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微电子学期刊
出版文献量（篇）
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21140

微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 1. 超高速双极集成电路设计研究
    作者： 倪学文 宁宝俊 张利春 莫邦燹
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  1-5
    摘要： 总结了超高速集成电路设计中有关晶体管、电阻、互连线等方面的一些经验数据.讨论了电路中电阻、互连线的寄生参数的计算.提出设计超高速集成电路时,提高电路速度的一些有效措施.
  • 2. 基于ASIC技术的电子防盗系统及其实现
    作者： 周荣政 童家榕 陈立权
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  6-9
    摘要： 提出了一种将专用集成电路(ASIC)应用于电子防盗系统设计的新方法.介绍了系统组成和工作流程,给出了FPGA验证结果.该系统利用了ASIC保密性能好的特点,工作时误报率低.
  • 3. 一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究
    作者： 周均
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  10-14
    摘要： 介绍了一种单层多晶硅CMOS工艺.该工艺采用P型衬底、N型P型双埋层、N型薄外延结构,掺杂多晶硅作为CMOS晶体管栅极和双极NPN晶体管的发射极.CMOS晶体管采用源漏自对准结构,钛和铝双层...
  • 4. 高精度集成稳压器零电压调整系数研究
    作者： 吴剀劼 吴玉行 王荟
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  15-18
    摘要： 从理论上分析了集成稳压器的瞬态响应和电压调整系数,给出了电压调整系数为0的临界条件.根据分析结果,设计出一种高精度集成稳压器,对其电压比较器的输入阻抗和稳压器的时间常数及增益进行了分析,得到...
  • 5. m序列伪随机码发生器的低功耗实现
    作者： 孙承绶 沈泊 温涛
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  19-24
    摘要： 提出了一种可以显著降低伪随机码发生器功耗的m序列伪随机码发生器并行实现结构.同时,还讨论并解决了并行结构设计中的开关数优化等几个关键问题,并得出相应的一般性结论.最后,讨论了M个抽头的N阶码...
  • 6. 一种有效的两端线网布线方法
    作者： 严晓浪 葛海通
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  25-29
    摘要： 提出了一种基于计算几何学的面向两端线网的布线算法.对于给定的布线平面,该算法首先根据障碍情况构造了包含最短路径信息的强连接图,然后引入绕障碍长度作为参数,以决定搜索走向,算法保证能找到最短布...
  • 7. 线性容差电路的K故障模糊屏蔽定位
    作者： 吴杰 彭敏放 杨叔孔
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  30-34
    摘要： 研究了线性电路的等输入/等输出K故障屏蔽方法在容差情况下的应用,提出了故障隶属函数,用以定位故障元件或模糊故障集,从而大幅度地降低了故障与容差之间的模糊性,提高了K故障屏蔽法的实用性.对算法...
  • 8. 一种实用的电子元件优化设计新方法
    作者： 吕善伟 李晓明 高泽溪
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  35-38
    摘要： 用差分法给出了集成电路中元件热分析求解温度场的数学模型,结合模拟退火算法对其布局进行了优化设计,大大降低了系统的最大温度值,为专用设备的可靠性提供了坚实的保障.
  • 9. 一种设计同步时序电路的新方法
    作者： 成立
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  39-43
    摘要： 介绍了一种设计同步时序逻辑电路的新方法.该方法之
  • 10. 晶片键合技术及其在微电子学中的应用
    作者： 吴东平 竺士炀 黄宜平
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  44-49
    摘要： 论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,并对键合晶片的表征技术作了介绍.最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域中的应用.
  • 11. 雷达接收机中的高性能对数放大器
    作者： 庞佑宾 涂万贵 黄开军
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  50-53
    摘要： 概述了用于雷达接收机的三种对数放大器,即连续检波对数放大器(SDLA)、视频对数放大器(LVA)、以及真对数放大器(TLA).分析了国内、国外集成对数放大器的现状及今后的发展趋势.
  • 12. 音频低通MOSFET-C连续时间滤波器设计
    作者： 李卫国 沈延钊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  54-57
    摘要： 介绍了一种用2 μm N阱双层多晶硅CMOS工艺实现的音频低通MOSFET-C连续时间滤波器,该滤波器实现了带内波动为0.1 dB,通带截止频率3.4 kHz(可调)的传输函数特性.设计了一...
  • 13. 一种用FPGA实现的FIR滤波器结构
    作者： 刘韬 金昕 黄捷
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  58-61
    摘要： 讨论了一种在FPGA中可实现的FIR滤波器结构.该结构采用基于流水线型的乘加器和进位保留的加法阵列.为减少硬件消耗,乘法器使用的部分积由修改的Booth算法产生.FIR滤波器用VHDL进行描...
  • 14. 一种适用于智能卡应用的RSA协处理器
    作者： 周润德 张武健 梁松海 羊性滋 葛元庆
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  62-68
    摘要： 设计了一种针对Montgomery算法,以微处理器形式实现的RSA协处理器.该协处理器中的功能部件是并发操作的,在一个周期内最多可同时发射三条指令,指令执行采用了二级和三级流水线混合的形式,...
  • 15. VHF高压双栅功率MOSFET的研制
    作者： 杨晓智 赵建明
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  69
    摘要： 采用硅栅结构的自对准离子注入工艺,研制成功了源漏击穿电压BVDS为120 V、输出功率5.1 W、功率增益8 dB、跨导650 mS、截止频率fT为270 MHz的高压双栅功率MOSFET器...
  • 16. 自偏置锁相环结构及其稳定性条件分析
    作者： 任俊彦 彭云 李春梅
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  73-77
    摘要： 给出了基于自偏置技术的电荷泵锁相环电路,压控振荡器的工作频率动态地建立了电路内部所有的偏置电压和电流,从而实现了固定衰减因子,固定环路带宽与工作频率之比,这二者由电容的比率决定,极大地实现了...
  • 17. 计程测速电路的在系统可编程器件的实现
    作者： 刘三清 应建华 罗娟
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  78-82
    摘要： 根据在系统可编程器件的特点,以提高器件的资源利用率、简化设计为原则,利用在系统可编程器件的开发系统设计了计程测速电路,总结了利用在系统可编程器件进行ASIC设计的特点和技巧.
  • 18. 优化阵列结构的5 ns 32 kb CMOS SRAM及其外围电路
    作者： 程君侠 许俊 颜渝瑜
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  83-88
    摘要： 设计了一个地址有效时间为5 ns的32 kb(2 k×16位)CMOS静态随机存储器.设计中采用优化的阵列结构、分段字线译码,以达到1.75 mW/MHz的低功耗;采用位线平衡技术、高速两级...
  • 19. 基于树型编码的MRST混合遗传算法及其并行处理
    作者： 严晓浪 杨昌玲
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  89-95
    摘要： 提出一个关于最小矩形边斯坦纳树(Minimum Rectilinear Steiner Tree, MRST)的混合遗传算法.该算法根据MRST问题的特点,采用了树形结构编码方案以及相应的遗...
  • 20. 基于决策表的印刷电路板测试诊断过程优化
    作者： 屈梁生 张玉祥 李艾华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  96-100
    摘要： 针对传统的决策树生成算法之不足,提出了两种改进算法.用实例说明改进算法具有更好的优化效果,且证明了传统算法是改进算法Ⅱ的特例.基于决策表和决策树,构造了电路板故障诊断专家系统,实现了印刷电路...
  • 21. 高功率因数DCM单级boost正激组合变换器的临界条件
    作者： 严百平 刘健 王兆安
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  101-105
    摘要： 从能量的角度,对单级boost正激组合变换器进行了稳态分析,获得了其临界条件以及输入电流等的严格解析表达式,并以指数函数近似的方法,将上述表达式化简为非常便于利用的形式.实验结果验证了理论分...
  • 22. 0.35/0.5μm CMOS光接收电路设计研究
    作者： 刘三清 应建华 梅婷
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  106-110
    摘要： 对一种结构简单的互阻CMOS放大器的工作原理进行了分析,着重对其灵敏度、频率特性和动态范围等参数与电路结构参数之间的关系进行了模拟分析和设计研究.接收电路按0.35/0.5 μm规则设计,在...
  • 23. 改进的截断乘法器及其在快速傅里叶变换中的应用
    作者： 刘朝晖 陈永春 韩月秋
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  111-114
    摘要： 针对截断乘法器在进行补码运算时有较大的误差,提出了一种改进算法,即将乘数、被乘数均左移一至二位,经截断乘法器运算得到的乘积再右移相应的位数,则能有效减小误差,且误差小于标准乘法器采用截断运算...
  • 24. 阳极短路垂直型IGBT的优化模型
    作者： 刘海涛 陈启秀
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  115-118
    摘要： 提出了一种阳极短路垂直型IGBT的优化设计模型,阐述了导通压降、关断时间及闭锁电流之间的折衷关系.该模型为阳极短路IGBT的设计提供了一种有效的方法.
  • 25. 一种1.5～2 μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究
    作者： 张家斌 胡永贵 谭开洲
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  119-122
    摘要： 采用常规P阱硅栅CMOS改进工艺,进行1.5～2 μm CMOS工艺研究.与常规工艺相比,做出的PMOS管漏源击穿电压可达18～23 V,5 V工作电压下沟道调制效应较小,相应的欧拉电压可达...
  • 26. 谐振隧道二极管
    作者： 刘诺 谢孟贤
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  123-127
    摘要： 由于外延技术的快速发展与进步,作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件(RTD)引起了学术界的密切关注.RTD可使电路密度增大,速度提高,且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管.文中分...
  • 27. 一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源
    作者： 刘韬 徐志伟 程君侠
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  128-131
    摘要： 介绍了一个采用0.6 μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06 mm2)、高电源抑制比和较低温度系数.在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可增加改善...
  • 28. 一种改进型除法集成电路的设计
    作者： 俞军 章倩苓 莫凡
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  132-136
    摘要： 介绍了一种改进的除法集成电路,该电路适合于对精度要求很高、而对速度要求不高的应用场合.它对原有的除法实现算法做了调整,减小了运算误差,同时减少了所需的器件数量,从而缩小了芯片面积.
  • 29. 用信流图实现n阶CCⅡ电压模式滤波器
    作者： 刘奇能 岳学东 王春华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  137-140
    摘要： 用信流图对电压传递函数进行模拟,再由基于双输出端电流传输器(CCⅡ±)的积分器、基于反相第二代电流传输器(CCⅡ-)的电压加法器和基于同相第二代电流传输器(CCⅡ+)的电压放大器综合出n阶电...
  • 30. 闲态双音频警铃信号的精确检测
    作者： 孙程坤 邵丙铣
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  141-144
    摘要： 介绍了一种精确检测闲态双音频警铃信号的方法,给出了具体电路和应用实例.该电路不仅检测精确,而且具有很大的灵活性,对不同标准的音频信号的检测都具有一定的参考价值.

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

微电子学统计分析

被引趋势
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