固体电子学研究与进展期刊
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
文章浏览
目录
  • 作者: 唐立军 彭平 文勇军 曾云 谢海情
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  1-5
    摘要: 采用第一性原理赝势平面波方法研究了La掺杂ZnS体系的电子结构与稳定性.通过对掺杂前后各模型的形成热、结合能、能带结构、态密度、Mulliken电荷和键重叠聚居数的计算与分析,结果表明:La...
  • 作者: 张世林 毛陆虹 王伊钿 谢生 郭维廉
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  6-10,41
    摘要: 表观正阻是RTD I-V特性上峰值电压Vp大于谷值电压Vv的现象.以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻RL构成的锁定单元,但未阐明负载电阻产生的物理过程.对表观正阻现象产生的物理机制进行...
  • 作者: 王伟 肖广然 蔡宇凯 闫帅军 陈将伟
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  11-16
    摘要: 采用紧束缚近似模型,运用Green函数和Landauer-Büttiker公式计算了并联型Armchair型边界的石墨烯纳米条带的电子输运性质.结果表明,随着并联纳米条带数量的增加,石墨烯纳...
  • 作者: 刘璐 徐静平 朱剑云 李育强
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  17-21
    摘要: 采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的...
  • 作者: 刘保军 庞天亮 张明亮 李政操 杨晓阔 蔡理 陈祥叶
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  22-27,85
    摘要: 纳磁体倾斜边缘是磁性量子元胞自动机(Magnetic quantum cellular automata,MQCA)制备过程中常见的缺陷.研究倾斜边缘纳磁体的位置、缺失程度、形状等对互连线的...
  • 作者: 周建军 孔岑 孔月婵 柏松 耿习娇 陆海燕 陈刚 陈堂胜
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  28-31,85
    摘要: 基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET).利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析.同时,对研制的金刚石MES...
  • 作者: 刘冬华 朱东园 段文婷 石晶 肖胜安 胡君 钱文生 陈帆 黄景峰
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  32-36
    摘要: 对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究.通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压...
  • 作者: 杨立杰 蒋东铭 陈新宇 黄子乾
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  37-41
    摘要: 采用76.2 mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片.采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性.在片测试表明,在30—36 GHz工作频段,开...
  • 作者: 张有涛 曲俊达 钱峰
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  42-46
    摘要: 设计了一种基于二极管桥的两级全差分跟踪保持电路,两级模块由独立的时钟控制,可以各自工作在跟踪模式.芯片采用1 μm GaAs HBT工艺实现,芯片大小为1.8 mm×2 mm,功耗2.75W...
  • 作者: 张晗 王滨
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  47-51
    摘要: 根据Doherty技术,设计了一款改进型宽频带功率放大器.在设计过程中,分析了λ/4线对Doherty功率放大器(DPA)的影响.通过对阻抗比的研究,在理论上延拓了功放的带宽.此外,应用不对...
  • 作者: 戴雷 朱彦青 许正荣 陈新宇
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  52-56
    摘要: 采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900 MHz、GSM1800/1 900 MHz.整个LTCC滤波器体积为2.5 mm×3.2 mm×0....
  • 作者: 彭中卫 王建 王文秀
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  57-62
    摘要: 论文所分析的Ka波段平板缝隙阵列天线具有阵面尺寸大(534.89mm×494.3mm)、缝隙多(5 120)的特点,因而对于阵面的设计运用优化总体设计,并运用等效电路法结合电磁仿真软件HFS...
  • 作者: 曾瑞锋 苗一新 许庆 黄贞松
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  63-67
    摘要: 设计并实现了一种用于ETC系统的收发前端模块,提出了一种新型ASK调制电路,较之传统收发模块性能有较大提高.该模块发射路采用数字模拟双重衰减器设计,接收路采用双AGC电路设计,可实现发射的A...
  • 作者: 尹志军 朱志明 李赟 赵志飞 陆东赛
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  68-71
    摘要: 4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响.主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响.采用外延生长...
  • 作者: 倪金玉 刘涛 周建军 孔岑 王金 陈堂胜
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  72-75,96
    摘要: 研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径.研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性.采用Ti/Al (...
  • 作者: 于坤山 刘江 刘钺杨 赵哿 金锐 高明超
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  76-79,101
    摘要: 基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过...
  • 作者: 戴澜 胡晓宇 陈铖颖 黑勇
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  80-85
    摘要: 逐次逼近模数转换器(SAR ADC)具有中等转换精度和速度,在精度、速度、功耗以及成本方面具有综合优势,且易于实现多路控制,广泛应用于工业控制、医疗仪器以及微控制器(MCU)等领域中.采用G...
  • 作者: 李叶 洪志良 管璐璐 许伟伟
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  86-91
    摘要: 设计了一款单电感双输出(SIDO)的降压型直流-直流转换器,一个输出电压可以进行动态电压转换,在0.725—1.2V直接变化,另一输出电压可实现1.2V和1.8V,两路输出最大可实现500 ...
  • 作者: 曾云 杨洁 杨艳军
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  92-96
    摘要: 基于上华0.5 μm工艺,设计了输入电压为1.5V,输出电压为1.2V,最大输出电流为80 mA,用于DC/DC里的CMOS低压差线性稳压器(Low-dropout regulator),作...
  • 作者: 刘迪 梁海莲 陆坚 顾晓峰
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  97-101
    摘要: 静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍.针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结...
  • 作者:
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  102
    摘要:
  • 作者: 周少阳 夏丹 柯导明 王保童 申静
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  103-107,118
    摘要: 提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型.不同于经典模型,该模型对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程,方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影...
  • 作者: 姜一波 曾传滨 罗家俊 韩郑生
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  108-111
    摘要: 对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题.着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系.结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通...
  • 作者: 张华鑫 王伟 王燕
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  112-118
    摘要: 用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性.结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率.对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进...
  • 作者: 刘诗尧 曹建明 贺威 黄思文
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  119-123
    摘要: 通过对赝MOS进行不同剂量的辐射,得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线,并通过中带电压法进行分析,得出在不同辐射下SOI材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数.采用这...
  • 作者: 吴键 杨磊 艾萱 郑远 钱峰 陈新宇
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  124-129,174
    摘要: 利用电流复用技术设计8 mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73 mm×0.75 mm×0.1 mm.测试结果显示:在32~38 GHz频带内...
  • 作者: 张敏 张有涛 李晓鹏 杨磊 陈新宇
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  130-134
    摘要: 基于1 μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26 GS/s单bit量化降速芯片.芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化.测试结...
  • 作者: 孙晓玮 孙芸 杨明辉 韩克武
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  135-140
    摘要: 采用矢量调制器作为新型有源相控阵的核心器件,替代传统的波束成形单元中数字移相器和数字衰减器.分析了矢量调制器幅度相位的调制原理,从数学上推导出幅度调制系数和相位调制之间的关系.与数字移相器相...
  • 作者: 徐全胜 杨斌 林川 苑小林 高群
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  141-143,182
    摘要: 介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法.该模块采用GaAs和硅功率芯片,通过内匹配混合集成电路技术,将两级芯片集成到金属密封管壳中.实测结果表明,在脉宽200μs,占空比10%的测试条...
  • 作者: 彭烨 陈昌明
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  144-147
    摘要: 提出了一种小型低相噪、低杂散的C波段全相参频率综合器设计方案.基带信号由DDS芯片产生,通过对环路滤波器和电路印制板的优化设计改善相噪和杂散性能,并与PLL输出的C波段点频信号进行上变频,得...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊