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固体电子学研究与进展2002年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 根据半导体自由电子能带模型,文中在面心立方(fcc)晶体、体心立方(bcc)晶体和6角密堆积(hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能Em和费米能级EF的关系,并得出自由电子能带的平均键能E...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 分析了不同温度下超薄基区SiGe HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化,并给出了实验比较.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 自动微分(AD)技术以非标准分析为理论基础,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法.文中提出了基于AD技术的器件模型参数提取算法,在Visual C()/(++)平台编制了模型参数提取程...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 论述了纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型的研究,通过对该器件建立泊松方程,并利用在阈值电压附近硅膜中的等电位近似,得到了这种对称双硅栅MOSFET器件的电流模型,并在不同参数下对...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 为优化槽栅器件结构,提高槽栅MOSFET的性能和可靠性,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET的特性影响进行了研究.研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性:随着凹槽拐角的增...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 对n型源区、p型势垒区和具有δ(p+)薄层势垒区的两种结构BRAQWET的能带模型,作了严格的定量分析,由此可以导出设计良好器件的优化参量.这是设计BRAQWET的理论基础.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化.分析讨论了F的抗热载流子损伤...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 运用依赖能量的异质界面δ散射势和多能谷有效质量方程计算了GaAs/AlAs异质结构中的能带混合和电子隧穿共振.结合能带混合隧穿共振理论和Monte Carlo模拟计算,编制异质谷间转移电子器...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 提出了一种分析和了解微波功率GaAs MESFET非线性效应的方法.主要是采用解析优化方法,提取MESFET器件在不同偏置点下的本征元件,并结合器件的应用类型,对本征元件与偏置的关系进行了系...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 用HP EESOF Series IV软件的负载牵引法对功率放大器进行分析,给出了匹配电路的基波特性及谐波特性对功率放大器性能的负载牵引结果,提出了功率放大器匹配电路谐波设计的思想,并给出了...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 介绍了一种基于双通道采样保持电路的流水线操作AD变换器.设计结合了并行流水线转换电路的思想,从而能够有效提高转换速率,但是较之并行流水线结构,使用的运放较少,功耗低,而且可以避免并行结构可能...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 介绍一种10位分辨率、30 MHz采样频率流水线操作A/D变换器中的CMOS全差分采样-保持(S/H)电路和级间减法-增益(SUB/GAIN)电路的设计.首先概述这种电路在流水线ADC中的作...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 在神经网络的片上学习中,需要将神经元激活函数及其导数都映射为硬件.为满足这种需求,利用前向差分的原理,提出了一种新型的神经元激活函数及其导数的可编程发生器.该发生器采用模拟电路,具有结构简单...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 提出了一个新的工作在甲乙类状态的平衡式对数域积分器,用跨导线性原理分析得到其传递函数.基于该积分器电路,采用无源网络模拟法设计出一个1 dB波纹的五阶切比雪夫对数域低通滤波器.PSpice仿...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 设计出一种能与0.6 μm的标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构,并提出了具体的工艺实现方法--单阱非外延工艺,该工艺能降低生产难度和成本...
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17. 铜布线工艺中阻挡层钽膜的研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制.研究发现,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生...
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18. SMD封装声表面波谐振器滤波器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要：
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 许多高性能微传感器和微执行器的实现都离不开高灵敏度的薄膜.使用微机械加工方法制备的薄膜一般有着不可忽视的残余应力.残余应力极大地降低了膜的机械灵敏度.文中提出的纹膜结构,可在不改变工艺条件的...
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20. 硅各向异性腐蚀速率图的模拟刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 利用数学软件MATLAB,对三维中的向量进行插值计算.根据硅各向异性腐蚀特点,构造出了一个完整的硅各向异性腐蚀速率图.模拟结果与已有的实验数据进行了比较,说明这种方法可以用来模拟硅各向异性腐...
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21. 微区薄层电阻四探针测试仪及其应用刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 用斜置的四探针方法,依靠显微镜观察,将针尖置于微区图形的四个角区,用改进的范德堡公式可以得到微区的薄层电阻.文中对测准条件作了分析.并用该仪器测定了硼扩散片的薄层电阻分布.在测试过程中应用微...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 根据施密特电路对输入信号具有二种检测阈值的工作特点,提出了施密特电路与用作存贮元件的触发器之间具有相同的时序特征.利用时序电路的设计方法,系统地研究了传统的CMOS施密特电路的各种设计,并发...
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23. 一种连续可调接地电容倍比器的实现刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 提出了一种用电流传送器(CCⅡ+/-)构成的接地电容倍比器.该倍比器的电容量可经接地电阻连续调节,线性可调范围大,利用此接地电容,另添加一个电阻,可构成一阶低通滤波器,改变接地电阻的大小,即...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 介绍了一种适于VLSI库单元的轨到轨(Rail-to-Rail)运算放大器.低电压、低功耗、输入输出动态幅度达到Rail-to-Rail的运放模块是研究的核心.文章分析了该运放模块的输入、输...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 从非平衡载流子的扩散-复合理论出发,提出PIN多结探测器材料结构,并建立了理论模型进行定量计算,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾.利用该模型对GaInAsSb...
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26. 硅光电负阻器件的构成原理与分类刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 将三端负阻器件与硅光电探测器相结合,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件--硅光电负阻器件.文中报道了该器件构成的一般性原理,以及依据此构成原理确定的分类方法.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 针对高速低阈值半导体激光器提出一种模型参数的直接确定方法.该方法仅利用阈值附近端口阻抗特性和阈值以上弛豫振荡频率特性来提取半导体激光器的模型参数,无需拟合激光器的强度调制(IM)频率响应特性...
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28. 基于碳纳米管的电子器件刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 碳纳米管有着众多独特的性质,尤其是它的电学性质.近几年来,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线,实现速度远快于...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 建立了用于电路模拟的共振隧穿二极管交流小信号模型,并利用PSPICE电路模拟软件着重模拟分析了其交流特性及其微带振荡器的特性,模拟结果与实验数据吻合得较好,验证了这种方法的正确性.
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30. X波段单片集成低噪声接收子系统刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 报道一种新型X波段0.25 μm PHEMT全单片集成低噪声子系统.该子系统由开关衰减电路、采样检波电路和低噪声放大器三部分组成.开关插入损耗仅0.5 dB,放大器噪声系数小于1.5 dB....
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
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