固体电子学研究与进展期刊
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
文章浏览
目录
  • 作者: 林金庭
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  1-4
    摘要:
  • 作者: 李拂晓 沈亚 陈堂胜 陈效建
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  5-9
    摘要: 报告了一个两级C-波段功率单片电路的设计、制作和性能,该单片电路包括完全的输入端和级间匹配,输出端的匹配在芯片外实现,该放大器在5.2~5.8GHz带内连续波工作,输出功率大于36.6dBm...
  • 作者: 刘墩文 李宝令 胡建凯 陶若燕 黄振起
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  10-13
    摘要: 采用场分析及电路阻抗匹配进行综合设计,运用梁式引线二极管采用微组装压焊技术,研制出应用于3mmFM/CW组件中的3mm鳍线混频器。对于单端结构获得小于10dB的变频损耗,对于平衡结构获得小于...
  • 作者: 卜惠明 吴军 施毅 杨红官 袁晓利 郑有 顾书林
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  14-20
    摘要: 对MOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS)的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度(大于60%)的RTS,通过测量RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系,获得了氧...
  • 作者:
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  20,36
    摘要:
  • 作者: 徐志伟 郑增钰 闵昊
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  21-28
    摘要: 详细分析了电荷泵的动态工作特性,给出了电荷泵电压上升时间及瞬态电流与电路的关系。基于这些分析,可以得到电荷泵的功耗来源和电压上升与充电电容的关系,同时还对电荷泵电路的电压产生的限制作出了分析...
  • 作者: 庄宝煌 李开航 黄美纯
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  29-36
    摘要: 通过作者最近建立的关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高...
  • 作者: 冯耀兰 宋安飞 张海鹏 杨国勇 魏同立
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  37-42
    摘要: 提出了一种新结构薄膜SOILIGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT(DRT-MCTFSOILIGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423~573K范围的温度特性。指出,通过合...
  • 作者:
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  42,102
    摘要:
  • 作者: 王庆康 石世长
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  43-49
    摘要: 介绍了利用传输线矩阵方法模拟和分析金属-半导体-金属光电探测器指栅电容的频率响应。应用时域电磁场三维TLM方法模拟分析了指栅间距和指栅间的耦合长度与光电探测器截止频率的关系。文中还报道了本项...
  • 作者: 何国敏 刘宝林 王仁智 郑永梅
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  50-56
    摘要: 采用有效质量理论6带模型,计算了In0.53Ga0.47As/InP量子线的光学性质,具体计算了In0.53Ga0.47As/InP量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学...
  • 作者: 何宇亮 傅东锋 刘明 李国华 韩和相
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  57-62
    摘要: 研究了nc-Si:H薄膜的光致发光(PL),分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品,晶粒尺寸有一上限,其值在4~5nm之间。在10~77K,nc-Si:H薄膜的发光强度几乎没有变化...
  • 作者: 卜惠明 吴军 张荣 施毅 杨红官 沈波 赵波 郑有炓 韩平 顾书林
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  63-68
    摘要: 这一研究工作模拟计算了Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明,Ge/Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现μs和ns量级编程。与Si纳米结构存储器相比,由于G...
  • 作者: 冯国进 张利春 莫邦燹 金海岩 高玉芝
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  69-74
    摘要: 给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易,成品率高,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中,器件具有良好的电学特性
  • 作者: 吴文章 孔学东 孙青 徐征 扬文 焦慧芳
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  75-81
    摘要: 深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法(SWEAT试验方法)的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将该方法应用到生产实际,...
  • 作者: 冯敬东 张晓明 来萍 范国华 荣炳麟 金毓铨 钟志新
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  82-86
    摘要: 介绍了对微波功率器件开展的动态加速寿命试验方法和技术的研究。主要阐述了实现振荡式微波动态寿命试验的方法,以及不同于常规的对受试功率器件进行内部式加热控温的技术研究。
  • 作者: 丁扣宝 宋加涛 张秀淼
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  87-91
    摘要: 研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量,设计了相应的产生寿命C-t瞬态测量系统,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图...
  • 作者: 孙军生 张维连 张颖怀 檀柏梅
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  92-96
    摘要: CZSi中掺入等价元素锗,能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在700℃退火时,抑制杆状氧沉淀的生成,在900℃退火时,锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明,锗并不作为...
  • 作者: 孙平 孙彤 王茂祥
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  97-102
    摘要: 通过掺杂(Pb1-xSrx)TiO3(PST)系铁电陶瓷的制备,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的Pb/Sr配比下,La2O3掺杂较同样份量的Mn...
  • 作者: 严荣良 任迪远 余学峰 张国强 艾尔肯 范隆 郭旗 陆妩
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  103-108
    摘要: 通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等...
  • 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军 韩键
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  109-114
    摘要: 采用等离子体刻蚀工艺,以四氟化碳(CF4)和氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体,对常压化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了系统的图形刻蚀研究。结果表明,在SiC薄膜的等离子体图形刻...
  • 作者: 钮利荣
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  115-116
    摘要:
  • 作者: S.P.Watkins 徐现刚
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  117
    摘要:
  • 作者: 傅义珠 周德红 康小虎 林川 梅海 潘菁
    发表期刊: 2001年1期
    页码:  118
    摘要:
  • 作者: 朱轩昂 林金庭 陈效建
    发表期刊: 2001年2期
    页码:  119-125
    摘要: 报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在2.0~6.7 GHz频带上线性增益为17 dB,平坦度为±0.75 d...
  • 作者: 宋军 岑元飞 徐世晖 李辉 陈效建 陈雪军
    发表期刊: 2001年2期
    页码:  126-132
    摘要: 论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法,给出了在南京电子器件研究所进行的MMIC有源器件的建模实例及验证结果。
  • 作者: 夏冠群 孙晓玮 王永生 范恒 詹琰 赵建龙
    发表期刊: 2001年2期
    页码:  133-138
    摘要: 设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源GaAs判决再生电路,采用非掺SI GaAs衬底直接离子注入、1μm耗尽型GaAs MESFET、平面电路工艺研制出单片GaAs判决再生电路。实验测试结...
  • 作者: 俞慧强 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有 顾书林
    发表期刊: 2001年2期
    页码:  139-145
    摘要: 回顾了氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管(HFET)的发展,概述了它的直流和微波特性。制作氮化镓基HFET可以采用不同的器件结构,不同的结构有各自的优点,对器件性能有很大影响。多数器件采用...
  • 作者: 梁擎擎 阮刚
    发表期刊: 2001年2期
    页码:  146-150
    摘要: 用紧束缚能带方法计算双势垒结构GaAs/Ga1-xAlxAs/GaAs和InAs/GaSb/AlSb的电子、空穴电流密度,对计算结果进行分析,并对其结果在工艺设计中的应用进行讨论。
  • 作者: 匡一宁 黄庆安
    发表期刊: 2001年2期
    页码:  151-156,169
    摘要: 首先建立了一个横向热驱动微执行器的热流模型。由于这个模型比较全面地考虑了热传导、空气自然对流和辐射散热等各种因素,因而较为正确地反映器件的温度分布。用合适的数值算法计算了温度分布,温度分布的...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊