论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 固体电子学研究与进展期刊 >
固体电子学研究与进展2015年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
分享
投稿
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外的极化电荷、杂质电荷及电子电荷作为势垒层边界上的界面电荷来解势垒层泊松...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型.利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MO...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于泊松方程和高斯定理,采用非迭代算法,在考虑非晶氧化锌薄膜晶体管(Amorphous zinc oxide thin film transistors,a-ZnO TFTs)带隙能态的指数...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 应变Ge材料载流子迁移率高,且与硅工艺兼容,在硅基CMOS中的应用潜力大.能带结构是深入研究应变Ge材料基本属性,设计高速/高性能CMOS器件的重要理论依据.为此,本文采用结合形变势理论的k...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 在外加交变电场作用下,介电液中的粒子将极化产生介电泳力.此外,粒子还将受到重力、布朗运动以及液体的粘滞阻力等作用.粒子运动遵循牛顿运动定律,分别模拟粒子从90、50和10 μm高度处释放的运...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 在3D基底上制备CNT薄膜可以提高碳纳米管的场发射能力,基底微结构的形貌、尺寸、间距等参数都对碳纳米管的场发射有直接的影响.利用有限元分析软件ANSYS模拟了微立方阵列结构,微立方结构的尺寸...
-
7. K波段预失真电路设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 提出了一种基于单片集成电路的K波段预失真电路设计,采用GaAs 0.15 μm HEMT工艺流片.该电路将主路信号与失真信号分离,利用并联分布的功放作为非线性产生器件,增大了两个功放输入功率...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 介绍了一种基于0.15 μm GaAs pHEMT功率工艺的K波段收发一体多功能芯片.该多功能芯片包含了功率放大器和低噪声放大器及收发开关.接收支路19.6～23.0 GHz内增益大于23 ...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11 b/g/n 2.4～2.5 GHz.整个放大器芯片由三级放大电路构成...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 通过分析并发双波段阻抗变换网络,设计了双波段延时线以及双波段四分之一波长阻抗变换网络.在传统Doherty功率放大器基础上,运用双波段阻抗变换网络,设计了一款并发双波段Doherty.为了验...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 采用空间映射算法对功率放大器电路进行快速优化设计,功率放大器的粗模型和细模型分别采用Agilent ADS的等效电路模型和电磁仿真器Momentum模型,通过选择合适的模型输入参数,建立了粗...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 提出一种小型化混合环,它只有0.9倍中心频率导引波长,相比经典1.5波长混合环,电路面积有所减少.介绍了混合环的理论推导,并对比经典1.5波长混合环与0.9波长混合环的仿真结果,得到比较理想...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 20 GHz以上,当微带衬底材料的介电常数较低(εr=2.2),而GaAs芯片的介电常数为12.9时,直接用50 Ω微带互连会产生较大的反射.对微带芯片互联的失配形式进行了分析和研究,采用在...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 随着MOSFET的特征尺寸的不断减小,短沟道效应越来越严重,阻碍了器件尺寸的进一步按比例缩小.如何有效地抑制短沟道效应已经成为当今的热门研究课题.本文提出了一种新型的SOI MOSFET结构...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 随着CMOS技术的不断发展,由器件失配引起的失调电压对灵敏放大器的影响正逐渐地增大,在设计灵敏放大器前,如何准确地预测其失调电压已成为设计时的一个关键步骤.本文利用泰勒展开法,基于线性电流建...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 完成了一种降压型恒流LED驱动芯片的设计.采用迟滞控制模式以提高芯片工作时的瞬态响应速度;采用电阻分压式二阶曲率补偿方法设计出低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电路;对导通时间与关断时间电路...
-
18. 一种低压高速灵敏放大器电路的设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 提出了一种适合于低电源电压嵌入式闪存系统的高速高抗干扰能力的灵敏放大器.讨论了应用在这个灵敏放大器中的多相位预充、自调节负载及新型的箝位技术.提出的灵敏放大器电路在0.18μm的嵌入式闪存平...
-
19. 3C-SiC悬臂结构干法刻蚀研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于感应离子耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,采用SF6和O2作为刻蚀气体,以金属铝和SiO2作为刻蚀掩膜,系统地研究了3C-SiC悬臂结构的加工方法以及掩膜材料对刻蚀悬臂结构的影响.首先采用...
-
20. 征稿启事刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年1期页码:摘要：
-
21. 纳米FinFET鳍型优化刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： FinFET作为22 nm以下节点最有发展潜力的器件结构,受到广泛关注.不同于传统研究多定性探讨FinFET尺寸变化对其性能的关系,文中定量分析了亚10 nm尺度下鳍形状对器件性能参数的影响...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用分离变量法求解柱坐标系下二维泊松方程,建立了考虑耗尽电荷和自由电荷的全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET的二维体电势模型,并在此基础上得到阈值电压和亚阈值摆幅的解析模型.研究了不同区域长度...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 提出ZnO薄膜晶体管的一种新型结构——双栅复合介质结构,并利用ATLAS软件对双栅复合介质结构与双栅单介质结构进行仿真.对比分析结果表明,采用复合介质材料可以明显提高器件的电学特性,在相同偏...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 用热氧化法在空气中加热铜片制备了CuO纳米线(CuO NWs),通过FESEM对纳米线表面进行了观察,并用液体转移法组装成功了一种简单的阻变存储器件.通过I-V测试系统观察到了Cu/CuO ...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 将垂直于栅氧化层/衬底界面方向的反型层电势分布规律近似为耗尽层的电势分布规律,采用WKB近似方法求解薛定谔方程,得到了量子机制下分析MOSFETs反型层的解析模型,进而对Al/SiO2/p-...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用较为准确的考虑电子散射、输运、俘获以及自洽场的数值计算模型,研究了电子束照射电介质厚样品的动态带电特性,并采用一个实验平台测试样品的电子产额.结果表明,由于电子的迁移和扩散,空间电荷呈现...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 数字电路技术日益成熟,传输模拟信号的微波发射机成为影响发射链路信号损伤的重要因素.以EVM作为衡量信号损伤程度的指标,分析了引起EVM恶化的因素.在GMSK恒包络调制体制下,相位噪声是引起E...
-
28. SiGe HBT的线性度研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论....
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 基于0.18 μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器.该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路.该芯片可以直接差...
-
刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一款可用于UHF RFID读写器的低相位噪声、宽带的压控振荡器(VCO).使用全集成、低输出噪声和高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
