固体电子学研究与进展期刊
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
文章浏览
目录
  • 作者: 薛舫时
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  1-8
    摘要: 通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化.研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响.发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致...
  • 作者: 倪金玉 姜文海 孔月婵 李亮 李忠辉 章咏梅 董逊 许晓军
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  9-12
    摘要: 采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,高质量GaN薄膜只能在高TMAl流量...
  • 作者: 王林 王燕
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  13-15,75
    摘要: 当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应).提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建...
  • 作者: 周建军 孔岑 彭龙新 李建平 李忠辉 焦刚 陈堂胜
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  16-19
    摘要: 采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器.GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10V偏压下芯片在X波段范围内...
  • 作者: 倪炜江 吴鹏 李哲洋 李宇柱 柏松 王雯 陈刚
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  20-23
    摘要: 采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECV...
  • 作者: 万青 施毅 曹瑞华 殷垚 濮林 郑有炓 陈鹏
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  24-28
    摘要: 用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED).场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表...
  • 作者:
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  28
    摘要:
  • 作者: 方玉明 李普 胡如夫
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  29-34
    摘要: 在MEMS执行器的设计中,求出准确的pull-in参数是至关重要的.在过去的研究中,在准静态假设下,电压控制的MEMS微执行器的pull-in模型已经被提出,并且还提出了一些拓宽微执行器稳定...
  • 作者: 张扬 李琦 段吉海
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  35-39
    摘要: 提出具有浮空埋层的变掺杂高压器件新结构(BVLD:Variation in lateral doping with floating buriedlayer),建立其击穿电压模型.线性变掺杂...
  • 作者: 周东 张庆东 顾晓峰
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  40-43
    摘要: 基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4.对新型的SiC源/漏结...
  • 作者: 丛伟林 李平 李辉 杨志明 范雪 谢小东
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  44-47
    摘要: 针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究.该存储器为FPGA的配置存储器.通过对被测器件分组,在加电...
  • 作者: 钟传杰 黄玮
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  48-52
    摘要: 研究异质栅单Halo沟道SOI MOS器件的隐埋层中二维效应对器件特性,如电势分布、阈值电压等的影响,仿真结果表明,隐埋层中的二维效应会引起更明显的SCE及DIBL效应.在考虑隐埋层二维效应...
  • 作者: 施传贵 王因生 金毓铨 陶有迁 韩钧
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  53-55
    摘要: 根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性.测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实.提出应力试验前后测量器件热阻...
  • 作者: 孙晓红 张晓东 胡善文 钱罕杰 高怀
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  56-59,64
    摘要: 提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析.基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自...
  • 作者: 丁小明 严德圣 刘洪军 李相光 王佃利 王因生 蒋幼泉 钱伟
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  60-64
    摘要: 报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果.所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻.研制结果表明,在漏源工作电压...
  • 作者: 彭敏 朱红卫 杜涛
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  65-69,101
    摘要: 设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13 μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能...
  • 作者: 吴伟 樊晓桠 郑然 魏廷存
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  70-75
    摘要: 在分析各种超宽带(UWB)接收机系统结构的基础上,提出了一种低功耗IR-UWB接收机结构.该结构基于非相干通信机制,使用自混频技术和脉冲宽度调制方式(PPM).在该结构中,低噪声放大器(LN...
  • 作者: 王文礼 王肖莹 郭文婷 隋文泉
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  76-80
    摘要: 描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例.该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收...
  • 作者: 张晓东 张海涛 梁聪 滑育楠 胡善文 高怀
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  81-84,89
    摘要: 设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效...
  • 作者: 宋波 张世峰 张斌 胡佳贤 韩雁
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  85-89
    摘要: 介绍了自主研制的200 V/40 A VDMOS晶体管的设计优化过程及研制结果.该器件采用JFET注入和浅P-body方法降低导通电阻,提高电流密度,采用优化的N掺杂硅外延材料优化导通电阻和...
  • 作者: 惠志达 曾晓洋 程旭 袁宇丹 郭亚炜
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  90-94,101
    摘要: 针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0·13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(C...
  • 作者: 付文汇 孟彬 易婷 洪志良 郑震湘
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  95-101
    摘要: 设计了一种基于开关电容的可配置多模滤波器,由模拟信号处理模块、数字控制模块和参考电压电流源组成;通过数字控制模块配置滤波器工作在旁路、低通、带通、自适应工作状态,同时实现低通滤波器截止频率和...
  • 作者: 倪炜江 李哲洋 李宇柱 李赟 柏松 管邦虎 陈征 陈辰
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  103-106
    摘要: 用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET).在栅电压V<,G>=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在V<,G>=2.5 V,V<...
  • 作者: 孙永强 张东国 彭大青 李亮 李哲洋 李忠辉 董逊
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  107-110
    摘要: 使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品.研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高G...
  • 作者: 任春江 余旭明 张斌 陈堂胜
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  111-114
    摘要: 报道了一款采用三级拓扑结构的6~18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片.放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率.经匹配优化后放大器在6~18 GHz整...
  • 作者: 任春江 焦刚 肖德坚 蒋浩 陈堂胜
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  115-119,140
    摘要: 报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性.器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器...
  • 作者: 刘海琪 周建军 董逊 陈堂胜
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  120-123
    摘要: 通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×10<'13>cm<'-2>.通过该结构制备了0.15 μm栅长In...
  • 作者: 吕伟锋 孙玲玲
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  124-129
    摘要: MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进.针对模拟集成电路设计中MOSF...
  • 作者: 王彩琳 贺东晓
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  130-135
    摘要: 介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响.利用ISE软件模拟了IEGT在高温下的导通特性、阻断特性和开关特...
  • 作者: 刘君 唐建军 张斌珍 王杰 谭振新 贾晓娟 高杰
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  136-140
    摘要: 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD.主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,V<,...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊