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微电子学2012年第2期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度.利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 折叠式共源共栅结构能够提供足够高的增益,并且能够增大带宽、提高共模抑制比和电源电压抑制比.基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种折叠式共源共栅结构的差分输入运算放大器,给出了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 从运算放大器共模抑制比(CMRR)定义开始,对多种仿真和测试方法进行分析和比较,深入论述辅助元器件(如电阻和辅助放大器)对待测器件(DUT)仿真和测试结果的影响,分别总结出适合于仿真和测试的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出了一款基于EPC Class1Generation2协议的UHF RFID标签基带处理器.考虑到工作距离是无源标签的一个重要指标,要提高工作距离,就要降低标签功耗,采取了一系列低功耗措施...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： Pull-in失稳问题是静电微执行器的关键问题之一.为了提高静电微执行器的Pull-in稳定行程,提出了一些方法,例如采用串联电容等.对于扭转式静电微执行器,提出通过改变驱动电极位置的方法来...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出一种基于电流模式DC/DC变换器的驱动控制电路.该电路可以与恒流电路结合在一起,用作LED驱动.电路由误差放大器、斜坡信号产生电路、电流采样与叠加电路以及PWM比较器四部分构成.采用华虹...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 设计了一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路.采用具有正负温度系数的电流相减,得到随温度变化更加明显的电流,经过电阻分压控制三极管的通断,并采用推挽反相器整形滤波后得到输出信号,实现了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 传统LVDS驱动器由于电源不稳定、驱动器与传输线之间阻抗不匹配等不良因素的影响,输出波形会出现抖动,质量下降.在传统LVDS驱动器的基础上,设计了一种新颖的LVDS驱动电路.该电路采用预驱动...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 详细论述了∑-△调制器的工作原理,在此基础上设计了一种2阶前馈方式∑-△调制器.分析了系统函数以及零极点的分布情况,确认了系统稳定性、信噪比、无杂散动态范围、有效位数等系统特性.采用行为级建...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出一种高效二次变频结构,分两步将中频信号搬移至基带.首先,通过一种将混频器置于滤波器之后的多相滤波宽带数字下变频结构将中频信号搬移至基带附近.然后通过传统的正交混频将信号搬移至基带,能节省...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 以CCSDS(太空数据系统咨询委员会)标准中1/2码率的LDPC码为例,分析了低密度奇偶校验码(LDPC)译码算法的特点,提出了在译码器的FPGA实现中采用乒乓操作的设计方法,优化译码器信道...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 针对多输入多输出(MIMO)系统中发射天线之间存在的相关性对系统性能的影响,在已有的基于相关矩阵自适应调整发射功率和相位的预编码算法的基础上,增加基于最小判决距离最大化准则的自适应调制,使接...
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13. 亚微米集成电路的ESD保护设计刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点；提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出一种适用于零中频接收的WLAN混频器,采用折叠结构降低开关对的偏置电流,以得到良好的闪烁噪声性能；通过在混频器的驱动级引入辅助管,并优化其衬底电压和尺寸来抵消跨导管的非线性,进而提升电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 通过分析一种车载部件电源电磁干扰噪声的产生机理和传播特点,结合系统电磁兼容要求,提出针对多路输出混合电源的电磁兼容解决方案.研究了输入输出滤波器设计方法,并给出了具体线路和仿真数据.结合电磁...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 基于经典的闭环反馈控制理论和PWM理论在电机控制中的应用,设计了一种三相无刷直流电机控制器.该电路可实现对三相无刷直流电机的驱动和控制,具有功率电压高、驱动电流大、零点精确等优点,同时具有高...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出一种用于LED驱动的恒流控制电路,通过对一个基准电流进行放大,得到LED的输出电流；通过改变基准电流的大小,可以按比例改变输出电流的大小,即实现LED驱动的模拟调光功能.该电路对基准电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 介绍了一种应用于无线局域网(WLAN)收发机系统的跨导-电容(Gm-C)低通滤波器,该电路可工作于低电压,并且具有高线性度.该射频发射器中的滤波器采用截止频率为9.9 MHz的3阶切比雪夫低...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 介绍了一种采用0.18 μm CMOS工艺制作的上电复位电路.为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0 V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点；利用反馈结构加速充电...
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20. 边界扫描结构双向端口设计新方法刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 针对边界扫描结构设计中的双向端口,提出一种新颖的解决方法.该方法通过设计一个专用的双向边界扫描单元,实现对双向端口的可观及可控,克服了传统设计方法的许多缺陷.通过对四总线收发器(三态)74H...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 带隙基准源是开关电源的重要组成部分.在对传统带隙基准源电路进行分析的基础上,结合曲率校正技术、高增益反馈技术和缓冲隔离技术,提出了一款应用于开关电源的高电源抑制比、低温漂系数和多基准输出新型...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题.重点对近年来研...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET (LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用“高k薄膜+氧化层+场板”结构的功率器件,有效降...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制.该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 从半导体器件物理角度,分析了从正向恒定电流IF(3 A)转变到零输入的P+-N-N+功率二极管的瞬态响应,解释了瞬态过程中电流反向并达到反向峰值IR-peak(IR-peak＞IF)的原因....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺.分析了这几种工艺流程与UIS能力的关...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究.结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 对0.5 μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究.在Vds=5 V,Vgs=2.1V的条件下,加电1000 s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFE...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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