论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 固体电子学研究与进展期刊 >
固体电子学研究与进展2014年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
分享
投稿
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 采用少体物理方法,研究了磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响.以GaAs半导体量子点为例,对体系基态能级E0、第一激发态自旋单态能级E1(A)和自旋三重态能级E1(S)随量子点有效...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 通过精确求解柱形量子点的能量本征方程,得到极化子的基态本征能量以及本征波函数,进而研究了柱形量子点中极化子的性质.数值计算表明:柱形量子点中极化子的声子平均数随着电子-LO声子耦合强度的增大...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 针对有机薄膜晶体管(OTFT)表面势对源漏电流的影响,提出一个有机薄膜晶体管的直流电流-电压模型.该模型应用Lambert W函数和Poole-Frenkel迁移率理论,定量地描述了表面势对...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 介绍了一种较为精确的Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型的直接提取方法.该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构,并通过在不同偏置状态下的测量进行模型参数的提取.采用该方法对2μm工艺、...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的I-V特性随温度(T)的变化进行了系统测量,并基于此I-V特性,采用第一正阻区斜率法和第二正阻区I-V特性法测量了RTD的直流串联电阻(Rs).分析、比...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1 mm×1.4 mm,功耗420 mW.测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1 ...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 基于E/D GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片.该MMIC集成了数字驱动器和微波电路,内含6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个低噪声...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了一种适用于单片微波集成电路(MMIC)的有源预失真电路结构,给出了预失真单片电路的数学模型用来对设计参数进行优化选择,对要进行线性优化的功率放大器采用非线性方程来描述.基于这种电路结构...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 介绍了一种S波段150 W GaN内匹配功率放大器.器件采用0.25 μm工艺GaN HEMT管芯,内匹配技术对单胞放大器进行输入输出匹配,然后用Wilkinson功率分配器对四路单胞功率放...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求.文中基于改进后CMOS工艺模块,针对GSM基站频段,通过对RF LDMOS版图的优化,制备了...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了芯片内部振荡器的一种设计方案,该振荡器采用了全差分环形振荡器的结构,其延迟单元使用了共模反馈和交叉耦合晶体管对对频率进行调节校准,抑制相位噪声能力强.还提出了一种新型的基准源结构,这种...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 采用多种频率合成技术,包括DDS技术、PLL技术等,设计了一种带宽200 MHz、全频带相位噪声小于-115 dBc/Hz@5 kHz、步进频率小于0.1 Hz的X波段频率合成器.混频锁相模...
-
13. 基于分频器的开关滤波器组件的设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 选频网络广泛用于通信领域,开关滤波器是选频网络中的关键部件.主要介绍了利用单刀多掷开关、分频器和带通滤波器将一个宽带信号根据频率控制码分成多路输出,各路的信号频段均不相同,并通过补偿技术保障...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现.由于衬底电阻率高达1 000 Ω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 介绍了温度对悬臂梁式RF-MEMS开关的影响.以南京电子器件研究所研制的悬臂梁式RF-MEMS开关为实验样品,常温下(25℃)先测定样品的驱动电压和射频特性,再将样品置于温度恒定的烘箱中热烘...
-
16. 征稿启事刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要：
-
17. 夹断电压可调的高压结型场效应管刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 基于Double RESURF 700 V BCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET).这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 基于现有工艺平台设计一款1 700 V/100 A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件(Non punch through insulator gate bipolar transistor,简称N...
-
19. 一种快速启动低噪声片上电源刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了一种快速启动的低噪声射频片上电源,采用能够快速启动的RC低通滤波器在降低噪声的同时减少启动时间.在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了设计、仿真与制造,电源的总面积为0.107...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了一种应用于射频无线收发芯片的数字基带控制器,采用中芯国际0.18 μm CMOS工艺设计.该基带控制器系统主要包括接口电路、组帧电路、解帧电路以及核心控制处理器,可实现SPI通信和多种...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了一种便捷的环路稳态分析仿真方法,辅助多环路多稳态系统设计,进一步确保系统正常稳定工作的可靠性.该环路稳态分析方法通过在系统关键节点添加测试激励源,直流扫描仿真测试源的静态电流,分析系统...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解.在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程.结果表明:(1)正向低偏压...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 研究了沟槽栅与平面栅结构1 200 V/20 A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机.忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发.基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 通过进一步优化芯片设计与工艺设计,研制出L波段370 W硅双极型功率晶体管.该器件在42 V工作电压下,脉宽150 μs,占空比10％,频率1.2～1.4 GHz全带内,输出功率可达370W...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 设计了一款用于无线通信W-CDMA,工作在2.04～2.24 GHz的脉冲功率放大器.采用微波仿真软件ADS对放大器的输入/输出阻抗匹配电路、偏置电路及其整体功放电路进行了仿真和优化.测试结...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 为了降低基站能耗和简化散热设计,基于可有效提高功放效率的三级Doherty理论,研制了一款平均输出功率为50 W的FDD-LTE基站三级Doherty功率放大器,并将其与数字预失真系统结合,...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 采用0.18 μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路.在DC～6 GHz频带内,测得插入损耗0.7 dB@2 GHz、1 dB@4 G...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 介绍一种采用新颖hair-pin谐振器设计低相位噪声平面微波振荡器的方法.新hair-pin谐振器利用阶梯阻抗可以转移基波倍频处的伪谐振频率并可以消除谐波互调分量的优势,使振荡器的相位噪声明...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
