固体电子学研究与进展期刊
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固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
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  • 作者: 郁元卫
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  1-9
    摘要: 为满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,硅基异构集成和三维集成成为下一代集成电路的使能技术,成为当前和今后的研究热点.硅基三维集成微系统可集成化合物半导体、...
  • 作者: 郭怀新 戴家赟 潘斌 周书同 孔月婵 陈堂胜 朱健
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  10-13,40
    摘要: 针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差...
  • 作者: 张亦斌 吴少兵 李建平 韩方彬 李忠辉 陈堂胜
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  14-17,23
    摘要: 报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果.在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构.器件最大电流密度为1....
  • 作者: 杨士奇 任泽阳 张金风 何琦 苏凯 张进成 郭怀新 郝跃
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  18-23
    摘要: 在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的...
  • 作者: 刘尧 潘晓枫 程伟 王学鹏 姚靖懿 陶洪琪
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  24-28,34
    摘要: 基于0.7 μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的W波段倍频器MMIC.电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓...
  • 作者: 张友俊 方彦 吴国青
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  29-34
    摘要: 提出了一种基于多节1/2波长SIRs的具有通带可控的紧凑型四通带滤波器.该滤波器由上下两个谐振器A和B组成,谐振器A由两节1/2波长SIRs中心加载一段短路枝节组成,控制第二和第三通带;谐振...
  • 作者: 孙舒逸 文舸一
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  35-40
    摘要: 讨论如何利用带约束的最大功率传输效率(CMMPTE)法通过阵列天线来综合三维方向图.通过引入测试接收阵列天线,待设计的阵列天线与之构成无线功率传输(WPT)系统,从而将方向图的综合问题转换成...
  • 作者: 朱熙铖 张盼盼 叶颖 王玲玲 葛俊祥
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  41-46
    摘要: 提出了一种基于折合式平面反射阵天线的毫米波高增益滤波天线设计方法,将极化敏感的频率选择表面替代传统的极化栅,用作折合式平面反射阵天线的副反射面.基于基片集成波导技术设计了极化敏感的频率选择表...
  • 作者: 徐志梁 栗文斌 胡鹏 王向华
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  47-52
    摘要: 卤化钙钛矿型发光二极管(PeLED)的窄发射峰有望用于下一代显示器和照明,但是能量转换效率特别是蓝色PeLED的转换效率仍然低于常规无机和有机LED的效率.在这些钙钛矿中用毒性较小的元素(通...
  • 作者: 甘永进 莫沛 杨瑞兆 饶俊慧 李清流 毕雪光
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  53-59,64
    摘要: 因反式锡基钙钛矿太阳能电池可避免J-V迟滞以及铅元素,基于SCAPS-1D设计结构为ITO/HTL/CH3NH3SnI3/PCBM/back-contact的反式锡基钙钛矿太阳能电池器件.其...
  • 作者: 朱海霞
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  60-64
    摘要: 采用第一性原理计算,研究了有机金属卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的电子结构、磁性和光吸收.CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3都是具有直接带隙半导体,CH3NH...
  • 作者: 赵柯臣 赵继文 代兵 张旭 郭怀新 孙华锐 朱嘉琦
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  65-68
    摘要: 通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm2)半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术.通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200 ℃下低温烧结...
  • 作者: 施尚 林罡 孙军 邵国健 周书同 陈堂胜
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  69-74
    摘要: 大功率GaN HEMT器件在工作时较高的热流密度引发器件高温,而高温会显著影响器件性能及可靠性.从不同器件结构设计出发,结合器件热量传递理论,建立了器件热阻模型;采用高速红外热像仪试验分析了...
  • 作者: 牛利刚 金晓行 刘杰 杨阳 李丹
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  75-80
    摘要: 可靠性验证中随机振动试验是造成功率模块失效的主要原因之一,通过对试验阶段三相桥功率模块的失效分析,表明随机振动造成的失效模式是互连键合线根部断裂.基于对键合线断裂失效机理研究,结合ANSYS...
  • 作者:
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  80
    摘要:
  • 作者: 黄宏娟 赵德胜 龚亚飞 张晓东 时文华 张宝顺
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  81-86
    摘要: 芯片异构集成的节距不断缩小至10 μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题.通过对微凸点节距为8 μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺...
  • 作者: 陈聪 李杰 姜理利 吴璟 张岩 郁元卫 黄旼 朱健
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  87-92
    摘要: 随着轻量化、小型化及模块功能多样化的发展,由二维平面到三维高度上的先进封装技术应运而生.微凸点作为实现芯片到圆片异构集成的关键结构,可有效缩短信号传输距离,提升芯片性能.利用电沉积法在Si基...
  • 作者: 李士颜 杨晓磊 黄润华 汤伟 赵志飞 柏松
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  93-97
    摘要: 报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×1014 cm-3的外延层上制备15 kV/10A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果.对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度...
  • 作者: 戈君 肖景林
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  98-102
    摘要: 考虑GaAs非对称半指数量子阱中的生长方向存在非对称半指数势和在垂直于量子阱的生长方向存在各向异性抛物势的情况下,从理论上研究了非对称半指数量子阱中弱耦合磁极化子的性质.采用线性组合算符方法...
  • 作者: 潘晓枫 刘尧 林宗伟 张天羽 殷晓星 陶洪琪
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  103-108,131
    摘要: 基于0.15μm GaAs E/D pHEMT工艺研制了一款工作频率为2~18 GHz的高精度低功耗超宽带幅相多功能芯片,片内集成了超宽带数控移相器、Gm-boost结构行波放大器、单刀双掷...
  • 作者: 周广超 郭润楠 张斌
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  109-114
    摘要: 基于磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)实现了一款K波段数字化功率放大器芯片.该芯片利用InP DHBT工艺兼容高速数字与射频功率电路的优点,采用多个数字功放单元并联连接的形式,每...
  • 作者: 张胜 佘金川 仝梦寒
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  115-119
    摘要: 提出了一种四分之一模菱形基片集成波导谐振腔,设计并制作了一款小型化的双频带通滤波器.引入了T型槽线结构,实现了滤波器双通带中心频率的调节.利用间隙耦合、高低阶模式耦合和源负载耦合,在带外产生...
  • 作者: 曹扬磊 朱健 侯芳 沈国策 焦宗磊
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  120-124
    摘要: 针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线.天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,...
  • 作者: 张伟 文舸一
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  125-131
    摘要: 讨论利用加权最大功率传输效率法(Weighted method of maximum power transmission efficiency,WMMPTE)实现多波束阵列天线的稀疏化,使...
  • 作者: 梁皓辰 钱峰 沈宏昌 徐阳
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  132-136
    摘要: 借助硅基转接板来实现芯片互连的2.5D/3D封装技术是目前广泛应用的一种封装方式,其电磁损耗是影响系统集成的关键问题.以一种基于硅基转接板的封装结构为对象,根据理论分析对硅基转接板进行挖腔预...
  • 作者: 张学丰 彭良玉 彭代鑫
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  137-142,159
    摘要: 基于切换控制的方法设计了一个同时拥有多翅膀和多涡卷混沌吸引子的四维复合型混沌系统.通过观察复合型混沌系统的相图、分岔图和Lyapunov指数谱,分析了该系统动力学行为.根据Matlab数值仿...
  • 作者: 韩前磊 黄立朝 孔祥艺 丁宁
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  143-148
    摘要: 设计了一款双通道、零漂移、轨到轨输入输出的运算放大器,可用于温度、压力传感器等精密信号采集领域.整体结构主要包括:带隙基准、振荡器、分频器、开关控制、主运放和调零运放模块.其中振荡器、分频器...
  • 作者: 杨扬 魏鲁 袁昊煜
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  149-153
    摘要: 介绍了一种由多级2/3分频单元级联的可编程分频器,可应用于扇出缓冲器的通道中.分频器采用0.18μm BiCMOS工艺实现.分频器的电源电压为3.3V,分频比支持1、3、5以及4~4 094...
  • 作者: 李明星 姚佳楠 刘江 李若舟 方玉明
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  154-159
    摘要: 柔性压阻传感器结构简单、电阻变化范围宽、灵敏度高,在电子皮肤和医疗健康检测等领域受到广泛的关注和研究.使用不同目数的磨砂玻璃作为模具制备了具有微结构的多壁碳纳米管(MWCNT)/聚二甲基硅氧...
  • 作者:
    发表期刊: 2021年2期
    页码:  160
    摘要:

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

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