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微电子学

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Microelectronics

CA JST AJ SA CSTPCD

影响因子 0.2976

本刊是技术类期刊。传播、普及、推广微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。

主办单位：

四川固体电路研究所

期刊荣誉：

中文核心期刊 信息产业部优秀电子科技期刊

ISSN：

1004-3365

CN：

50-1090/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号24所

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热门刊内文献

年度刊次

1. 一种高效率Buck变换器的设计

作者：刘俊宏罗萍赵忠杨秉中曹麒

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 1-5

摘要：设计了一种基于0.35μm BCD工艺的高效率Buck变换器电路.电路输入电压为10 V～24 V,输出电压为5 V～12 V,最大负载电流为100 mA.采用迟滞控制模式来简化电路结构,降...
2. 高速流水线结构的大整数乘法器FPGA设计与实现

作者：涂振兴王晓蕾杜高明李桢旻

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 6-11

摘要：大整数乘法是密态数据计算中最为耗时的基本运算操作,提高大数乘法单元的计算速度在全同态加密机器学习等应用中尤为重要.提出了一种输入数据位宽为768 kbit的高速大整数乘法器设计方案,将核心组...
3. 一种低压低功耗伪差分环形压控振荡器的设计

作者：龙仁伟冯全源

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 12-16,21

摘要：基于TSMC 28 nm CMOS工艺设计了一个伪差分结构的低压低功耗CMOS环形振荡器.电路包括偏置电路、环形振荡器和输出缓冲器.伪差分环形振荡器有五级延迟单元,延迟单元采用Maneati...
4. 低功耗非对称性可调STDP突触电路设计

作者：王巍张珊赵汝法张定冬熊德宇袁军

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 17-21

摘要：基于65 nm CMOS工艺设计了一种可用于脉冲神经网络系统的低功耗、高能效、结构紧凑的突触电路.突触电路采用开关电容电路结构,直接接收来自神经元电路的脉冲信号,根据脉冲时间依赖可塑性(ST...
5. 一种性能多种重构的高频压控有源电感

作者：李白张万荣谢红云金冬月那伟聪李祎康康翼麟

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 22-27

摘要：提出了一种性能多种重构的高频压控有源电感(HFVCAI).电路主要由第一回转回路、第二回转回路以及调控支路构成,且第一回转回路和第二回转回路并联,调控支路与第一回转回路连接,两个回转回路均配...
6. 一种S波段E类GaN HEMT功率放大器设计

作者：王德勇张盼盼张金灿刘敏刘博孙立功

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 28-32,37

摘要：并联电路E类功率放大器(PA)具有结构简单和高效的优点,因而被广泛应用.针对并联电路E类PA存在带宽较窄、效率较低的问题,对其输出匹配网络提出了一种改进方案.采用混合式π型结构作为PA的输出...
7. 多晶硅电阻线性度补偿方法研究

作者：杨洋雷郎成高炜祺胡永菲刘虹宏付东兵

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 33-37

摘要：介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因.提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法.采用仿真和测试,对比了未经补偿、新补偿方法的12...
8. 一种杂波中提取弱小脉冲信号的设计方法

作者：李伟东刘登学庞佑兵

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 38-41

摘要：采用巧妙的电路结构和模拟信号处理方式,设计了一种从杂波中提取弱小脉冲信号的电路.首先对输入信号进行饱和放大,然后分两级进行滤波.将一级滤波输出信号与二级滤波输出信号在比较器中进行比较,从而产...
9. 一种延迟可控的异步FIFO电路设计

作者：陈婷婷陆锋万书芹邵杰

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 42-46

摘要：基于传统异步FIFO延迟电路设计了一种延迟可控的异步FIFO电路.该电路在实现数据跨时钟域传输的同时增加了延迟控制模块,通过调节读指针与写指针的差值实现整数延迟的控制,通过调节读时钟与写时...
10. 一种面向存算的高速字线驱动电路

作者：王雨桐虞致国车饶顾晓峰

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 47-51

摘要：在非易失性存算芯片(CIM)中,大规模阵列的栅极等效电容以及远距离传输导线的等效电容严重限制了字线驱动电路(WLDC)的切换速度.非易失性存算器件工作所需的多电压域的压差已远超字线驱动电路中...
11. 56 Gbit/s PAM4 CMOS光接收机前端电路设计

作者：张宇张长春姚俊杰袁丰

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 52-57

摘要：基于65 nm CMOS工艺设计了一种56 Gbit/s PAM4光接收机前端放大电路.前级为差分形式的跨阻放大器,采用共栅前馈型结构降低输入阻抗,并在输入端串联电感,有效提高了跨阻放大器的...
12. 一种36 GHz CMOS毫米波三倍频器

作者：赵心可徐雷钧白雪

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 58-64

摘要：针对传统三倍频器输出功率和匹配性能差的问题,基于TSMC0.18μm CMOS工艺,提出一种用滤波器作为匹配电路的三倍频器.该三倍频器输出匹配性能好、功率损耗小,提高了三次谐波的输出功率.对...
13. 一种基于FPGA进位逻辑的RO PUF设计

作者：陈鹏李先东姚亮易茂祥鲁迎春

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 65-70

摘要：物理不可克隆函数(PUF)作为一种可有效地应对硬件安全问题的电路结构,在近些年得到了广泛的关注.环形振荡器(RO)PUF由于不需要完全对称的布线方式,因此被认为是最理想的PUF结构之一.现有...
14. 基于石墨烯的CO和CO2气体传感器研究进展

作者：张适然唐蒙邓丽城王德波

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 71-76

摘要：室温下石墨烯具有电子迁移率高、比表面积大、机械强度高、化学稳定性和热稳定性优异、导电性好等独特性能,是当今最受关注的二维材料之一.与传统无机氧化物材料相比,石墨烯气体传感器具有工作温度低、能...
15. 一种用于高压防护的新型闩锁免疫LDMOS

作者：孙浩楠王军超李浩亮张英韬

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 77-81

摘要：横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件.在传统结构中,LDMOS的鲁棒性相对较差,这是器件自身固有的不均匀导...
16. 基于多层石墨烯的声表面波放大器的研究

作者：何素荣赵程李晨媛邓丽城王德波

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 82-86

摘要：为了研究多层石墨烯对声表面波的放大作用,分析了外加电场下石墨烯载流子的可变电导率,研究了不同衬底下多层石墨烯声表面波放大器的放大性能.对比研究了 ZnO和CdS为衬底的石墨烯声表面波放大器,...
17. 一种高维持电压的LVTSCR

作者：陈龙李健儿廖楠徐银森冯勇刘继芝徐开凯赵建明

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 87-90,97

摘要：对于工作电压为5 V的集成电路,低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求,但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应.为解决闩锁问题,对传统LVTSCR进行了改进,通过在N...
18. 一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件

作者：侯佳力胡毅贺俊敏王源

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 91-97

摘要：针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构.相比于常规SCR结构,首先,通过移动阳极/阴极的N+/P+...
19. L波段双层交指线性相位MEMS滤波器的设计

作者：范丽娜吴倩楠张世义侯文李孟委

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 98-103

摘要：针对射频MEMS滤波器的带外抑制能力较差和带内群延时不平坦的问题,设计了一种窄带宽、低插损、高选择性的L波段射频MEMS线性相位滤波器.选取高介电常数的衬底材料实现窄带传输,采用双层交指结构...
20. 一种低触发电压的两级防护SCR器件

作者：张英韬朱治华范晓梅毛盼宋彬许杞安吴铁将陈睿科王耀刘俊杰

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 104-108

摘要：提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR).在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管.因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路...
21. 界面电荷对圆柱形高kVDMOS的影响仿真研究

作者：刘乙

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 109-114

摘要：相比于传统VDMOS,超结耐压层结构和高k介质耐压层结构VDMOS能实现更高的击穿电压和更低的导通电阻.通过仿真软件,对3D圆柱形高k VDMOS具有、不具有界面电荷下的各种结构参数对电场分...
22. 基于COMSOL的TSV电感多物理场耦合特性研究

作者：尹湘坤刘景亭王凤娟

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 115-119

摘要：基于硅通孔(TSV)技术,提出了应用于三维集成电路的三维螺旋电感.在实际应用中,TSV电感存在电场、温度场和力场之间的相互耦合,最终会影响TSV电感的实际电学性能.考虑P型和N型两种硅衬底材...
23. 应用于5 V电压电路的新型闩锁免疫LVTSCR

作者：王松岩范晓梅朱治华张英韬王耀刘俊杰陈睿科

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 120-124

摘要：传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险.文章提出了一种嵌入分流路径的LVTSCR.基于0.18 μm CMOS工艺,使用Sentaurus-TC...
24. SiC/GaN IMPATT二极管的交流性能研究

作者：戴扬叶青松党江涛卢昭阳张为伟雷晓艺张云尧廖晨光赵胜雷赵武

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 125-131

摘要：利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真.结果表明,相比传统GaN单漂移(...
25. 栅下双异质结增强型AlGaN/GaN HEMT

作者：陈飞冯全源杨红锦文彦

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 132-138

摘要：为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).使用双异质结电荷控制模型分析了基本机理,推导了阈值电压表达式.仿真结果表明,器件阈值电...
26. 源端射频干扰下SRAM的抗扰性分析

作者：徐小清张志文粟涛

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 139-143

摘要：目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究,但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少.文章研究了 SRAM在射频电磁干扰下的失效行为与机理.对SRA...
27. 基于正交法的FBGA焊点可靠性优化研究

作者：孙勤润杨雪霞张伟伟王超刘昭云彭银飞

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 144-149

摘要：在芯片紧密度、功耗都在增加的微电子封装领域,FBGA封装在同体积下有较大的存储容量.基于有限元和正交法,进行了 FBGA焊点热循环载荷下的可靠性分析,并进行了更稳健的焊点结构参数优化设计.结...
28. Flash存储器浮栅单元的总剂量效应统计性分析

作者：梁润成陈法国郭荣韩毅刘兆行张静赵日

刊名：微电子学

发表期刊： 2022年1期

页码: 150-156

摘要：针对核设施机电设备中控制系统存储单元耐辐射可靠性评价的需要,以国产NOR型Flash存储器为研究对象,对器件存储阵列浮栅单元的总剂量损伤阈值开展了实验研究.综合利用SMOTE算法和Boots...

微电子学基本信息

刊名	微电子学	主编	武俊齐
曾用名
主办单位	四川固体电路研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1004-3365	CN	50-1090/TN
邮编	400060	电子邮箱	wdzx@sisc.com.cn
电话	023-62834360	网址	wdzx.sisc.com.cn
地址	重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

该刊被以下数据库收录

1.	化学文摘(美)
2.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
3.	文摘杂志(俄)
4.	科学文摘(英)
5.	中国科技论文统计与引文分析数据库