电子与封装期刊
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
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总被引数(次)
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
出版周期:
月刊
邮编:
214035
地址:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
出版文献量(篇)
3006
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  • 作者: 刘庆川 刘洪涛 田爱民 苏琳 赵鹤然 马艳艳
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  1-4,14
    摘要: 器件密封腔内可动多余物对其使用可靠性有很大影响.储能焊作为常用密封方式之一,在归纳总结圆型封口储能焊的多余物来源以及提高PIND合格率措施的基础上,分析长方形封口器件使用电容型储能焊时的多余...
  • 作者: 刘建松 张代刚 徐士猛 文惠东
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  5-9
    摘要: 2.5D封装具有信号传输快、封装密度高等特点,被广泛应用于高性能集成电路封装工艺中.目前2.5D器件在互连焊点方面通常采用无铅焊料,不满足宇航用器件含铅量不低于3%的要求.采用60Pb40S...
  • 作者: 杨城 王伯淳
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  10-14
    摘要: 随着电子产品向小型化、轻量化、多功能方向的发展,越来越多的塑封微电路(PEM)被应用于高可靠领域.由于封装材料的本质特性,PEM与气密封装微电路相比存在固有弱点.因此,在质量、价格、进度和性...
  • 作者: 姚立锋 李凤云 王明珠 蒋恒 赵波杰
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  15-18,23
    摘要: 在手机摄像模组生产过程中,芯片粘接质量的好坏直接关系到产品的良率.COB封装技术因其优良特性而被广泛应用在手机摄像模组生产过程中.针对手机摄像模组采用COB封装工艺时,芯片与电路板之间采用胶...
  • 作者: 代瑞慧 张力红 武红娟 郭利静
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  19-23
    摘要: 以市场上常见的不同种类树脂制备了多种环氧塑封料,并比较其凝胶化时间、螺旋流动长度、粘度、固化反应速率、弯曲性能、玻璃化温度及粘结强度等性能指标的差异,为IC封装不同程度要求的基材选择提供一些...
  • 作者: 金晶晶
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  24-27
    摘要: 研究一种基于新的步长调整函数的正交小波变换最小均方自适应滤波算法,阐述了基于正交小波变换的自适应滤波原理,解释了正交小波变换能够提高算法收敛速度的原因.将一种新的步长调整函数应用于正交小波变...
  • 作者: 吴少兵 李建平
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  28-31,47
    摘要: 基于南京电子器件研究所的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了6~18 GHz宽带低噪声放大器.低噪声单片电路采用了三级结构,偏置电压为12V,电流约为70 mA时,...
  • 作者: 张军然 张勇 徐永兵 陈强
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  32-33,48
    摘要: 高频通信采用的微波高频覆铜板在制作材料的选用时,需要小的介电常数和介电损耗,一般采用PTFE(聚四氟乙烯)作材料,PTFE不沾任何材料且具有较大的热膨胀系数,混入FEP(聚四氟乙丙烯)到PT...
  • 作者: 刘艳宏 荆海燕 董妮 邢毅
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  34-36,42
    摘要: 对电动汽车用绝缘栅双极性晶体管(IGBT)模块铜底板进行预弯设计,使其具有一定的弧度,以抵消铜底板在焊接时的变形,保证铜底板与散热器之间的接触面平面度,进而保证散热量.通过加工9组不同预弯高...
  • 作者: 沈士英 贾儒悦
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  37-42
    摘要: 元器件是航天型号的基础单元,只有奠定了牢固的基础,才能保证航天型号更好、更快地发展.航天型号工程具有前期验证严格、后期服役周期长的特点,因此,元器件的合理选用至关重要.结合航天型号的特殊要求...
  • 作者: 付振 刘芳 原义栋 张海峰 陈燕宁
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  43-47
    摘要: 随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术.文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOSFET)器件的栅和衬底电流,分析了180nmN沟道晶体管...
  • 作者: 余炳晨
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年9期
    页码:  48
    摘要:

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号(208信箱)

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