RF trench-gate multi-channel laterally-diffused MOSFET on InGaAs

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2017年9期

页码: 37-41

摘要：

半导体学报(英文版)基本信息

刊名	半导体学报(英文版)	主编	王守武
曾用名	半导体学报
主办单位	中国电子学会和中国科学院半导体研究所	主管单位	中国科学院
出版周期	月刊	语种	eng
ISSN	1674-4926	CN	11-5781/TN
邮编	100083	电子邮箱	jos@semi.ac.cn
电话	010-82304277	网址	www.jos.ac.cn
地址	北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录

1.	化学文摘(美)
2.	中国科学引文数据库
3.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
4.	文摘杂志(俄)
5.	科学文摘(英)
6.	中国科技论文统计与引文分析数据库

期刊荣誉

1.	中科院优秀期刊二等奖（90）
2.	全国优秀期刊三等奖（92）
3.	全国优秀期刊三等奖（97）

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