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31. 碳化硅MOSFET结电容模型刊名： 电力电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 针对碳化硅(SiC) MOSFET结电容,提出了一种建模方法.该方法通过统筹考虑寄生电容的物理结构模型、数学模型以及电路仿真模型后优化生成.此处考虑结电容对SiC MOSFET动态特性的影响...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 以通态漏源电压为热敏感电参数(TSEP)来估计碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的结温.首先,将SiC MOSFET模块的通态漏源电阻分为芯片通态漏源电阻和封装...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 采用新一代半导体开关器件碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过新型平面式布局升压技术和优化同步触发电路,设计出一种可获得快上升沿、短脉冲的直线变压器驱动源(LTD...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 为满足轨道交通高频化、小型化、轻量化、高功率密度的发展需求,在此研究一种基于高压全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的轨道车辆辅助逆变器.采用某型号SiC器件建...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 基于碳化硅(SiC)半导体器件的高频特性,详细研究了LLC变换器的原理和特性.首先分析了LLC变换器的主电路结构以及发生谐振的条件,之后详细分析了LLC变换器发生谐振时,开关管的电压电流波形...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 针对电动汽车用内置式永磁同步电机(IPMSM)控制方案中,由死区效应引起的电驱动系统低速时性能欠佳的问题,在分析死区效应产生的原因及补偿方法后,采用iα和iβ的线性组合方式判断所需补偿的电压...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 对光控晶闸管(LTT)硅胶保护层的作用机理及性能影响因素进行了研究.硅胶作为LTT表面保护层,能显示出负电荷效应,对正角造型的LTT反向阻断能力有明显的改善作用.原材料、涂覆工艺、固化工艺等...
电力电子技术基本信息
| 刊名 | 电力电子技术 | 主编 | 吕庆敏 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 西安电力电子技术研究所 | 主管单位 | 西安电力电子技术研究所 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1000-100X | CN | 61-1124/TM |
| 邮编 | 710061 | 电子邮箱 | dldzjstg@163.com |
| 电话 | 029-85271823 | 网址 | www.dldzjs.com |
| 地址 | 西安朱雀大街94号 |
电力电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 中国科学引文数据库 |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 获中国科技核心期刊 |
| 2. | 获中文核心期刊 |
| 3. | 获学位与研究生教育中文重要期刊 |
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