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固体电子学研究与进展2003年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
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9851
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1. 有机半导体研究进展刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 1977年人们发现通过掺杂可以使聚乙炔膜的电导率提高12个量级,由绝缘体变成导体,从此掀起了有机半导体的研究热潮.其研究工作包括有机高分子材料、有机小分子材料和有机分子晶体材料的电学、光学等...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 介绍了无铝激光器的优点;利用LP-MOVPE生长了InGaAsP/InGaP/GaAs分别限制异质结构单量子阱(SCH-SQW)结构,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响.对于条宽100 μm...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 根据单电子现象的半经典理论,采用Monte Carlo方法,对三种SED电路进行模拟,结果发现,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 从薄膜积累型(TF AM) SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发,对其在-5.0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析,推导出了各种正栅压和漏压偏置...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 神经MOS晶体管(简称NeuMOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型MOS器件.作者在其改进结构钟控神经MOS晶体管的启发之下,提出了一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管结构.在这种新的结...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 研究了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件阈值电压的解析模型,并采用计算机模拟,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线,所得到的模拟结果和理论研究...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 在对已发表的GaAs HBT文献的研究中发现,其截止频率fT的理论计算结果比实验值小很多,而相应的文献中并没有给出fT的计算结果.针对上述问题,文中对产生这种差距的原因进行了分析,认为由于速...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 非线性电子网络如果寄生周期振荡,用Fourier级数展开可以将该网络划分成基波与非基波两部份.非基波成份的存在依赖于基波,而基波成份保持自激,依靠本身的反馈,用基波分部网络去替换非线性网络,...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 报告了研制的9.6 mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V时该器件输出功率37.28 dBm,功率增益9.5 dB,功率附加效率44.7%,在Vds＝...
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10. X波段功率异质结双极晶体管刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 讨论了X波段功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5 W,功率密度达到2.5 W/mm.采用76 mm圆片工艺制作,芯片的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 为了从理论上解释副谐波负载牵引实验中的各种非线性现象,对一个A类MESFET功放进行了研究.通过研究副谐波牵引条件下的输出信号波形图和上下信道IM3的差异图,并结合电路分析,讨论了实验中以往...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 围绕第三代移动通信系统W-CDMA移动台中的频率合成器进行研究,采用美国国家半导体公司的小数分频双锁相环路LMX2350设计了专用于W-CDMA移动台的集成化双锁相环路频率合成器.内容包括锁...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 随着集成电路系统复杂性的提高及基于IP核的SOC系统的出现,电路测试的难度不断增大,对电路可测性设计提出了更高的要求.文中在研究了现有各种可测性设计方法优劣后提出了扩展化的JTAG可测性设计...
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14. 基于可重构核的FPGA电路设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 电路系统的自适应性、紧凑性和低成本,促进了在嵌入式系统中软硬件的协同设计.在线可重构FPGA不仅可以满足这一要求,而且在可编程专用电路系统设计的验证及可靠性等方面有着良好的应用,文中介绍了可...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 分析了由超高速易重用单元构造的树型和串行组合结构,实现了在输入半速率时钟条件下10路到1路吉比特率并串转换.通过理论推导着重讨论了器件延时和时钟畸变对并串转换的影响,指出了解决途径.芯片基于...
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16. 与或结构算术逻辑单元的优化设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 对传统与或结构的ALU进行分析并改进,并提出一种新结构的ALU.它具有两级流水线结构,可以执行20条指令,具有更为有效的P和G的函数发生器,并且减少了控制端的数目,以降低译码电路的规模,有利...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 在密码学、仿真学以及集成电路测试等许多领域,随机数起着重要的作用.在密码学中,通常要求所使用的随机数具有不可预测性.基于混沌现象,使用开关电容技术,用集成电路实现了一种硬件随机数发生器.测试...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 神经MOS晶体管(简称NeuMOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型MOS器件.在其十年的发展历程中,一些新型结构又被陆续提出,以期获得更加优越的性能.文中建立了一种新型N...
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19. 晶体管发射结正向电容的测量及分析刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题.文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容,分析了晶体管发射结正向电容随偏...
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20. 基于权值的微机械数模转换器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 提出了一种新颖的基于权值的微机械数模转换器,它的原理与电路中的权电阻数模转换器类似.通过改变纵向梁的长度获得不同的刚性值作为比例因子,从而实现由二进制电压输入到模拟位移输出的转换.为了减小误...
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21. 多孔硅及其在MEMS中的应用刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 具有不同孔径尺寸和孔隙率的多孔硅在不同的MEMS中可作为功能结构层和牺牲层.简要介绍了多孔硅的结构和制备方法;与体微机械和表面微机械加工技术相比,多孔硅技术的优势被详细阐述;针对多孔硅材料的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 在铁电不挥发存储器(FERAM)技术中,集成铁电电容的制备是关键工艺之一.文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺:采用lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容Pt/Ti下电极,然后用S...
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23. 计算机辅助霍尔测量系统刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 霍尔测量是研究半导体材料性质的重要实验方法,文中设计、建立了一套计算机辅助测量系统,它能自动采集和处理数据.文中论述了该系统的组织构造、工作原理和软件实现.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 表面光电压法(SPV)是一种高灵敏度的、非破坏性的在线监控技术.能精确测量硅片的少子扩散长度、少子寿命、重金属沾污浓度等参数.对IC生产的质量保证是非常重要的检测手段.文中介绍了用于监控IC...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要： 在深亚微米MOS集成电路制造中,等离子体工艺已经成为主流工艺.而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素.文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年1期页码:摘要：
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 在冷壁式不锈钢超高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 从3个层面研究了分子束外延Al 0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As/I nP功率HEMT结构材料生长技术.首先,通过观察生长过程的高能电子衍射(RHEED)图谱, 确立了...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/S i材料的原位掺杂控制技术.采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术(ATR-FTIR),研究了Si(111)在不同比例的NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态.通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子,表明在较低...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
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