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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
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2483
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  • 1. HfO2高K栅介质薄膜的电学特性研究
    作者： 刘晓彦 康晋锋 韩德栋 韩汝琦
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  1-3
    摘要： 研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特性,击穿特性进行了测试.实验结果显示:HfO2...
  • 2. 应变Si1-xGex沟道PMOSFET空穴局域化研究
    作者： 屠荆 杨荣 罗晋生
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  4-9
    摘要： 为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关系.在理论分析的基础上,以数值模拟为手段,研究...
  • 3. 2～8GHz单片可变增益低噪声放大器芯片
    作者：
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  9-9,19
    摘要：
  • 4. n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
    作者： 刘弋波 刘晓彦 孙雷 杜刚 韩汝琦
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  10-14
    摘要： 利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件,对n沟肖特基势垒隧穿晶体管(SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟,详细分析了沟道区掺杂浓度,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对SBTT特性的影响.
  • 5. MOSFET栅下碰撞电离与击穿研究
    作者： Ganming Qin 姚素英 王传政 王培林 赫晓龙 赵毅强
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  15-19
    摘要： 研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决定器件的击穿特性.通过对实验研究与计算机模拟结果的分...
  • 6. a-Si TFT亚阈特征参数与有源层的厚度效应
    作者： 宋跃 邹雪城
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  20-25
    摘要： 从异质界面处的有效界面态出发,研究了a-Si Nx:H/a-Si:H异质结a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应,发现a-Si:H的特性不仅与材料、工艺有关,而且其几...
  • 7. 2～8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器
    作者： 刘军霞 彭龙新 林金庭 贺文彪 陈效建 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  26-30,43
    摘要： 报道了一种微波宽带GaAs单片可变增益低噪声放大器芯片.该芯片采用南京电子器件研究所φ76mm圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,在零衰减时,整个带内...
  • 8. 非均匀介质中非对称耦合传输线的传输矩阵
    作者： 吴咏诗 王安国 金涛斌
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  31-37,63
    摘要： 采用新的方法推导出非均匀介质中非对称耦合传输线的传输矩阵(7参数)解析表达式,给出了以正规模式参量描述的T参数表达式.所得T参数表达式形式简明,物理概念明晰.通过矩阵分块运算,由散射参数推导...
  • 9. 基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析
    作者： Omar Wing 任俊彦 孙承绶 来金梅 武新宇 章倩苓
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  38-43
    摘要： 研究了基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析有效算法:通过恰当的系统解耦、松弛迭代和边值问题求解等方法避免了复杂的PDE周期稳态分析,较好地解决了基于MOSFET PDE模型的射...
  • 10. MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟
    作者： Omar Wing 任俊彦 来金梅 许俊 陈宰曼
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  44-49
    摘要： 针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下...
  • 11. VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性
    作者： 康香宁 陈良惠
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  50-54,59
    摘要： 采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、...
  • 12. 扩大感光动态范围的象限光电传感器的研究
    作者： 周鑫 朱大中
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  55-59
    摘要： 介绍了一种可调整感光动态范围的象限传感器的设计.该传感器采用0.6微米CMOS标准工艺制造.包含有16×16有源光电管阵列,相关二次采样(CDS)电路,输出缓冲放大电路和数字控制电路几个主要...
  • 13. GaAs微条粒子探测器的设计
    作者： 凌行 史常忻 温伯莹 邵传芬
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  60-63
    摘要： 介绍了最新研制成功的GaAs微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计.每一微条长度均为1 7 000μm,宽度分别为20、50、100、200和300 μm.微条间距有50、100、200和300...
  • 14. 高隔离度S波段MEMS膜桥开关
    作者： 周百令 张龙 朱健 贾世星 郁元卫 陆乐
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  64-67
    摘要： 常规的MEMS膜桥开关在10 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度(＞20 dB)的优点.文中介绍了一种应用于微波低频段--S波段的高隔离MEMS膜桥开关,给出了开关的设计与优化方法,建立了...
  • 15. 固支梁微传感器等效电路宏模型及IP库的建立
    作者： 戎华 李伟华 闻飞纳
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  68-72,122
    摘要： 针对MFMS器件中的固支梁结构,采用了SPICF中标准多项式受控源的形式和模态分析的方法,运用F-I类比的电路形式建立了固支梁微传感器的多模态小信号等效电路宏模型,并建立了相应的IP模型库单...
  • 16. 基于微机械的多孔硅牺牲层技术
    作者： 刘理天 周俊 王晓红 谢克文
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  73-76,116
    摘要： 多孔硅作为一种牺牲层材料,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用.文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术,并用后两种"在低掺杂衬底上的多孔硅牺牲层技术",制作了良好的悬空微薄膜结构,同时对...
  • 17. DDS技术在SPWM信号产生系统IP核设计中的应用
    作者： 余宁梅 张如亮 梁毅 高勇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  77-80,122
    摘要： 提出了一种新的数字频率合成(DDS)实现的方法,对传统的DDS系统进行了改进,通过改变正弦波数据的取样时钟频率来改变正弦波的频率,而每个周期正弦波的采样点数固定不变,从而解决了传统DDS生成...
  • 18. 低噪声、低功耗CMOS电荷泵锁相环设计
    作者： 张瑞智 王洪魁 袁小云
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  81-85
    摘要： 设计了一种1.8 V、0.18 μm工艺的低噪声低功耗锁相环电路,其采用CSA(Current Steer Amplifier)架构的压控振荡器(VCO).整个电路功耗低,芯片面积为1 60...
  • 19. 基于随机非线性微分方程的振荡器相位噪声研究
    作者： Omar Wing 任俊彦 来金梅 林蔚然 章倩苓
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  86-91
    摘要： 根据振荡器电路的时变非线性特性,运用一种通用的相位噪声理论,通过对噪声源随机过程建模.求解具有严格数学意义的随机非线性微分方程,得到一个常数c来描述时间抖动和频谱扩散.分别用基于随机非线性微...
  • 20. 一种用于LCD驱动控制的4位微处理器
    作者： 孟军 温作晓 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  92-97
    摘要： 设计了一种用于LCD驱动的4位专用微处理器,按照功能框图对其特点进行分析.该微处理器具有丰富的指令集,能够满足LCD显示的各种要求,系统最大特色就是提供了比较完备的用于测试片内模块故障的测试...
  • 21. 一种新型异步ACS的CMOS VLSI设计
    作者： 仇玉林 赵冰 黑勇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  98-102
    摘要： 介绍一种新型异步ACS(加法器-比较器-选择器)的设计.一种异步实现结构的异步比较器,并通过异步加法单元、比较单元和选择单元的异步互连,构成了异步ACS.在异步ACS的性能分析时采用了一种基...
  • 22. 一种适用于通用CPU的高命中率、低功耗TLB
    作者： 张亮 程君侠 陈祺欣 鲁则瑜
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  103-107,129
    摘要： 为了提高CPU的速度和更有效的管理物理内存,一般都采用转换查找缓冲器(TLB)将虚拟地址转换为物理地址.文中介绍一种适用于32位通用CPU的TLB结构.这种TLB采用组相联映射、两种页粒度结...
  • 23. 多输入多输出CCⅡ电压模式滤波器
    作者： 李兰 沈光地 王春华
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  108-112
    摘要： 提出了两种CCⅡ(第二代电流传输器)多输入多输出的电压模式滤波器电路.第一种电路为三输入二输出滤波器电路,由2个CCⅡ+(同相CCⅡ)及4个RC元件构成,能实现10个不同条件下的滤波器,并能...
  • 24. 基于CCCⅡ的多功能滤波器及其仿真研究
    作者： 马云辉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  113-116
    摘要： 提出了由电流控制传输器(CCCⅡ)实现的新型电流模式和电压模式多功能滤波器电路,该滤波器由CCCⅡ和两个接地电容构成.电路具有以下特点:可实现多种滤波功能;易于集成;能独立调节中心频率ω0和...
  • 25. 一种新型低功耗准动态移位寄存器的模拟
    作者： 仇玉林 金湘亮 陈杰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  117-122
    摘要： 提出一种低功耗准动态移位寄存器电路,这种电路静态功耗几乎为0,仅仅存在动态功耗;是一种无比电路,所有的开关和反相器晶体管按最小尺寸进行设计,电路简单,面积小;该种电路不存在电荷的再分配,漏电...
  • 26. 一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用
    作者： 康晓旭 汤庭鳌 王晓光 程旭 钟宇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  123-129
    摘要： 随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈.文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进,它不仅与线性双...
  • 27. 选择离子注入集电极技术研究
    作者： 张利春 金海岩 高玉芝
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  130-133
    摘要： 为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.扩展电阻的测试结果显示出注入的P离子基本上集中在集电...
  • 28. 富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究
    作者： 刘二海 周晓龙 周智慧 孙同年 孙聂枫 安娜 徐永强 李光平 杨光耀 董彦辉 谢德良
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  134-137
    摘要： 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了φ100 mm InP掺硫单晶材料.对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描...
  • 29. Si衬底(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜的制备与性能研究
    作者： 孙平 王茂祥 陈淑燕
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  138-141
    摘要： 性能优良的Si衬底铁电薄膜的制备对制作Si基单片集成非制冷焦平面阵列(UFPA)器件意义重大.文中采用磁控测射技术在Si衬底上成功地制备了(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜,该薄膜以LS...
  • 30. AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
    作者： 周玉刚 张卫红 曹春海 杨立杰 沈波 焦刚 王柏年 王泉慧 薛舫时 郑有炓 金龙
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  142-144
    摘要： 研究了GaN高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺,讨论了几种测试方法的优缺点,并根据器件制作的工艺兼容性,在n-GaN样品上获得了4×10-6Ω·cm2的欧姆接触,在AlGaN/GaN...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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