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固体电子学研究与进展

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Research & Progress of Solid State Electronics

CA JST CSTPCD

影响因子 0.2918

本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多

主办单位：

南京电子器件研究所

期刊荣誉：

中国期刊方阵 信息产业部2001-2002年优秀期刊 双效期刊

ISSN：

1000-3819

CN：

32-1110/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

210016

地址：

南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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2483

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热门刊内文献

年度刊次

1. 6H-SiC MOS场效应晶体管的研制

作者：张义门张玉明罗晋生

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 1

摘要：
2. 体硅、SOI和SiC MOS器件高温特性的研究

作者：冯耀兰

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 7

摘要：
3. 低压、低功耗SOI电路的进展

作者：多新中张苗林成鲁王连卫符晓荣

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 15

摘要：
4. 47 GHz SiGe-MMIC振荡器

作者：

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 21

摘要：
5. 微型泵的物理模型与动态模拟

作者：丁辛芳何云爽刘岩海

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 22

摘要：
6. 纳米硅异质结二极管

作者：何宇亮桂德成王因生陈堂胜顾晓春

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 34

摘要：
7. MNOS电容辐照吸收剂量计的研究

作者：刘毓耿刘竞云易清明黄君凯

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 40

摘要：
8. 半导体器件非抛物型流体动力学模型

作者：王海燕盛昭瀚

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 46

摘要：
9. GAT栅屏蔽效应二维解析模型

作者：庄宝煌朱梓忠李开航黄美纯

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 53

摘要：
10. X波段T/R组件

作者：任海玉叶明罗运生齐国华

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 59

摘要：
11. 一种MPEG2视频解码器的系统设计

作者：周汀章倩苓郑金山陈旭昀

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 60

摘要：
12. 基于表面势的MOSFET模型

作者：唐天同程彬杰邵志标

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 66

摘要：
13. 主从型D触发器的无效功耗分析

作者：俞军章倩苓莫凡

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 74

摘要：
14. 深亚微米VLSI电路中互连线的几何优化设计

作者： Reinhard Streiter Thomas Gessner Thomas Otto 宋任儒肖夏阮刚

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 84

摘要：
15. 光电多芯片组件的自由空间光互连技术研究

作者：李珂来金梅黄培中

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 94

摘要：
16. GexSi1-x合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT

作者：李建军沈光地邵德恕陈建新韩汝琦魏希文

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 99

摘要：
17. 离散小波变换的一种硬件实现

作者：张炽昌邵丙铣

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 105

摘要：
18. GaAs MMIC MESFET混频器性能比较

作者：夏冠群孙晓玮程知群

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 110

摘要：
19. 电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响

作者：严荣良任迪远余学锋张国强王明刚胡浴红范隆赵元富郭旗陆妩

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 116

摘要：
20. 一种新颖的多倍频程180° GaAsMMIC数字移相器

作者：俞土法岑元飞戴永胜李拂晓陈堂胜陈效建陈继义

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 121

摘要：
21. L波段脉冲输出360 W硅功率晶体管

作者：张树丹林川王因生王志楠陈红

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年1期

页码: 122

摘要：
22. S波段100 W硅脉冲功率晶体管

作者：傅义珠姚长军康小虎张树丹李相光王佃利王因生

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 123-127

摘要：报道了一种高增益高效率S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果.该器件在f＝2.4～2.6 GHz,D＝10%,τp＝100 μs,Vc＝36 V条件下输出功率100 W、增益9 dB、效率50%....
23. GaAs MMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究

作者：夏冠群孙晓玮李洪芹程知群翁建华

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 128-134

摘要：对微波单片集成(简称MMIC)双栅MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究.根据双栅MESFET的理论分析与实验结果,建立了一种栅压调制I-V特性的经验模型,推导了双栅FET...
24. 编辑部声明(一)

作者：

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 134

摘要：
25. AlxGa0.52-xIn0.48P/GaAs异质结双极晶体管高温特性的计算分析

作者： P.A. Houston 吴杰夏冠群束为民顾伟东

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 135-143

摘要：建立了适用于缓变AlxGa0.52-xIn0.48P/GaAs HBT的解析模型.考虑了Al组分x的变化对HBT温度特性的影响.分析结果表明,在实用的电流范围(Jc在103 A/cm2左右)...
26. 采用神经MOS晶体管的低压四象限模拟乘法器的设计

作者：汤玉生管慧

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 144-151

摘要：神经MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件.本文以新开发的神经MOS晶体管的SPICE宏模型为模拟和验证的工具,讨论了采用这种器件实现低压四象限模拟乘法器的系统化设计思想和方法...
27. 编辑部声明(二)

作者：

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 151

摘要：
28. SOI功率器件的新进展

作者：李文宏罗晋生

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 152-159

摘要：回顾了应用于SOI功率集成电路的SOI功率器件的发展背景,论述了SOI功率器件的开发现状,以及作为SOI功率器件基础的SOI材料制备技术和耐压结构研究的最新进展.同时指出了在SOI功率器件研...
29. 2～40 GHz检波对数视频放大器系列

作者：

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 159

摘要：
30. 纳米量子点结构的自组织生长

作者：彭英才

刊名：固体电子学研究与进展

发表期刊： 2000年2期

页码: 160-168

摘要：所谓自组织生长纳米量子点,是具有较大晶格失配度的两种材料,依靠自身的应变能量,并以Stranki-Krastanov(S-K)生长模式,在衬底表面上形成的具有一定形状、尺寸和密度的自然量子点...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名	固体电子学研究与进展	主编	杨乃彬
曾用名
主办单位	南京电子器件研究所	主管单位	工业和信息化部
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1000-3819	CN	32-1110/TN
邮编	210016	电子邮箱	gtdz@chinajournal.net.cn
电话	025-86858161	网址
地址	南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）