发光学报期刊
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发光学报

Chinese Journal of Luminescence
曾用名: 发光与显示

CACSCDEIJSTSACSTPCD

影响因子 0.7953
本刊主要反映我国发光学领域中在科研、技术和生产中的学术成就,开展国内外的学术交流,提高该领域内从事科研、教学、生产人员的技术水平。
主办单位:
中国物理学会发光分会 中科院长春光机所
期刊荣誉:
2000年获中科院优秀科技期刊二等奖  2001年首批进入期刊方阵  2004年被选入中国科技期刊精品库 
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
出版周期:
月刊
邮编:
130033
地址:
长春市东南湖大路16号
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  • 作者: 孙晓军 孙雪莲 李文先 石晓燕 秦彩花 耿刚强 郭磊
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  772-778
    摘要: 合成并表征了高氯酸稀土与二苯基亚砜、苯甲酸的四种四元配合物.经元素分析、稀土络合滴定、摩尔电导率及差热-热重分析,表明四元配合物组成为[REL5L′(ClO4)](ClO4) (RE= La...
  • 作者: 欧阳春发 王霞 许春华 贾润萍
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  779-783
    摘要: 借助超声技术采用一种简便易行的共沉淀方法制备出聚偏二氟乙烯(PVDF)/钇铕稀土氧化物((Y0.97Eu0.03)2O3)纳米粒子发光纳米复合材料.复合材料的断面形貌和(Y0.97Eu0.0...
  • 作者: 尉国栋 张继双 张继森 曹春燕 朱培芬 王丽丽 王国凤 王艳 秦伟平 金叶
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  784-788
    摘要: 采用修饰的Stber法合成了300 nm的Eu(DBM)3Phen/SiO2胶体杂化球,并通过沉积法将这种胶体杂化球组装成厚度为5 mm,面积为12 cm2的三维有序结构.通过扫描电子显微...
  • 作者: 廖辉 张国义 李丁 李睿 杨志坚 胡晓东 贾全杰 陈伟华
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  789-794
    摘要: GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构.实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研...
  • 作者: 丁媛媛 司玉娟 郎六琪
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  795-799
    摘要: p-type 技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程.基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一...
  • 作者: 唐寅宣 明江洲 杨翼 沈常宇 金尚忠
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  800-804
    摘要: 采用固相法合成了A:(SrBa)3SiO5∶0.024Ce3+,0.024Li+;B:Sr2.73M0.2SiO5∶0.07Eu2+(M= Ba,Mg,Ca);C:(SrBa)3SiO5∶x...
  • 作者: 张家骅 楚广生 陈力
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  805-808
    摘要: 采用高温固相法在1 100 ℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料.采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征.分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响.通过对...
  • 作者: 于军胜 唐晓庆 文雯 李璐 蒋亚东 马涛
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  809-814
    摘要: 利用溶液旋涂的方法,通过改变复合功能层中poly(N-vinylcarbazole) (PVK)和N, N′-bis-(1-naph-thyl)-N, N′-diphenyl-(1, 1′-...
  • 作者: 于贵 刘云圻 刘波 刘琼妮 别国军 徐新军 柴生勇
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  815-820
    摘要: 设计并合成了新型含噻吩基团的联苯乙烯类蓝色有机电致发光材料4,4′-双(2-苯基-2-(2-噻吩)乙烯基)-1,1′-联苯(TPVBi),通过红外、核磁共振、元素分析对其结构进行了表征.利用...
  • 作者: 任兆玉 李广山 杜恭贺 钟寿仙
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  821-826
    摘要: 首次采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31G(d)水平上对并五噻吩进行了构型优化,并作振动分析,未出现虚频.频率分析得到分子红外光谱和拉曼光谱,同时也得到分子的HOMO-L...
  • 作者: 刘润花 张梅 李海燕 王艳 赵永亮 赵艳芳 魏晓燕
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  827-832
    摘要: 合成了十种以2-噻吩乙酸(TPAC)、邻菲啰啉(Phen)为配体,单一稀土Eu3+配合物、Eu3+掺杂La3+、Gd3+、Y3+、Er3+以及不同比例的Eu3+掺杂La3+异核配合物.进行了...
  • 作者: 孙宇阳 彭大权 徐红 梁国明 胡泽近 苟劲 陈新
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  833-839
    摘要: 发现L-乳酸铝对纳米金-酸性高锰酸钾体系化学发光的增强作用,其增强化学发光强度的能力与高锰酸钾及溶液的介质硫酸浓度、金浓度以及蠕动泵的转速、流动注射化学反应体系的流路设计等因素有关,在此基础...
  • 作者: 刘军林 姜乐 江风益 邱冲 郑畅达
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  840-844
    摘要: 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化...
  • 作者: 刘光裕 孙艳芳 宁永强 崔锦江 张岩 彭彪 彭航宇 李特 王立军 秦莉 顾媛媛
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  845-850
    摘要: 大功率垂直腔面发射激光器单管器件出光口径大、横向模式多.随着注入电流和工作温度的改变出射光偏振态在两个正交偏振基态上转换.为分析输出光偏振特性,采用500 μm出光口径980 nm底发射器件...
  • 作者: 刘启佳 刘斌 张荣 徐峰 江若涟 谢自力 郑有阧 陈敦军
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  851-855
    摘要: 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面...
  • 作者: 文军 陈长乐
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  856-860
    摘要: 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd掺杂ZnO薄膜.应用XRD分析了ZnO∶Nd薄膜的晶格结构,通过AFM观察了ZnO∶Nd薄膜的表面形貌.结果表明,Nd掺...
  • 作者: ZENG Yi-ping 崔军朋 曾一平 段垚 王晓峰
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  861-864
    摘要: 采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(001)衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜.其中Au缓冲层在物理气相沉积(PVD)设备中蒸发,厚度大约为300 nm.有Au缓...
  • 作者: 单崇新 吕有明 姚斌 张吉英 申德振 范希武 蒋大勇 鞠振刚
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  865-868
    摘要: 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255 nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金...
  • 作者: 刘庆 徐媛媛 李媛媛 杜斌 王冬梅 郑显鹏
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  869-874
    摘要: 利用化学沉淀法制备了不同粒径的Tb(Sal)3*3H2O纳米微晶和Tb(Sal)3*2H2O稀土配合物.利用元素分析、红外光谱、热重分析和透射电镜表征了纳米微晶和稀土配合物的结构、热性质和粒...
  • 作者: 丁丽华 刘文鹏 张庆礼 殷绍唐 肖进 邵淑芳
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  875-878
    摘要: 采用液相共沉淀方法,制备了纳米材料Yb∶LuScO3.X射线衍射分析结果表明,它的晶格参数为a=1.012 6 nm,粒度为50 nm.在937 nm光激发下,发射谱带很宽,发射峰分别位于9...
  • 作者: 万勇 于建强 李洪亮 翟江 赵修松 郭培志
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  879-884
    摘要: 对比研究了经20%的硝酸、浓硫酸,以及半导体工业中用于氧化清洗单晶硅表面的SC-1(1∶1∶5, 体积比, NH4OH/H2O2/H2O,也称 RCA-1)和SC-2 (1∶1∶6的HCl/...
  • 作者: 任国栋 侯尚林 王道斌 雷景丽
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  885-890
    摘要: 系统地研究了Suzuki晶格光子晶体能带结构,包括介质中周期排列的空气孔光子晶体和空气中周期排列的介质柱光子晶体.采用平面波展开法计算了空气孔和介质柱半径及折射率对光子带隙的影响.结果发现介...
  • 作者: 刘永智 赵德双 赵羽
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  891-896
    摘要: 高能量脉冲激光器中,高强度的抽运光注入掺杂光纤后会部分转化为荧光,导致抽运效率的降低.基于铒掺杂光纤中铒离子的能级结构,分析了高能量脉冲光纤激光器中荧光的产生机理,采用非线性薛定谔 (Non...
  • 作者: 祝诗扬 邓召儒 陈多佳 黄世华
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  897-900
    摘要: 针对纳秒量级荧光寿命的测量,提出一种改进的相调制法,提取周期性激发信号和相应的发射波形信号傅立叶级数中的一级项,按照相位法测量荧光寿命的原理求得荧光寿命τ值.据此采用易于调制的发光二极管为激...
  • 作者: 孙晓娟 宋航 李志明 缪国庆 胡礼中 蒋红 黎大兵
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  901-904
    摘要: 利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试.结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71...
  • 作者: 张春华 徐骏 王启明 王国立 苏培林 郭亨群 陈坤基
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  905-909
    摘要: 采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒.把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd∶YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06 μm激光...
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  910-911
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  912
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  封3
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 发光学报
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  封2
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发光学报基本信息

刊名 发光学报 主编 申德振
曾用名 发光与显示
主办单位 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1000-7032 CN 22-1116/O4
邮编 130033 电子邮箱 fgxbt@126.com
电话 0431-86176862,84613407 网址 www.fgxb.org
地址 长春市东南湖大路16号

发光学报评价信息

期刊荣誉
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2. 2001年首批进入期刊方阵
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