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固体电子学研究与进展2007年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 从自洽求解薛定谔方程出发,计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态.研究了电子气二维特性与迁移率间的关联.用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型.该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果.模拟得到的SIT输...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 在对单电子晶体管主方程模型及主方程的解法详细的分析的基础上,把单电子晶体管主方程模型和SPICE的ABM功能结合,提出了基于主方程的单电子晶体管SPICE模型.该模型由一个非线性电压控制电流...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态.研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态.在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时,菱...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅.通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的.并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 采用OMMIC公司提供的0.2 μmGaAs PHEMT工艺(fT=60GHz)设计并实现了一种适用于宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.在3.1～10.6 GHz的频带内测试结果如下:...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 采用GaAs PIN二极管,完成1～26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10～26.5 GHz,...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 提出了一种利用SRD产生窄脉冲信号的方法,对其产生窄脉冲的机理进行了分析和仿真,为了使得脉冲宽度变得更窄,电路采用了NLTL结构,拓展了SRD产生窄脉冲的应用,文中分析了NLTL的工作原理....
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10. 基于倒扣技术的Ka波段环形混频器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器.该混频器采用高介电常数的复合材料(Rogers Duroid3010,εr=10.2),以获得较小的芯片面积;电路设计中重点考虑了在较低的本振功...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 介绍了采用0.35 μm CMOS工艺实现的单边带上变频混频电路.该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900(1 850～1 910 MHz)发射器系统中.电路采用了multi-tanh...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RF MEMS开关的设计和制作研究.分析表明,当开关的上电极为多支撑梁结构时,需要对传统的开关等效电路加以改...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 采用了国内0.6 μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器.放大器采用四级级联结构,单元电路采用管联(cascode)结构以提高隔离度.在输入输出端50 Ω匹配情况下,测试得...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 通过一个0.18 μm CMOS工艺、低功耗Sigma-Delta ADC调制器(SDM)部分的设计研究,提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法,论述了从系统级行为验证到电路级验证的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 讨论分析了混合信号集成电路衬底噪声耦合的机理,及对模拟电路性能的影响.提出了一种混合信号集成电路衬底耦合噪声分析方法,基于TSMC 0.35 μm 2P4M CMOS工艺,以14位高速电流舵...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 分析了无线通信分数分频频率合成用移位产生的简单高效的单环3阶3位量化SDM结构.该电路采用标准0.18 μm CMOS工艺实现,电源电压1.8V,内部使用24位总线,在工作频率为16 MHz...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 采用片外谐振网络和多VCO的结构设计了一个宽带CMOS VCO,并采用一种新型的电荷泵式自动幅度控制电路,确保了VCO在整个带宽内的可靠性.基于Chartered 0.25 μm CMOS工...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 采用积分清除电路对曼彻斯特码进行再生判决,具有结构简单、容易实现的特点,理论分析其误码率性能与理想的最佳接收机的性能相同.文中给出了理论分析,并根据理论分析设计了实际电路.设计采用0.25 ...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 设计了一种低功耗的2D DCT/IDCT处理器.为了降低功耗,设计基于行列分解的结构,采用了Loeffler的DCT/IDCT快速算法,并使用了零输入旁路、门控时钟、截断处理等技术,在满足设...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 提出以电流信号表示逻辑值的新型低噪声触发器设计,用于高性能混合集成电路的设计中以减少存贮单元开关噪声对模拟电路性能的影响.所提出的设计包括主从型边沿触发器和单闩锁单边沿触发器.单个锁存器的电...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 设计了一种静态电流约为0.6 μA的运算跨导放大器电路,并已经成功地应用于一款超低静态电流的新一代低压差线性稳压器芯片中.此放大器的突出优点是与Foldback过流保护电路融合在一起,使得芯...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 首先给出使用面向对象方式对硬件进行描述和验证的统一框架.这个统一的框架涉及了一种面向对象的语言:e语言以及实时环境Specman EliteTM.然后介绍了使用e语言进行硬件模块描述、综合和...
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23. 声表面波射频识别无源电子标签刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 简述声表面波射频识别无源标签的原理与特点,介绍了434 MHz和915 MHz标签的试验结果:工作频率915 MHz、434 MHz,码容量＞1 000,读写距离0.5～5 m.讨论了声表面...
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24. Y型声表面波器件特性分析刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 在128°旋转Y切割X传播方向上的LiNbO基片上设计并研制了Y型声表面波器件.它将输入IDT激发的声表面波轴对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出.应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 针对CMOS图像传感器滚筒式曝光模式,研究采用多种曝光对间,实现多线段拟合像素输出特性曲线,扩展传感器的动态范围,并改善其平滑性,提高图像清晰度;应用电源保护环、像素二次采样等方法消噪.电路...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况,提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计,该系统具有实时观察病人图像、全消化道检查以及提供三维深度图像数据等功能,并对方案中各硬件模块...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重.考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 在K.S.Chen et al.(2003)和M.T.Chao et al.(2005)研究理论的基础上,改变他们使用的单变量工序能力指数表达式,建立了基于成品率的多变量工序能力指数计算模型...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年1期页码:摘要： 研究了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜时,射频功率和腔室压力对氮化硅薄膜应力的影响以及应力与沉积速率的关系.通常认为高频下制备得到的氮化硅膜呈现张应力,但是通过实验,...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响.由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
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