固体电子学研究与进展期刊
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
文章浏览
目录
  • 作者: 肖景林
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  1-4
    摘要: 采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对非对称量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚...
  • 作者: 关玉琴 萨茹拉 赵春旺
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  5-9
    摘要: 以海森伯模型为基础,只考虑最近邻相互作用,在计人外磁场和非周期性边界条件下,应用界面重参数化(IR)方法,讨论了体各向异性场对界面自旋波存在条件的影响,结果发现:不管耦合多弱都会存在声学-声...
  • 作者: 李志新 肖景林
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  10-13,121
    摘要: 采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了自旋对量子点中弱耦合束缚磁极化子性质的影响.考虑自旋影响时,讨论了束缚磁极化子的基态能量随量子点受限长度和磁场的变化关系.结果表明:在库仑束缚势保持不变...
  • 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  14-17
    摘要: 应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础.采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型.结果表明:[00...
  • 作者: 徐婕 林细龙
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  18-22,137
    摘要: 目前集约建模的趋势是由基于阈值电压的模型转向基于表面势的模型,而后者需要一个对非线性Pao-Sah电压方程的精确解,作为隐含数方程,Pao-Sah电压方程必须数值求解以求得表面势.牛顿算法是...
  • 作者: 刘昶时
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  23-26,57
    摘要: 根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化.将这个...
  • 作者: 冯震 张志国 杨克武 蔡树军 郝跃
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  27-30
    摘要: 电流崩塌效应是限制AlGaN/GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素,文中从器件研制的角度研究了AlGaN/GaN HFET的电流崩塌效应.研究结果表明,采用传统的化合物半导体器件细栅...
  • 作者: 薛舫时
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  31-35
    摘要: 自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响.证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源.建立了夹断电压移动与异质结...
  • 作者: 万建岗 王新 高玉良
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  36-40
    摘要: 设计了一种工作在S波段,频带宽度为400 MHz.平均占空比≤10%,脉冲宽度≤200μs的1kW固态功率放大组件.组件采用四级放大结构.将5 mw左右的激励信号放大到1kW,通过优化晶体管...
  • 作者: 华明清 唐万春 王志功 王贵
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  41-45
    摘要: 基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性.利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18 μm CMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声...
  • 作者: 宋家友 彭艳军 王志功
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  46-49
    摘要: 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35 μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器.该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有...
  • 作者: 余俊 吴建辉 张萌 黄磊
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  50-54
    摘要: 设计了一种基于双模预分频的宽范围可编程分频器.对预分频器的逻辑电路进行了改进,提高了最高工作频率,同时,引入输入缓冲级,增加了低频时分频器的输入敏感性.基于Chartered 0.25μm厚...
  • 作者: 张友俊
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  55-57
    摘要: 提出了一种新型的周期结构双频微带带通滤波器(BPF--Bandpass filter),该结构由刻蚀在补偿微带线微带两边的两个不同周期结构构成,在3.72 GHz和6.01 GHz频率范围内...
  • 作者: 丁光彩 王海永 阴亚东 陈杰
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  58-61
    摘要: 首先讨论了普通频带切换电路及使用它的锁相环的电路结构,指出了其存在切换频带时间较长的问题,进而提出并分析了一种改进的频带切换电路.该电路在锁相环切换频带时,产生与输入参考时钟同步的复位信号用...
  • 作者: 夏晓娟 孙伟锋 谢亮
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  62-66
    摘要: 提出了一种快闪式红外焦平面阵列读出电路.采用改进的直接注入型单元电路,积分电容大小可选,能适应大范围的光背景条件,并且增加了图像变换(倒置/反转)功能.一款128×128阵列的读出电路已经基...
  • 作者: 李海涛 李茜 潘炜 罗斌
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  67-71
    摘要: 提出了基于线性光放大器(LOA)的交叉增益调制(XGM)原理来实现全光逻辑与(AND)运算的理论模型,通过Simulink模块构建,使其更好地仿真出逻辑输出结果,并且分析不同参数对与输出结果...
  • 作者: 康春燕 张小帆 张磊 李媛
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  72-76,88
    摘要: 计算了二维光子晶体TM模透射率频率分布,并用FDTD+PML边界方法对光子晶体传输特性进行分析,直观地给出了光在光子晶体中的光场分布,分析了不同网格精细度和晶体层数对于透过率的影响.
  • 作者: 吴晓波 张毅 曲光阳
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  77-82
    摘要: 在分析研究AB类运算放大器的输入和输出级构成原理基础上.提出一种与信号处理模块的输出端匹配并具有一定负载能力的缓冲器的设计.缓冲器采用了AB类运放结构,其输入级采用折叠式共射共基结构,输出级...
  • 作者: 叶强 李演明 来新泉 袁冰 许录平
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  83-88
    摘要: 为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于可调电荷泵的用于TFT-LCD液晶显示的片内双模式高压开关控制器,该控制器能减小液晶显示功耗,减少栅走线和液晶面板之间...
  • 作者: 刘爱荣 杨华中 杨斌
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  89-92,105
    摘要: 相位裕度是影响运算放大器建立方式和建立精度的一个重要参数,在高速度高精度应用中,获得高的单位增益带宽的同时获得大的相位裕度变得非常困难.通过引入相位裕度参数提出了一种更加完整的开关电容积分器...
  • 作者: 张火文 曾韡 李楠 郑国祥 黄均鼐
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  93-98
    摘要: 硬件结构及电子设计的质量是决定FPGA性能的两个重要因素.针对这两个方面,提出了一种通用的FP-GA芯片I/O互连结构,利用"回线"的终端互补原理对各种互连线的悬空终端进行连接.根据所提出的...
  • 作者: 刘玮 杨莲兴 肖磊
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  99-105
    摘要: 对1.25 Gbps应用于千兆以太网的低抖动串并并串转换接收器进行了设计,应用了带有频率辅助的双环 时钟数据恢复电路,FLL扩大了时钟数据恢复电路的捕捉范围.基于三态结构的鉴频鉴相从1.25...
  • 作者: 于宗光 崔强 朱科翰 杜晓阳 董树荣 霍明旭 韩雁
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  106-111
    摘要: 研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm 5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输...
  • 作者: 杨威 王春华 谢庆楚
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  112-116
    摘要: 提出了一个跨导线性MDDCCⅡ电路,该电路全部由双极型晶体管构成.详细分析了其工作原理,并对该电路进行了硬件实验.该电路在0~1.5 MHz以很小的跟踪误差满足MDDCCⅡ理想端口特性,其中...
  • 作者: 来新泉 牟在鑫 王松林 王辉 郭宝龙
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  117-121
    摘要: 针对Buck型开关稳压器的断续工作模式(DCM),基于CSMC 0.5 μm CMoS工艺设计实现了一种新颖的负载电流检测电路,同传统的电感电流采样方式不同,该结构直接应用与负载电流变化几乎...
  • 作者: 朱大中 郑晓东 郭维
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  122-125
    摘要: 基于0.6/μm标准CMOS工艺,研究设计了一款大功率照明白光LED恒流驱动芯片,可为两路功率型LED分别提供恒定的350 mA驱动电流.驱动电路的输出级大功率管采用蛇形栅结构的设计,在标准...
  • 作者: 吴晓波 郝炳贤 陈海
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  126-131
    摘要: 针对降低多模式开关电源控制芯片在轻载与待机工作模式下功耗,提高其全负载条件下工作效率的需要,提出一种开关电源控制芯片供电系统的设计方案,实现了其在启动、0关断、重载、轻载以及待机等各种工作情...
  • 作者: 姜天杰 杜鹃 邹雪城 郑朝霞
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  132-137
    摘要: 在分析了IEEE 802.15.4关于无线传感器网络协议带有冲突避免的载波监听多点接人机制的基础上,通过采用独立的指令集、使用软件来控制射频接人流程的实现方式和复用伪随机数产生电路和CRC校...
  • 作者: 朱大中 郭清 韩雁
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  138-142
    摘要: 研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路.该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理...
  • 作者: 周晓峰 李玉芳 林友玲 毛健 熊斌 王跃林 车录锋
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  143-146
    摘要: 提出了一种高对称电容式微加速度传感器,该传感器为硅四层键合三明治结构,在完成传感器整体结构制作的同时,实现了圆片级真空封装.利用多次氧化的方法,既精确控制了加速度传感器的初始电容问距,又实现...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊